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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） @ @ if、f
CRS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS04 0.4600
RFQ
 ECAD 112 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS04 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 510 mv @ 1 a 100 µA @ 40 V -40°C〜150°C 1a 47pf @ 10V、1MHz
CLS03(TE16L,DNSO,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 （TE16L 、DNSO、 Q -
RFQ
 ECAD 9888 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
CUHS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs15s40、H3f 0.4800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 510 mv @ 1.5 a 200 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 170pf @ 0V、1MHz
1SS308(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS308 0.4300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 1SS308 標準 SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 4一般的なアノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
CMS10(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cms10（TE12L 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS10 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 1 a 500 µA @ 40 V -40°C〜150°C 1a 50pf @ 10V、1MHz
1SS422(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS422 0.4000
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS422 ショットキー SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 30 V 100mA 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大）
1SS307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307 0.3700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS307 標準 s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 1.3 V @ 100 MA 10 Na @ 30 V 125°C （最大） 100mA 6PF @ 0V、1MHz
CMS09(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 0.5300
RFQ
 ECAD 4497 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS09 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a 70pf @ 10V、1MHz
CUHS20S60,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhs20s60、H3f 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 60 V 530 mV @ 2 a 650 µA @ 60 V 150°C 2a 290pf @ 0V、1MHz
CMS02(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage cms02（TE12L） -
RFQ
 ECAD 6247 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-128 CMS02 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 400 mV @ 3 a 500 µA @ 30 V -40°C〜125°C 3a -
CRZ13(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz13（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 3970 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ13 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 9 V 13 v 30オーム
1SS187,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS187、lf 0.2200
RFQ
 ECAD 4171 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS187 標準 s-mini - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 4PF @ 0V、1MHz
CMZ20(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cmz20（TE12L 0.5400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ20 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 14 V 20 v 30オーム
CMS30I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS30I40A 0.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS30 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mV @ 3 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 3a 62pf @ 10V、1MHz
CLH02(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh02 （TE16L -
RFQ
 ECAD 5715 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH02 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 300 V 1.3 V @ 3 a 35 ns 10 µA @ 300 V -40°C〜150°C 3a -
CUS05F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cus05f40、H3f 0.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05F40 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 40 v 810 mv @ 500 Ma 15 µA @ 40 V 150°C （最大） 500mA 28pf @ 0V、1MHz
TBAT54,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54、LM 0.2100
RFQ
 ECAD 545 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TBAT54 ショットキー SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 580 mV @ 100 Ma 1.5 ns 2 µA @ 25 V 150°C （最大） 140ma -
CRG01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG01 -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG01 標準 s-flat（1.6x3.5） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 100 V 1.1 V @ 700 Ma 10 µA @ 100 V -40°C〜150°C 700MA -
DSF07S30U(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage DSF07S30U -
RFQ
 ECAD 5138 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 DSF07 ショットキー USC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 700 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 700MA 170pf @ 0V、1MHz
TRS8E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65F 、S1Q 3.7200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS8E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C （最大） 8a 28pf @ 650V、1MHz
1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301、LF 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS301 標準 SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS360,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS360 0.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS360 標準 SSM ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通アノード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SV307(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV307 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） SC-76、SOD-323 1SV307 USC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 50 Ma 0.5pf @ 1V、1MHz ピン -シングル 30V 1.5OHM @ 10MA 、100MHz
1SS403E,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS403E 、L3f 0.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS403 標準 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 200 v 1.2 V @ 100 MA 60 ns 1 µA @ 200 v 150°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
CRZ18(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz18（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ18 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 13 V 18 v 30オーム
CCS15S30,L3QUF Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30 、L3qf -
RFQ
 ECAD 1834年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし CCS15S30 ショットキー CST2C ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 10,000 高速回復= <500ns 20 v 400 mV @ 1 a 500 µA @ 30 V 125°C （最大） 1.5a 200PF @ 0V、1MHz
CRZ12(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz12（TE85L -
RFQ
 ECAD 7495 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ12 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） CRZ12TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 8 V 12 v 30オーム
CRS15I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30A 0.4500
RFQ
 ECAD 4972 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS15I30 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 460 mV @ 1.5 a 60 µA @ 30 V 150°C （最大） 1.5a 50pf @ 10V、1MHz
CRZ30(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz30（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F CRZ30 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 21 V 30 V 30オーム
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A -
RFQ
 ECAD 1671 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS10I40 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 CUS10I40A （TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 40 v 490 mV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 35pf @ 10V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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