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ダイオード（545）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
1PS70SB40,115 NXP Semiconductors 1PS70SB40,115 0.0300
RFQ
 ECAD 779 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 ショットキー SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-1PS70SB40,115-954 10,051 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 1 V @ 40 mA 10 µA @ 40 V 150°C （最大） 120ma 5PF @ 0V、1MHz
PMEG3020CEP,115 NXP Semiconductors PMEG3020CEP 、115 0.0900
RFQ
 ECAD 386 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-128 ショットキー SOD-128/CFP5 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMEG3020CEP 、115-954 ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 30 V 420 mv @ 2 a 1.5 mA @ 30 v 150°C （最大） 2a 170pf @ 1V 、1MHz
PMEG6010ESBYL NXP Semiconductors PMEG6010ESBYL 0.0400
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 2-xdfn PMEG6010 ショットキー DSN1006-2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMEG6010ESBYL-954 ear99 8541.10.0080 8,126 高速回復= <500ns 60 V 730 mv @ 1 a 2.4 ns 30 µA @ 60 V 150°C （最大） 1a 20pf @ 10V、1MHz
PZU22B1,115 NXP Semiconductors PZU22B1,115 -
RFQ
 ECAD 2294 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ 150°C （TJ） 表面マウント SC-90、SOD-323F 310 MW SC-90 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PZU22B1,115-954 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 17 V 22 v 20オーム
PMEG4020EP,115 NXP Semiconductors PMEG4020EP 、115 0.0900
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-128 ショットキー SOD-128/CFP5 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMEG4020EP 、115-954 ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 490 mV @ 2 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 2a 95pf @ 10V、1MHz
BZX84-C2V7,215 NXP Semiconductors BZX84-C2V7,215 0.0200
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX84-C2V7,215-954 0000.00.0000 1 900 mV @ 10 Ma 20 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
BYC20X-600P127 NXP Semiconductors byc20x-600p127 0.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-byc20x-600p127-954 ear99 8541.10.0080 1
PZU2.4BL,315 NXP Semiconductors PZU2.4BL 、315 -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-882 250 MW DFN1006-2 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-PZU2.4BL 、315-954 1 1.1 V @ 100 MA 50 µA @ 1 V 2.4 v 100オーム
PMEG2015EH,115 NXP Semiconductors PMEG2015EH 115 0.0500
RFQ
 ECAD 94 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SOD-123F ショットキー SOD-123F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PMEG2015EH 、115-954 5,912 高速回復= <500ns 20 v 660 mV @ 1.5 a 70 µA @ 20 V 150°C （最大） 1.5a 50pf @ 1V、1MHz
BZX79-C22,143 NXP Semiconductors BZX79-C22,143 0.0200
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-C22,143-954 ear99 8541.10.0070 1 900 mV @ 10 Ma 50 NA @ 700 mV 22 v 55オーム
PZU6.8B2L,315 NXP Semiconductors PZU6.8B2L 、315 -
RFQ
 ECAD 5372 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -55°C〜150°C 表面マウント SOD-882 PZU6.8 250 MW DFN1006-2 ダウンロード 0000.00.0000 1 1.1 V @ 100 MA 500 na @ 3.5 v 6.8 v 20オーム
PMEG3005AESF,315 NXP Semiconductors PMEG3005AESF 315 -
RFQ
 ECAD 9404 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ PMEG3005 ダウンロード ear99 8541.10.0070 1
BAT74S,115 NXP Semiconductors BAT74S 、115 1.0000
RFQ
 ECAD 2777 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ BAT74 ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-BAT74S 、115-954 1
BZX84-C13,235 NXP Semiconductors BZX84-C13,235 0.0200
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX84-C13,235-954 ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 8 V 13 v 30オーム
BZV55-C43,115 NXP Semiconductors BZV55-C43,115 0.0200
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW llds;ミニフル ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZV55-C43,115-954 ear99 8541.10.0070 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 30.1 v 43 v 150オーム
PMEG1020EJ,115 NXP Semiconductors PMEG1020EJ 115 -
RFQ
