画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N753ATR | 0.0400 | ![]() | 79 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 6.2 v | 7オーム | |||||||||||||
![]() | 1N961B | 3.0600 | ![]() | 62 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 99 | 10 µA @ 7.6 v | 10 v | 8.5オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5258B | 2.0200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 162 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70オーム | |||||||||||||
kbu6j | 0.7100 | ![]() | 5162 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 84 | 1 V @ 6 a | 10 µA @ 50 V | 6 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | flz39va | 0.0200 | ![]() | 45 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±3% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | 500 MW | SOD-80 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.2 V @ 200 mA | 133 Na @ 30 V | 35.6 v | 72オーム | |||||||||||||
![]() | KBU8B | 1.0000 | ![]() | 3826 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 8 a | 10 µA @ 100 V | 8 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||
![]() | KBU6M | - | ![]() | 3266 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 10 µA @ 1 V | 6 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||
![]() | 1N978B | 2.0200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 162 | 5 µA @ 38.8 v | 51 v | 125オーム | ||||||||||||||
![]() | KBU8K | 0.5400 | ![]() | 7963 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 a | 10 µA @ 800 V | 8 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | KBL04 | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbl | 標準 | KBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 4 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||
![]() | FFP04H60STU | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.1 V @ 4 a | 45 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 4a | - | |||||||||||
![]() | 3N258 | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 800 V | 2 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||
![]() | 1N6018B | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 43 v | 56 v | 200オーム | |||||||||||||
![]() | 1N5985B | 2.0000 | ![]() | 53 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0050 | 163 | 1.2 V @ 200 mA | 100 µA @ 1 V | 2.4 v | 100オーム | |||||||||||||
![]() | kbu6g | - | ![]() | 7582 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip 、kbu | 標準 | KBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 V @ 6 a | 10 µA @ 50 V | 6 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||
![]() | 1N746ATR | 0.0200 | ![]() | 48 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム | |||||||||||||
![]() | Rurp860_nl | - | ![]() | 2564 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 標準 | TO-220-2 | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.5 V @ 8 a | 70 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||
![]() | EGP20D | 1.0000 | ![]() | 3844 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 標準 | DO-15 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 200 v | 950 mv @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 2a | 70pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | FFD04H60S | 0.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 標準 | TO-252 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.1 V @ 4 a | 60 ns | 100 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 4a | - | ||||||||||||
![]() | MBR1660 | 1.0000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 302 | 高速回復= <500ns | 60 V | 750 mV @ 16 a | 1 MA @ 60 v | -65°C〜150°C | 16a | 450pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | MM3Z39VB | 1.0000 | ![]() | 6928 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 200 MW | SOD-323F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 10 mA | 45 Na @ 27.3 v | 39 v | 122オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5232B | 0.0300 | ![]() | 37 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | 500 MW | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 11,539 | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11オーム | |||||||||||||||||||
![]() | MBRB41H100CT-1G | 1.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 279 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DF01S1 | 0.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 4-SMD 、カモメの翼 | 標準 | 4-sdip | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,700 | 1.1 V @ 1 a | 3 µA @ 100 V | 1 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||||
![]() | 1N5249btr | 0.0200 | ![]() | 138 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 14 V | 19 v | 23オーム | ||||||||||||||
![]() | DFB2020 | 1.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 1.1 V @ 20 a | 10 µA @ 200 v | 20 a | 単相 | 200 v | ||||||||||||||
![]() | GBPC3504 | 3.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -65°C〜150°C | QC端子 | 4 平方、GBPC | 標準 | GBPC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 90 | 1.1 V @ 17.5 a | 5 µA @ 400 V | 35 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
![]() | gbu8ks | 0.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | 標準 | GBU | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 365 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 800 V | 8 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | 1N4754A | 0.0300 | ![]() | 102 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜20°C | 穴を通して | 軸 | 1 W | 軸 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0050 | 9,779 | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | GBPC25005W | 2.7900 | ![]() | 500 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4平方、GBPC-W | GBPC25005 | 標準 | GBPC-W | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 117 | 1.1 V @ 7.5 a | 5 µA @ 50 V | 25 a | 単相 | 50 v |
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