SIC
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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
TRS6E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65H、S1Q 2.3200
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS6E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 6 a 0 ns 70 µA @ 650 V 175°C 6a 392pf @ 1V、1MHz
CRS10I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs10i30b 0.4100
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 420 mv @ 1 a 60 µA @ 30 V 150°C 1a 50pf @ 10V、1MHz
1SS196(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS196 0.3200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS196 標準 SC-59-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
1SS385FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS385FV、L3F 0.2400
RFQ
 ECAD 157 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 1SS385 ショットキー vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大） 100mA 20pf @ 0V、1MHz
CRZ33(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crz33（TE85L -
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ33 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 26.4 v 33 v 30オーム
TRS10E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS10E65H、S1Q 2.8900
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS10E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 10 a 0 ns 100 µA @ 650 V 175°C 10a 649PF @ 1V、1MHz
TRS6E65C,S1AQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS6E65C、S1AQ -
RFQ
 ECAD 2406 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 TRS6E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 6 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大） 6a 35pf @ 650v、1MHz
CLS03(T6L,CANO-O,Q Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 （T6L -
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
CRS08(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS08 0.5200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS08 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1.5 a 1 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1.5a 90pf @ 10V、1MHz
CRS20I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I40A 0.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS20I40 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 600 mV @ 2 a 60 µA @ 40 V 150°C （最大） 2a 35pf @ 10V、1MHz
1SS402TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS402TE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-82 1SS402 ショットキー USQ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 20 v 50ma 550 mV @ 50 mA 500 NA @ 20 V 125°C （最大）
1SS405,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS405 、H3F 0.2700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS405 ショットキー ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 20 v 550 mV @ 50 mA 500 NA @ 20 V 125°C （最大） 50ma 3.9pf @ 0V、1MHz
CRS10I40B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage crs10i40b 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS10I40 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 450 mV @ 1 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 1a 62pf @ 10V、1MHz
TRS6A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS6A65F 、S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2フルパック TRS6A65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 v 175°C （最大） 6a 22PF @ 650V、1MHz
CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ36 0.5800
RFQ
 ECAD 2937 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 28.8 v 36 v 30オーム
1SS393SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS393SU 、LF 0.4000
RFQ
 ECAD 180 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS393 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
CLH07(TE16L,NMB,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh07 -
RFQ
 ECAD 5501 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH07 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 400 V 1.8 V @ 5 a 35 ns 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 5a -
1SV281(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SV281 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV281 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 8.7pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2 C1/C4 -
1SS382TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS382TE85LF 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-82 1SS382 標準 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS393,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS393、LF 0.3800
RFQ
 ECAD 347 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS393 ショットキー SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V -40°C〜100°C
CES388,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CES388 、L3f 0.2000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 CES388 ショットキー ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 25pf @ 0V、1MHz
CUHS15F40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUHS15F40 、H3F 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、フラットリード cuhs15 ショットキー US2H ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 630 mV @ 1.5 a 50 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 130pf @ 0V、1MHz
1SS362TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS362TE85LF 0.3000
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 1SS362 標準 SSM ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 80ma 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
CMS17(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS17 0.4600
RFQ
 ECAD 3814 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS17 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 480 mV @ 2 a 100 µA @ 30 V -40°C〜150°C 2a 90pf @ 10V、1MHz
CUS357,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS357 、H3F 0.1900
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS357 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 40 v 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大） 100mA 11pf @ 0V、1MHz
CMS15I40A(TE12L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CMS15I40A 0.5900
RFQ
 ECAD 6510 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS15 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 490 mV @ 1.5 a 100 µA @ 40 V 150°C （最大） 1.5a 62pf @ 10V、1MHz
CRS15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs15（TE85L 0.1462
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS15 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 520 mV @ 3 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 3a 90pf @ 10V、1MHz
1SV310TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV310TPH3F 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-76、SOD-323 1SV310 USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 5.45pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2.1 C1/C4 -
TRS16N65FB,S1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TRS16N65FB -
RFQ
 ECAD 5763 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 TRS16N65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247 - ROHS準拠 1 （無制限） TRS16N65FBS1F（s ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 8a（dc） 1.7 V @ 8 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大）
CLH03(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh03 -
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH03 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 400 V 35 ns - 3a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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