SIC
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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f
CMS10I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS10I30A 0.5700
RFQ
 ECAD 1159 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS10 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 1a 82pf @ 10V、1MHz
JDP2S08SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage JDP2S08SC 0.4800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 0201 （0603 メトリック） JDP2S08 SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 50 Ma 0.4pf @ 1V、1MHz ピン -シングル 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
CMZ12(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cmz12（TE12L 0.5400
RFQ
 ECAD 9594 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ12 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 8 V 12 v 30オーム
1SS413,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS413、L3m 0.2700
RFQ
 ECAD 101 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード 1SS413 ショットキー FSC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 20 v 550 mV @ 50 mA 500 NA @ 20 V 125°C （最大） 50ma 3.9pf @ 0V、1MHz
HN1D01FU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage hn1d01fu、lf（t 0.4600
RFQ
 ECAD 137 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1D01 標準 US6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
TRS6E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65F 、S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS6E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 v 175°C （最大） 6a 22PF @ 650V、1MHz
CRZ10(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz10（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ10 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 6 V 10 v 30オーム
CUHS10F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs10f60、H3f 0.4300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs10 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 40 µA @ 60 V 150°C （最大） 1a 130pf @ 0V、1MHz
1SS193S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193S -
RFQ
 ECAD 7822 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント TO-236-3 1SS193 標準 s-mini ダウンロード 1 （無制限） 1SS193SLF d ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
CMF02A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMF02A -
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 表面マウント SOD-128 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 1 a 100 ns 50 µA @ 600 V 150°C 1a -
CRS20I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs20i40b 0.5000
RFQ
 ECAD 8276 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS20I40 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 520 mV @ 2 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 2a 62pf @ 10V、1MHz
CMH08A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH08A -
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMH08A 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 2 a 35 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 2a -
CMG05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG05 -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMG05 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） CMG05 ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
1SS423(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS423 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS423 ショットキー SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 40 v 100mA 620 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
1SS416CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416CT 、L3f 0.3000
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 1SS416 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 15pf @ 0V、1MHz
CLS01(TE16L,PAS,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS01 -
RFQ
 ECAD 8647 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS01 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 10 a 1 mA @ 30 v -40°C〜125°C 10a 530pf @ 10V、1MHz
CMS09(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 -
RFQ
 ECAD 5132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - Digi-Reel® 廃止 表面マウント SOD-128 CMS09 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a -
TRS6V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6V65H 、LQ 2.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド sic （炭化シリコン）ショットキー 4-dfn-ep（8x8） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 6 a 0 ns 70 µA @ 650 V 175°C 6a 392pf @ 1V、1MHz
1SS378(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS378 0.3400
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS378 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大）
CMS14(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS14 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS14 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 2 a 200 µA @ 60 V -40°C〜150°C 2a -
CRZ11(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz11 -
RFQ
 ECAD 6761 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ11 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） CRZ11TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 7 V 11 v 30オーム
CMZ24(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ24 0.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ24 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 17 V 24 v 30オーム
1SS352,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS352 、H3F 0.1800
RFQ
 ECAD 236 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76A 1SS352 標準 SC-76-2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
CRH01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRH01 0.5200
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRH01 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 1 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 1a -
TRS24N65D,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TRS24N65D s1f -
RFQ
 ECAD 3712 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-247-3 TRS24N ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 650 V 12a 1.7 V @ 12 a 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
CUHS20S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20s40、H3f 0.3700
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs20 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 470 mV @ 2 a 300 µA @ 40 V 150°C （最大） 2a 290pf @ 0V、1MHz
CBS10S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S30 、L3F 0.4300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CBS10S30 ショットキー CST2B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 20 v 450 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125°C （最大） 1a 135pf @ 0V、1MHz
CRZ18(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz18 -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ18 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 13 V 18 v 30オーム
CUS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus03 -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS03 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 cus03（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 40 v 520 mV @ 700 Ma 100 µA @ 40 V -40°C〜150°C 700MA 45pf @ 10V、1MHz
CLH07(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh07 -
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH07 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 5 a 35 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 5a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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