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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02ACT 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） SOD-882 JDP2S02 CST2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 50 Ma 0.4pf @ 1V、1MHz ピン -シングル 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
1SS295(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS295 -
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） TO-236-3 1SS295 SC-59-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 30 Ma 0.9pf @ 0.2V、1MHz Schottky -1ペア共通カソード 4V -
TRS4E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65F 、S1Q 2.3700
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS4E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 4 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C （最大） 4a 16pf @ 650V、1MHz
CMF03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF03 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMF03 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 900 V 2.5 V @ 500 Ma 100 ns 50 µA @ 900 V -40°C〜125°C 500mA -
TRS24N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65FB -
RFQ
 ECAD 9125 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS24N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） TRS24N65FBS1F（s ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 12a 1.7 V @ 12 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
TRS2E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65H、S1Q 1.5500
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS2E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 2 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C 2a 135pf @ 1V、1MHz
HN4D01JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn4d01ju 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 HN4D01 標準 5スソップ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
TRS2E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS2E65F 、S1Q 1.0500
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS2E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 2 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C （最大） 2a 8.7pf @ 650V、1MHz
TRS4E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS4E65H、S1Q 1.8500
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS4E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 4 a 0 ns 55 µA @ 650 v 175°C 4a 263pf @ 1V、1MHz
CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs10i30c （TE85L、 QM 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS10I30 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 1a 82pf @ 10V、1MHz
HN1D01F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1d01f （TE85L 0.4700
RFQ
 ECAD 3088 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1D01 標準 SM6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SV228TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV228TPH3F 0.4400
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 1SV228 s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 13.7pf @ 8V、1MHz 1ペア共通カソード 15 V 2.6 C3/C8 -
CES521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES521 、L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 CES521 ショットキー ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 200 mA 30 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 26PF @ 0V、1MHz
CUS08F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cus08f30、H3f 0.3300
RFQ
 ECAD 362 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS08F30 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 220 mv @ 10 ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 800mA 170pf @ 0V、1MHz
CMZ22(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ22 -
RFQ
 ECAD 5156 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ22 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 cmz22（TE12LQM ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 16 V 22 v 30オーム
1SS300,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS300、LF 0.2200
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS300 標準 USM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
CRF03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRF03 -
RFQ
 ECAD 5105 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRF03 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 700 Ma 100 ns 50 µA @ 600 V -40°C〜150°C 700MA -
CUHS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15s30、H3f 0.3700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 430 mV @ 1.5 a 500 µA @ 30 V 150°C 1.5a 200PF @ 0V、1MHz
1SS272TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS272TE85LF 0.4900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-61AA 1SS272 標準 SC-61B ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS403,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403、H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1SS403 標準 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
CUS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus01 -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS01 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 30 V 390 mV @ 1 a 1.5 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1a -
CUHS15F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15f60、H3f 0.4900
RFQ
 ECAD 9628 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 730 mV @ 1.5 a 50 µA @ 60 V 150°C 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
CUS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus05 -
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05 ショットキー us-flat（1.25x2.5） - ROHS準拠 cus05（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 20 v 370 mV @ 700 Ma 1 mA @ 20 v -40°C〜125°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
1SS307E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E 、L3f 0.1900
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS307 標準 SC-79 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.3 V @ 100 MA 10 Na @ 80 V 150°C （最大） 100mA 6PF @ 0V、1MHz
CMH01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH01 0.7300
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMH01 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 3 a 100 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 3a -
CTS520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS520 、L3f 0.2000
RFQ
 ECAD 758 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS520 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 30 V 600 mV @ 200 mA 5 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 16pf @ 0V、1MHz
1SS181,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS181、lf 0.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS181 標準 s-mini - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
U20DL2C48A(TE24L,Q Toshiba Semiconductor and Storage U20DL2C48A -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-263-3 u20dl2 標準 TO-220SM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 20a 980 mV @ 10 a 35 ns 50 µA @ 200 V -
CLS02(TE16L,HIT,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS02 （TE16L、ヒット、Q） -
RFQ
 ECAD 7549 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS02 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 10 a 1 MA @ 40 V -40°C〜125°C 10a 420pf @ 10V、1MHz
1SS417CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417CT 、L3f 0.3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード 1SS417 ショットキー FSC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 620 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 15pf @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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