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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
CRH01(TE85R,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRH01 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 1a -
CRS12(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs12（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 5854 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS12 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 1 a 100 µA @ 60 V -40°C〜150°C 1a -
CRZ18(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz18 -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ18 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 13 V 18 v 30オーム
CUS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus01 -
RFQ
 ECAD 8070 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS01 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 30 V 390 mV @ 1 a 1.5 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1a -
CUS02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus02（TE85L -
RFQ
 ECAD 2445 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS02 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 1 a 100 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a -
1SV270TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV270TPH3F 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 1SV270 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 8.7pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2 C1/C4 -
CMH08A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08A -
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMH08A 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 2 a 35 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 2a -
CRY82(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cry82（TE85L -
RFQ
 ECAD 3176 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F cry82 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 4.9 v 8.2 v 30オーム
1SS184,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS184、lf 0.2400
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS184 標準 s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS294,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS294、LF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS294 ショットキー s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 25pf @ 0V、1MHz
1SS387,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387 、L3f 0.2300
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS387 標準 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 0.5pf @ 0V、1MHz
CES521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES521 、L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 CES521 ショットキー ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 200 mA 30 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 26PF @ 0V、1MHz
CUS551V30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS551V30 、H3F 0.2700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS551 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 500 Ma 100 µA @ 20 V 125°C （最大） 500mA -
CUHS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15s30、H3f 0.3700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 430 mV @ 1.5 a 500 µA @ 30 V 150°C 1.5a 200PF @ 0V、1MHz
1SS388(TL3,F,D) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS388 -
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS388 ショットキー ESC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 45 v 600 mV @ 50 Ma 5 µA @ 10 V -40°C〜100°C 100mA 18pf @ 0V、1MHz
BAS516,L3F Toshiba Semiconductor and Storage bas516、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 BAS516 標準 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 高速回復= <500ns 100 V 1.25 V @ 150 MA 3 ns 200 Na @ 80 V 150°C （最大） 250ma 0.35pf @ 0V、1MHz
1SV308,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV308、L3F 0.4300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） SC-79、SOD-523 1SV308 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 50 Ma 0.5pf @ 1V、1MHz ピン -シングル 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
CMC02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMC02 （TE12L -
RFQ
 ECAD 9346 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMC02 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） CMC02 （TE12LQM） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
CMF03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF03 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMF03 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 900 V 2.5 V @ 500 Ma 100 ns 50 µA @ 900 V -40°C〜125°C 500mA -
CMG02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cmg02（TE12L -
RFQ
 ECAD 8363 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMG02 標準 m-flat（2.4x3.8） - ROHS準拠 1 （無制限） CMG02 （TE12LQM） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 2 a 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 2a -
CMG06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG06 -
RFQ
 ECAD 6508 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMG06 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） cmg06（TE12LQM ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 600 V -40°C〜150°C 1a -
CMH01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH01 0.7300
RFQ
 ECAD 4215 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMH01 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 3 a 100 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 3a -
CMH05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH05 -
RFQ
 ECAD 7589 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMH05 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 CMH05 （TE12LQM ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 1 a 100 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
CMS10I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS10I30A 0.5700
RFQ
 ECAD 1159 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS10 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 1a 82pf @ 10V、1MHz
CMS10I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS10I40A 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS10 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 450 mV @ 1 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 62pf @ 10V、1MHz
CMS15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS15 0.6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS15 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 3 a 300 µA @ 60 V -40°C〜150°C 3a 102pf @ 10V、1MHz
CMS20I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I40A 0.2123
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS20 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 520 mV @ 2 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 2a 62pf @ 10V、1MHz
CMS21(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS21 0.4900
RFQ
 ECAD 4683 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ CMS21 - ROHS3準拠 1 （無制限） 0000.00.0000 3,000
CMZ12(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cmz12（TE12L 0.5400
RFQ
 ECAD 9594 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ12 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 8 V 12 v 30オーム
CMZ15(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ15 0.5400
RFQ
 ECAD 4730 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ15 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 10 V 15 V 30オーム
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    標準製品ユニット

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