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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357 、H3F 0.1900
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS357 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 11pf @ 0V、1MHz
CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40 、H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 630 mV @ 1.5 a 50 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
TRS16N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB -
RFQ
 ECAD 5763 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS16N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） TRS16N65FBS1F（s ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 8a（dc） 1.7 V @ 8 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
TRS20N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65FB -
RFQ
 ECAD 1932年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS20N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） TRS20N65FBS1F（s ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 10a （dc） 1.7 V @ 10 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
CRZ33(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz33（TE85L -
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ33 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 26.4 v 33 v 30オーム
CRS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS06 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS06 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 20 v 360 mV @ 1 a 1 mA @ 20 v -40°C〜125°C 1a 60pf @ 10V、1MHz
CRZ30(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz30（TE85L -
RFQ
 ECAD 7496 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ30 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） CRZ30TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 21 V 30 V 30オーム
U1GWJ49(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage u1gwj49 -
RFQ
 ECAD 1338 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-243AA U1GWJ49 ショットキー pw-mini ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 1 a 500 µA @ 40 V -40°C〜125°C 1a -
CLS01(T6LSONY,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS01 -
RFQ
 ECAD 6695 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS01 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 10 a 1 mA @ 30 v -40°C〜125°C 10a 530pf @ 10V、1MHz
CRS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01 0.3900
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS01 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1 a 1.5 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
CMS03(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage cms03（TE12L -
RFQ
 ECAD 2598 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-128 CMS03 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 3 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 3a -
1SS362TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362TE85LF 0.3000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS362 標準 SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 80ma 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS393SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS393SU 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS393 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
TRS20N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS20N65D s1f -
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS20N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 10a （dc） 1.7 V @ 10 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
TRS24N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65FB、S1Q 7.6500
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS24N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - 1 （無制限） 264-TRS24N65FBS1Q ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 12a 1.6 V @ 12 a 0 ns 60 µA @ 650 v 175°C
CMS14(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS14 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS14 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 2 a 200 µA @ 60 V -40°C〜150°C 2a -
CRH01(TE85R,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRH01 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 1a -
CRS12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs12（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS12 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 1 a 100 µA @ 60 V -40°C〜150°C 1a -
CRZ18(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz18 -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ18 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 13 V 18 v 30オーム
CUS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus01 -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS01 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 30 V 390 mV @ 1 a 1.5 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1a -
CUS02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus02（TE85L -
RFQ
 ECAD 2445 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS02 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 1 a 100 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a -
1SV270TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV270TPH3F 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 1SV270 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 8.7pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2 C1/C4 -
CBS10S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S30 、L3F 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CBS10S30 ショットキー CST2B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 20 v 450 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125°C （最大） 1a 135pf @ 0V、1MHz
TRS12N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65D s1f -
RFQ
 ECAD 6487 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS12N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 6a （DC） 1.7 V @ 6 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
TRS24N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65D s1f -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS24N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 12a 1.7 V @ 12 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403、H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1SS403 標準 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
1SS361,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS361 標準 SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
CTS520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS520 、L3f 0.2000
RFQ
 ECAD 758 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS520 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 30 V 600 mV @ 200 mA 5 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 16pf @ 0V、1MHz
CUS08F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cus08f30、H3f 0.3300
RFQ
 ECAD 362 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS08F30 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 220 mv @ 10 ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 800mA 170pf @ 0V、1MHz
CCS15S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S40 、L3F 0.3800
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CCS15S40 ショットキー CST2C ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 1.5 a 200 µA @ 40 V 125°C （最大） 1.5a 170pf @ 0V、1MHz
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