SIC
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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
CMS21(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS21 0.4900
RFQ
 ECAD 4683 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ CMS21 - ROHS3準拠 1 （無制限） 0000.00.0000 3,000
1SV304TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV304TPH3F 0.4200
RFQ
 ECAD 121 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 1SV304 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 6.6pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 3 C1/C4 -
CMS04(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage cms04（TE12L） -
RFQ
 ECAD 1186 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-128 CMS04 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 5 a 8 ma @ 30 v -40°C〜125°C 5a -
CMS05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS05 0.7800
RFQ
 ECAD 192 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS05 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mv @ 5 a 800 µA @ 30 V -40°C〜150°C 5a 330pf @ 10V、1MHz
CMS20I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS20I40A 0.2123
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS20 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 520 mV @ 2 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 2a 62pf @ 10V、1MHz
CRZ22(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz22（TE85L -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ22 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） CRZ22TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 16 V 22 v 30オーム
1SS309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS309 0.4100
RFQ
 ECAD 385 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 1SS309 標準 SMV ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 4一般的なカソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
TRS4V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS4V65H 、LQ 1.8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド sic （炭化シリコン）ショットキー 4-dfn-ep（8x8） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.34 V @ 4 a 0 ns 55 µA @ 650 v 175°C 4a 263pf @ 1V、1MHz
TRS12N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65FB -
RFQ
 ECAD 3099 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS12N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） TRS12N65FBS1F（s ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 6a （DC） 1.7 V @ 6 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
1SS294,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS294、LF 0.3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS294 ショットキー s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 25pf @ 0V、1MHz
TRS12N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS12N65D s1f -
RFQ
 ECAD 6487 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS12N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 6a （DC） 1.7 V @ 6 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
1SS361FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361FV、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 1SS361 標準 vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
CUS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus06 -
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS06 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 cus06（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 20 v 450 mV @ 700 Ma 30 µA @ 20 V -40°C〜150°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
1SS250(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS250 0.0964
RFQ
 ECAD 9531 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 表面マウント TO-236-3 1SS250 標準 SC-59 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383 0.4000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-82 1SS383 ショットキー USQ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
CRZ15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz15 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ15 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 10 V 15 V 30オーム
CLH07(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh07 -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH07 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 5 a 35 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 5a -
CRS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS05 0.1326
RFQ
 ECAD 9706 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS05 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 1 a 200 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a -
CMS10I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS10I40A 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS10 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 450 mV @ 1 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 62pf @ 10V、1MHz
1SS387,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS387 、L3f 0.2300
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS387 標準 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 0.5pf @ 0V、1MHz
1SS401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS401 0.2700
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS401 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 20 v 450 mV @ 300 Ma 50 µA @ 20 V 125°C （最大） 300mA 46pf @ 0V、1MHz
CMG06(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG06 -
RFQ
 ECAD 6508 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMG06 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） cmg06（TE12LQM ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 600 V -40°C〜150°C 1a -
CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz20（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ20 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 14 V 20 v 30オーム
HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn1d01fe 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 HN1D01 標準 ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
BAS516,L3F Toshiba Semiconductor and Storage bas516、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 BAS516 標準 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 高速回復= <500ns 100 V 1.25 V @ 150 MA 3 ns 200 Na @ 80 V 150°C （最大） 250ma 0.35pf @ 0V、1MHz
CMC02(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMC02 （TE12L -
RFQ
 ECAD 9346 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMC02 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） CMC02 （TE12LQM） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
CUS551V30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS551V30 、H3F 0.2700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS551 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 500 Ma 100 µA @ 20 V 125°C （最大） 500mA -
CRZ10(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz10（TE85L -
RFQ
 ECAD 1889 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ10 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） CRZ10TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 6 V 10 v 30オーム
CLH01(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh01 -
RFQ
 ECAD 6230 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH01 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 3 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 3a -
1SS379,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS379、lf 0.4200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS379 標準 SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.3 V @ 100 MA 10 Na @ 80 V 125°C （最大）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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