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ダイオード（ 1290）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
1N5408 Fairchild Semiconductor 1N5408 1.0000
RFQ
 ECAD 1378 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 1N5408 標準 do15/do204ac ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.10.0080 1,250 標準回復> 500ns 1000 V 1.2 V @ 3 a 1.5 µs 200 Na @ 1000 V -50°C〜175°C 3a -
BZX55C3V0 Fairchild Semiconductor BZX55C3V0 0.0200
RFQ
 ECAD 4234 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 7,295 1.3 V @ 100 MA 4 µA @ 1 V 3 v 85オーム
1N970B Fairchild Semiconductor 1N970B 1.8400
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 163 5 µA @ 18.2 v 24 v 33オーム
KBU4B Fairchild Semiconductor KBU4B 1.0000
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 4 a 5 µA @ 50 V 4 a 単相 100 V
KBU8D Fairchild Semiconductor KBU8D -
RFQ
 ECAD 4108 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 8 a 10 µA @ 200 v 8 a 単相 200 v
KBU6D Fairchild Semiconductor kbu6d 0.5400
RFQ
 ECAD 5011 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 425 1 V @ 6 a 10 µA @ 200 v 6 a 単相 200 v
1N959B Fairchild Semiconductor 1N959B 3.2100
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 94 50 µA @ 6.2 v 8.2 v 6.5オーム
3N258 Fairchild Semiconductor 3N258 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 30 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 800 V 2 a 単相 800 V
FLZ8V2B Fairchild Semiconductor flz8v2b 0.0200
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±3％ -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 500 MW SOD-80 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 4,230 1.2 V @ 200 mA 300 Na @ 5 V 8 v 6.6オーム
KBU6A Fairchild Semiconductor Kbu6a 1.1100
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 287 1 V @ 6 a 10 µA @ 50 V 6 a 単相 50 v
KBU8B Fairchild Semiconductor KBU8B 1.0000
RFQ
 ECAD 3826 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip 、kbu 標準 KBU ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 200 1 V @ 8 a 10 µA @ 100 V 8 a 単相 100 V
1N5395 Fairchild Semiconductor 1N5395 -
RFQ
 ECAD 4623 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 標準 DO-15 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0080 8,000 標準回復> 500ns 400 V 1.4 V @ 1.5 a 5 µA @ 400 V -55°C〜150°C 1.5a 25pf @ 4V、1MHz
BZX55C5V6 Fairchild Semiconductor BZX55C5V6 0.0400
RFQ
 ECAD 149 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 ±7％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 MA 100 Na @ 1 V 5.6 v 25オーム
1N4751A-T50A Fairchild Semiconductor 1N4751A-T50A 0.0500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1N4751 1 W DO-41 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 5 µA @ 22.8 v 30 V 40オーム
BZX79C2V7-T50A Fairchild Semiconductor BZX79C2V7-T50A 0.0200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 BZX79C2 500 MW DO-35 ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 100 MA 75 µA @ 1 V 2.7 v 100オーム
1N5263B Fairchild Semiconductor 1N5263B 1.8600
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±0.5％ - 穴を通して do-204ah do-35 、軸 1N5263 500 MW - ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 162 900 mV @ 200 mA 100 Na @ 41 v 56 v 150オーム
MM5Z20V Fairchild Semiconductor MM5Z20V 1.0000
RFQ
 ECAD 1416 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6％ -55°C〜150°C 表面マウント SC-79、SOD-523 200 MW SOD-523F ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 50 Na @ 14 V 20 v 55オーム
BZX85C3V3-FS Fairchild Semiconductor BZX85C3V3-FS 0.0300
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±6.06％ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W DO-41 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 60 µA @ 1 V 3.3 v 20オーム
DF005S1 Fairchild Semiconductor DF005S1 0.2100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 標準 4-sdip ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 1.1 V @ 1 a 3 µA @ 50 V 1 a 単相 50 v
1N4938 Fairchild Semiconductor 1N4938 2.9200
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 do-35 （do-204ah） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 112 高速回復= <500ns 200 v 1 V @ 100 MA 50 ns 100 Na @ 75 V 175°C （最大） 500mA 5PF @ 0V、1MHz
BAV21 Fairchild Semiconductor bav21 0.0200
RFQ
 ECAD 339 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 bav21 標準 DO-35 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 250 v 1.25 V @ 200 mA 50 ns 100 na @ 200 v -50°C〜200°C 250ma 5PF @ 0V、1MHz
1N914TR Fairchild Semiconductor 1N914TR 0.0300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-204ah do-35 、軸 標準 DO-35 ダウンロード ear99 8541.10.0070 11,539 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 100 V 1 V @ 10 mA 4 ns 5 µA @ 75 V -65°C〜175°C 200mA 4PF @ 0V、1MHz
RURP860 Fairchild Semiconductor Rurp860 -
RFQ
 ECAD 7415 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 標準 TO-220-2 ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 1.5 V @ 8 a 70 ns 100 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
EGP30A Fairchild Semiconductor EGP30A 0.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 標準 DO-201AD ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-EGP30A-600039 1,156 高速回復= <500ns 50 v 950 mv @ 3 a 50 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 3a 95pf @ 4V、1MHz
MMSZ5226B-FS Fairchild Semiconductor MMSZ5226B-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ 150°C （TJ） 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 25 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
1N5226B Fairchild Semiconductor 1N5226B 0.0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 500 MW do-35 （do-204ah） ダウンロード ear99 8541.10.0050 10,486 1.5 V @ 200 mA 25 µA @ 1 V 3.3 v 28オーム
RGP10K Fairchild Semiconductor RGP10K 0.0600
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 標準 DO-41 ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-RGP10K-600039 4,800 高速回復= <500ns 800 V 1.3 V @ 1 a 500 ns 5 µA @ 800 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
FYV0203SMTF Fairchild Semiconductor FYV0203SMTF 0.2000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 表面マウント TO-236-3 ショットキー SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 1 V @ 200 mA 5 ns 2 µA @ 30 V 150°C （最大） 200mA 10pf @ 1V、1MHz
MMSZ4689 Fairchild Semiconductor MMSZ4689 -
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ - 表面マウント SOD-123 MMSZ46 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 Ma 2 µA @ 3 V 5.1 v
1N4744ATR Fairchild Semiconductor 1N4744ATR 0.0300
RFQ
 ECAD 1621 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ ±5％ -65°C〜200°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 1 W do-204al（do-41） ダウンロード ear99 8541.10.0050 6,867 5 µA @ 11.4 v 15 V 14オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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