 ECAD 8548 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-90、SOD-323F ショットキー SOD-323F ダウンロード 影響を受けていない 2156-PMEG1020EJ 、115-954 1 高速回復= <500ns 10 v 460 mV @ 2 a 3 ma @ 10 v 150°C （最大） 2a 50pf @ 5V、1MHz
BZX79-B5V1,133 NXP Semiconductors BZX79-B5V1,133 0.0200
RFQ
 ECAD 139 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-B5V1,133-954 1 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 2 V 5.1 v 60オーム
BZX84J-B62,115 NXP Semiconductors BZX84J-B62,115 0.0300
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-90、SOD-323F 550 MW SOD-323F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX84J-B62,115-954 1 1.1 V @ 100 MA 50 Na @ 43.4 v 62 v 140オーム
BAT54W,115 NXP Semiconductors BAT54W 、115 0.0200
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 BAT54 ショットキー SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BAT54W、115-954 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA @ 25 V 150°C （最大） 200mA 10pf @ 1V、1MHz
BZX79-C18,113 NXP Semiconductors BZX79-C18,113 0.0200
RFQ
 ECAD 470 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-C18,113-954 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 12.6 v 18 v 45オーム
BAS16W,115 NXP Semiconductors bas16w、115 0.0200
RFQ
 ECAD 836 0.00000000 NXP半導体 aec-q101、bas16 バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 BAS16 標準 SOT-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-bas16w、115-954 1 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 100 V 1.25 V @ 150 MA 4 ns 500 NA @ 80 V -65°C〜150°C 175ma 1.5pf @ 0V、1MHz
BZV85-C3V6,113 NXP Semiconductors BZV85-C3V6,113 0.0300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1.3 w DO-41 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZV85-C3V6,113-954 1 1 V @ 50 mA 50 µA @ 1 V 3.6 v 15オーム
PMEG150G20ELPX NXP Semiconductors PMEG150G20ELPX -
RFQ
 ECAD 3493 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ 表面マウント SOD-128 標準 SOD-128/CFP5 - 2156-PMEG150G20ELPX 1 高速回復= <500ns 150 v 850 mV @ 2 a 14 ns 30 na @ 150 v 175°C 2a 70pf @ 1V、1MHz
BZX384-C43,115 NXP Semiconductors BZX384-C43,115 0.0200
RFQ
 ECAD 225 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 BZX384 300 MW SOD-323 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX384-C43,115-954 1 1.1 V @ 100 MA 5 Na @ 30.1 v 43 v 150オーム
NZX6V2A,133 NXP Semiconductors NZX6V2A 、133 0.0200
RFQ
 ECAD 218 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -55°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-NZX6V2A、133-954 1 1.5 V @ 200 mA 3 µA @ 4 V 6.2 v 15オーム
BZX79-B3V6,113 NXP Semiconductors BZX79-B3V6,113 0.0200
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 400 MW ALF2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX79-B3V6,113-954 1 900 mV @ 10 Ma 5 µA @ 1 V 3.6 v 90オーム
BZX84-C6V2,235 NXP Semiconductors BZX84-C6V2,235 0.0200
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 250 MW TO-236AB ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX84-C6V2,235-954 1 900 mV @ 10 Ma 3 µA @ 4 V 6.2 v 10オーム
BZT52H-B2V4,115 NXP Semiconductors BZT52H-B2V4,115 0.0200
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 NXP半導体 aec-q101 バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C（Ta） 表面マウント SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZT52H-B2V4,115-954 1 900 mV @ 10 Ma 50 µA @ 1 V 2.4 v 85オーム
BZX384-C11,115 NXP Semiconductors BZX384-C11,115 -
RFQ
 ECAD 7400 0.00000000 NXP半導体 BZX384 バルク アクティブ ±5％ -65°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 300 MW SOD-323 - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-BZX384-C11,115-954 1 1.1 V @ 100 MA 100 Na @ 8 V 11 v 20オーム
BZX884-B30,315 NXP Semiconductors BZX884-B30,315 0.0300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ ±2％ -65°C〜150°C 表面マウント SOD-882 250 MW DFN1006-2 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-BZX884-B30,315-954 ear99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 21 V 30 V 80オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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