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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
TRS3E65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65F 、S1Q 1.9400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 TRS3E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.6 V @ 3 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C （最大） 3a 12pf @ 650V、1MHz
HN1D04FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage hn1d04fute85lf -
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1D04 標準 US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 1.6 ns 500 NA @ 80 V 150°C （最大）
1SS416,L3M Toshiba Semiconductor and Storage 1SS416、L3m 0.2700
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-923 1SS416 ショットキー SOD-923 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 15pf @ 0V、1MHz
DSR01S30SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSR01S30SC、L3F -
RFQ
 ECAD 2781 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント 0201 （0603 メトリック） DSR01S30 ショットキー SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 620 mV @ 100 Ma 700 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 8.2pf @ 0V、1MHz
CRS20I30A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS20I30A 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS20I30 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 490 mV @ 2 a 60 µA @ 30 V 150°C （最大） 2a 50pf @ 10V、1MHz
CUS10S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S40 、H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS10S40 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 400 mV @ 500 Ma 150 µA @ 40 V 125°C （最大） 1a 120pf @ 0V、1MHz
CRS11(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS11 0.4800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS11 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1 a 1.5 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1a -
CRY68(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cry68 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F cry68 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 3 V 6.8 v 60オーム
1SS321,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS321、LF 0.3200
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS321 ショットキー s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 10 v 1 V @ 50 mA 500 NA @ 10 V 125°C （最大） 50ma 3.2pf @ 0V、1MHz
1SS397TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS397TE85LF 0.4100
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS397 標準 SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 400 V 1.3 V @ 100 MA 500 ns 1 µA @ 400 V 125°C （最大） 100mA 5PF @ 0V、1MHz
CMF01(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMF01 -
RFQ
 ECAD 3559 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-128 CMF01 標準 m-flat（2.4x3.8） - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 2 a 100 ns 50 µA @ 600 V -40°C〜150°C 2a -
CRS01(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS01 0.3900
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS01 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 360 mV @ 1 a 1.5 mA @ 30 v -40°C〜125°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
DSF01S30SC(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SC（TPL3 -
RFQ
 ECAD 1853 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 0201 （0603 メトリック） DSF01S30 ショットキー SC2 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 9.3pf @ 0V、1MHz
TRS3E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS3E65H、S1Q 1.6100
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS3E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 3 a 0 ns 45 µA @ 650 v 175°C 3a 199pf @ 1V、1MHz
1SS190TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS190TE85LF 0.3500
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS190 標準 SC-59-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 4PF @ 0V、1MHz
TRS12E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65H、S1Q 3.2700
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-TRS12E65H、S1Q ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 12 a 0 ns 120 µA @ 650 v 175°C 12a 778pf @ 1V、1MHz
1SS226,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS226、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 5380 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS226 標準 s-mini - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-1SS226、LFCT ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn2s02je（TE85L 0.4800
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 HN2S02 ショットキー ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
CMS04(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMS04 0.7800
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMS04 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 370 mV @ 5 a 8 ma @ 30 v -40°C〜125°C 5a 330pf @ 10V、1MHz
CUS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus04 -
RFQ
 ECAD 2743 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS04 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 cus04（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 700 Ma 100 µA @ 60 V -40°C〜150°C 700MA 38pf @ 10V、1MHz
CTS05S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05S40 、L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS05S40 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 40 v 350 mV @ 100 Ma 30 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 42pf @ 0V、1MHz
1SS406,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS406、H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1SS406 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 20 v 550 mV @ 50 mA 500 NA @ 20 V 125°C （最大） 50ma 3.9pf @ 0V、1MHz
HN2S02FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN2S02FU 0.4900
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2S02 ショットキー US6 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
1SS404,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SS404、H3F 0.2000
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 1SS404 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 20 v 450 mV @ 300 Ma 50 µA @ 20 V 125°C （最大） 300mA 46pf @ 0V、1MHz
CLS03(TE16L,PSD,Q) Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 -
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
1SV285TPH3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV285TPH3F 0.0834
RFQ
 ECAD 9414 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV285 ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 4,000 2.35pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 2.3 C1/C4 -
DSF01S30SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DSF01S30SL 、L3F 0.3500
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 2-SMD 、リードなし DSF01S30 ショットキー SL2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 30 V 500 mV @ 100 Ma 50 µA @ 30 V 125°C （最大） 100mA 9.02pf @ 2V、1MHz
1SS193,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS193、Lf 0.2200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS193 標準 s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 80 v 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大） 100mA 3PF @ 0V、1MHz
CLH06(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh06 -
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH06 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 300 V 35 ns - 5a -
HN2S01FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2S01FUTE85LF 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2S01 ショットキー US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 10 v 100mA 500 mV @ 100 Ma 20 µA @ 10 V 125°C （最大）
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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