SIC
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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT）
CLH06(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh06 -
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH06 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 300 V 35 ns - 5a -
TBAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage tbav70 、lm 0.2100
RFQ
 ECAD 280 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-23-3フラットリード TBAV70 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 標準回復> 500ns 1ペア共通カソード 80 v 215ma -
CUHS20F60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20f60、H3f 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 590 mV @ 2 a 70 µA @ 60 V 150°C 2a 300pf @ 0V、1MHz
BAV70,LM Toshiba Semiconductor and Storage bav70、lm 0.2100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 bav70 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 215ma 1.25 V @ 150 MA 4 ns 200 Na @ 80 V 150°C （最大）
1SS374(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS374 0.3700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS374 ショットキー SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大）
1SS385,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS385 ショットキー SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 20pf @ 0V、1MHz
CMS30I30A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I30A 0.5900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS30 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 490 mV @ 3 a 100 µA @ 30 V 150°C （最大） 3a 82pf @ 10V、1MHz
CUHS20F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20f30、H3f 0.3600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs20 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 470 mV @ 2 a 60 µA @ 30 V 150°C （最大） 2a 380pf @ 0V、1MHz
CMG06A,LQ(M Toshiba Semiconductor and Storage CMG06A -
RFQ
 ECAD 9033 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - 箱 アクティブ 表面マウント SOD-128 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1 a 5 µA @ 600 v 150°C 1a -
CMG03(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMG03 -
RFQ
 ECAD 2511 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMG03 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） CMG03 ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 2 a 10 µA @ 600 V -40°C〜150°C 2a -
CRS13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs13（TE85L 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS13 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 550 mV @ 1 a 50 µA @ 60 V 150°C （最大） 1a 40pf @ 10V、1MHz
TRS16N65FB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB、S1Q 6.0900
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS16N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - 1 （無制限） 264-TRS16N65FBS1Q ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 8a（dc） 1.6 V @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C
BAV99,LM Toshiba Semiconductor and Storage bav99、lm 0.1900
RFQ
 ECAD 687 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 bav99 標準 SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1ペアシリーズ接続 100 V 215ma 1.25 V @ 150 MA 3 ns 200 Na @ 80 V 150°C （最大）
1SS394TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS394TE85LF 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS394 ショットキー SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 40pf @ 0V、1MHz
1SS362FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362FV、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 1SS362 標準 vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
TRS10E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65F 、S1Q 4.5900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS10E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 v 175°C （最大） 10a 36pf @ 650V、1MHz
CLH05(T6L,NKOD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh05 -
RFQ
 ECAD 1913年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH05 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 5a -
CMS16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS16 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS16 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 3 a 200 µA @ 40 V -40°C〜150°C 3a -
CUS10I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage cus10i30a -
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS10I30 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 CUS10I30A （TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 30 V 390 mV @ 700 Ma 60 µA @ 30 V 150°C （最大） 1a 50pf @ 10V、1MHz
CRS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS10I40A 0.4700
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS10I40 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 40 v 490 mV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 35pf @ 10V、1MHz
CRG02(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crg02（TE85L -
RFQ
 ECAD 1132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG02 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 700MA -
DSF01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC、L3F -
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 0201 （0603 メトリック） DSF01S30 ショットキー SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） DSF01S30SCL3F ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 9.3pf @ 0V、1MHz
CMH02A(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH02A -
RFQ
 ECAD 2840 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMH02A 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） CMH02A （TE12LQM ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 3 a 100 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 3a -
CMF05(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF05 0.5300
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMF05 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1000 V 2.7 V @ 500 Ma 100 ns 50 µA @ 800 V -40°C〜125°C 500mA -
JDH2S02SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage JDH2S02SL 、L3F 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし JDH2S02 ショットキー SL2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 25 µA @ 500 mV 125°C （最大） 10ma 0.25pf @ 200mV、1MHz
CMS02(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage cms02（TE12L） -
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-128 CMS02 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 400 mV @ 3 a 500 µA @ 30 V -40°C〜125°C 3a -
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz13（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 3970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ13 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 9 V 13 v 30オーム
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cmz20（TE12L 0.5400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ20 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 14 V 20 v 30オーム
1SS187,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS187、lf 0.2200
RFQ
 ECAD 4171 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS187 標準 s-mini - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 4PF @ 0V、1MHz
CRG01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG01 -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG01 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 100 V -40°C〜150°C 700MA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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