画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | 現在 -マックス | 電力散逸(最大) | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZV55-C6V8,115 | 0.0200 | ![]() | 287 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV55-C6V8,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 v | 15オーム | ||||||||||||||||||
![]() | NZX20B 、133 | - | ![]() | 3245 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | NZX20 | 500 MW | ALF2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 50 Na @ 14 V | 20 v | 60オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B9V1,133 | 1.0000 | ![]() | 9762 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX79-B9V1 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 500 NA @ 6 V | 9.1 v | 15オーム | |||||||||||||||||||
![]() | NZX16C 、133 | 0.0200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | ALF2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-NZX16C、133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 45オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZB84-B30,215 | 0.0300 | ![]() | 80 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | - | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | TO-236AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZB84-B30,215-954 | 11,823 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | |||||||||||||||||
![]() | BZV55-B3V0,115 | 0.0200 | ![]() | 86 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV55-B3V0,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 10 µA @ 1 V | 3 v | 95オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C30,143 | 0.0200 | ![]() | 165 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX79-C30,143-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 NA @ 700 mV | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C68,215 | 0.0200 | ![]() | 104 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX84-C68,215-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZB984-C3V3,115 | 0.0400 | ![]() | 5822 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | SOT-663 | 265 MW | SOT-663 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZB984-C3V3,115-954 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 85オーム | |||||||||||||||
![]() | BZV49-C47,115 | 0.1600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | 1 W | SOT-89 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV49-C47,115-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 170オーム | ||||||||||||||||||
![]() | TDZ5V6J135 | 0.0300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP半導体 | 自動車、AEC-Q101 、TDZXJ | バルク | 廃止 | ±1.96% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | TDZ5v6 | 500 MW | SOD-323F | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-TDZ5V6J135 | ear99 | 8541.10.0050 | 10,414 | 1.1 V @ 100 MA | 10 µA @ 2.5 v | 5.6 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | PZU24B2A 、115 | 1.0000 | ![]() | 3445 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | PZU24 | 320 MW | SOD-323 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 na @ 19 v | 24 v | 30オーム | |||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C13,115 | 0.1500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV90-C13,115-954 | 1 | 1 V @ 50 mA | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A20,215 | 0.1000 | ![]() | 127 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±1% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX84-A20,215-954 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 14 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZX79-B12143 | - | ![]() | 4369 | 0.00000000 | NXP半導体 | BZX79 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-BZX79-B12143-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 12 v | 25オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B15143 | - | ![]() | 2053 | 0.00000000 | NXP半導体 | BZX79 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 400 MW | ALF2 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-BZX79-B15143-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 10.5 v | 15 V | 30オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C51,115 | - | ![]() | 8346 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 mA | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | |||||||||||||||||||
![]() | NZX13A 、133 | 0.0200 | ![]() | 88 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | ALF2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-NZX13A 、133-954 | 1 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 8 V | 13 v | 35オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BAS32L 、135 | 0.0200 | ![]() | 635 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 標準 | llds;ミニフル | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BAS32L 、135-954 | 1 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 75 v | 1 V @ 100 MA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 200°C (最大) | 200mA | 2PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | bzx84-c15/ch、235 | 0.0200 | ![]() | 100 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-C36143 | 0.0200 | ![]() | 90 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C47,115 | - | ![]() | 9645 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 MA | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 90オーム | ||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B22,115 | - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C(Ta) | 表面マウント | SOD-123F | BZT52 | 375 MW | SOD-123F | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZT52H-B22,115-954 | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 15.4 v | 22 v | 25オーム | |||||||||||||||
![]() | BZV55-B27,115 | 0.0200 | ![]() | 125 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZV55-B27,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 18.9 v | 27 v | 80オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZX884-B6V2,315 | - | ![]() | 3976 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX884-B6V2,315-954 | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | BAS321115 | 1.0000 | ![]() | 1886年 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP65LX 、315 | 0.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | SOD-882 | - | - | 2156-BAP65LX 、315 | 4,929 | 100 Ma | 135 MW | 0.37pf @ 20V、1MHz | ピン -シングル | 30V | 350mohm @ 100ma 、100mhz | |||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C16,115 | 0.0200 | ![]() | 75 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | llds;ミニフル | ダウンロード | 影響を受けていない | 2156-BZV55-C16,115-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 11.2 v | 16 v | 40オーム | |||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B3V3,215 | 1.0000 | ![]() | 1891年年 | 0.00000000 | NXP半導体 | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-BZX84-B3V3,215-954 | 1 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | ||||||||||||||||||
![]() | 1N4734a 、113 | 0.0400 | ![]() | 135 | 0.00000000 | NXP半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-1N4734a 、113-954 | 8,435 |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