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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f
CMZ22(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ22 -
RFQ
 ECAD 5156 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ22 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 cmz22（TE12LQM ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 16 V 22 v 30オーム
CMZ24(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ24 0.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ24 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 17 V 24 v 30オーム
CRG09(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG09 -
RFQ
 ECAD 9954 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG09 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） crg09（TE85LQM ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
CRS10I30C(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs10i30c （TE85L、 QM 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS10I30 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 1a 82pf @ 10V、1MHz
CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs20i40b 0.5000
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS20I40 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 520 mV @ 2 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 2a 62pf @ 10V、1MHz
CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz10（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ10 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 6 V 10 v 30オーム
CRZ16(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz16（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 6370 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ16 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 11 v 16 v 30オーム
CRZ20(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz20（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ20 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 14 V 20 v 30オーム
CRZ22(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz22（TE85L -
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ22 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS準拠 crz22（TE85LQM ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 16 V 22 v 30オーム
CRZ43(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz43（TE85L -
RFQ
 ECAD 6678 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ43 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS準拠 crz43（TE85LQM） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 34.4 v 43 v 40オーム
CUS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus03 -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS03 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 cus03（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 40 v 520 mV @ 700 Ma 100 µA @ 40 V -40°C〜150°C 700MA 45pf @ 10V、1MHz
CUS05(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus05 -
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05 ショットキー us-flat（1.25x2.5） - ROHS準拠 cus05（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 20 v 370 mV @ 700 Ma 1 mA @ 20 v -40°C〜125°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
CUS06(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus06 -
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS06 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 cus06（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 20 v 450 mV @ 700 Ma 30 µA @ 20 V -40°C〜150°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
CUS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS15I30A -
RFQ
 ECAD 3931 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS15I30 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 CUS15I30A （TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 30 V 460 mV @ 1.5 a 60 µA @ 30 V 150°C （最大） 1.5a 50pf @ 10V、1MHz
1SS272TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS272TE85LF 0.4900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-61AA 1SS272 標準 SC-61B ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS302TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS302TE85LF -
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS302 標準 SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS379,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS379、lf 0.4200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS379 標準 SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.3 V @ 100 MA 10 Na @ 80 V 125°C （最大）
1SS250(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS250 0.0964
RFQ
 ECAD 9531 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 表面マウント TO-236-3 1SS250 標準 SC-59 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
1SS295(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS295 -
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） TO-236-3 1SS295 SC-59-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 30 Ma 0.9pf @ 0.2V、1MHz Schottky -1ペア共通カソード 4V -
1SS352,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS352 、H3F 0.1800
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76A 1SS352 標準 SC-76-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
1SS378(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS378 0.3400
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS378 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大）
1SS383(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS383 0.4000
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-82 1SS383 ショットキー USQ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
1SS401(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS401 0.2700
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS401 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 20 v 450 mV @ 300 Ma 50 µA @ 20 V 125°C （最大） 300mA 46pf @ 0V、1MHz
1SS413,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS413、L3m 0.2700
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード 1SS413 ショットキー FSC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 20 v 550 mV @ 50 mA 500 NA @ 20 V 125°C （最大） 50ma 3.9pf @ 0V、1MHz
1SS416CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416CT 、L3f 0.3000
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 1SS416 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 15pf @ 0V、1MHz
1SS417CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417CT 、L3f 0.3000
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード 1SS417 ショットキー FSC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 620 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 15pf @ 0V、1MHz
1SS423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS423 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS423 ショットキー SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 40 v 100mA 620 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage hn1d01fu、lf（t 0.4600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1D01 標準 US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn2d01je 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 HN2D01 標準 ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
JDP2S02ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S02ACT 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） SOD-882 JDP2S02 CST2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 50 Ma 0.4pf @ 1V、1MHz ピン -シングル 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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