SIC
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ダイオード（421）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大） 電圧zener インピーダンス（最大）（ ZZT） 静電容量比 静電容量比条件 Q @ vr、f
1SS398TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS398TE85LF 0.5000
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS398 標準 s-mini ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 400 V 100mA 1.3 V @ 100 MA 500 ns 100 na @ 400 v 125°C （最大）
CRG03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crg03（TE85L -
RFQ
 ECAD 5772 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG03 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） CRG03 ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 400 V 1 V @ 1 a 10 µA @ 400 V -40°C〜150°C 1a -
CTS521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS521 、L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 191 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS521 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 30 V 500 mV @ 200 mA 30 µA @ 30 V 125°C （最大） 200mA 25pf @ 0V、1MHz
CLH03(TE16L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh03 -
RFQ
 ECAD 2672 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH03 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 400 V 35 ns - 3a -
1SS392,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS392、LF 0.3600
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS392 ショットキー SC-59 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
CRS09(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage CRS09 （TE85L -
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-123F CRS09 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 460 mV @ 1.5 a 50 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1.5a -
CLS03,LNITTOQ(O Toshiba Semiconductor and Storage CLS03 -
RFQ
 ECAD 6921 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLS03 ショットキー l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 10 a 1 MA @ 60 v -40°C〜125°C 10a 345pf @ 10V、1MHz
DSF05S30U(TPH3,F) Toshiba Semiconductor and Storage DSF05S30U -
RFQ
 ECAD 8061 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 DSF05 ショットキー USC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 500 Ma 125°C （最大） 500mA -
CRS03(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage crs03（TE85L 0.3900
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-123F CRS03 ショットキー s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 1 a 100 µA @ 30 V -40°C〜150°C 1a 40pf @ 10V、1MHz
HN2S03FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03FUTE85LF 0.4300
RFQ
 ECAD 560 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN2S03 ショットキー US6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 3独立 20 v 50ma 550 mV @ 50 mA 500 NA @ 20 V 125°C （最大）
HN1D03FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D03FTE85LF 0.4200
RFQ
 ECAD 66 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 HN1D03 標準 SC-74 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2ペアCA + CC 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SV325,H3F Toshiba Semiconductor and Storage 1SV325 、H3F 0.3800
RFQ
 ECAD 7628 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 125°C （TJ） 表面マウント SC-79、SOD-523 1SV325 ESC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.30.0080 4,000 12pf @ 4V、1MHz シングル 10 v 4.3 C1/C4 -
TRS8E65C,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65C、S1Q -
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 TRS8E65 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220-2L - ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 8 a 0 ns 90 µA @ 650 v 175°C （最大） 8a 44pf @ 650v、1MHz
CMS11(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS11 （TE12L -
RFQ
 ECAD 4213 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - カットテープ（CT） 廃止 表面マウント SOD-128 CMS11 ショットキー m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 40 v 550 mv @ 2 a 500 µA @ 40 V -40°C〜150°C 2a -
CMH07(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMH07 0.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-128 CMH07 標準 m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 2 a 100 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 2a -
CRY62(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cry62（TE85L 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±9.68％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-123F cry62 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 3 V 6.2 v 60オーム
CUS05F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cus05f30、H3f 0.3100
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05F30 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 450 mV @ 500 Ma 50 µA @ 30 V 500mA 120pf @ 0V、1MHz
CMZ13(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ13 0.5400
RFQ
 ECAD 4806 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ ±10％ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント SOD-128 CMZ13 2 W m-flat（2.4x3.8） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 mA 10 µA @ 9 V 13 v 30オーム
CTS05F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS05F40、L3F 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOD-882 CTS05F40 ショットキー CST2 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 10,000 高速回復= <500ns 40 v 810 mv @ 500 Ma 15 µA @ 40 V 150°C （最大） 500mA 28pf @ 0V、1MHz
CRZ30(TE85L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage crz30（TE85L -
RFQ
 ECAD 7496 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 ±10％ -40°C〜150°C 表面マウント SOD-123F CRZ30 700 MW s-flat（1.6x3.5） ダウンロード 1 （無制限） CRZ30TR-NDR ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 mA 10 µA @ 21 V 30 V 30オーム
TBAT54C,LM Toshiba Semiconductor and Storage tbat54c、lm 0.2100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 TBAT54 ショットキー SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 30 V 140ma 580 mV @ 100 Ma 1.5 ns 2 µA @ 25 V 150°C （最大）
CUS04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage cus04 -
RFQ
 ECAD 2743 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS04 ショットキー us-flat（1.25x2.5） ダウンロード ROHS準拠 cus04（TE85LQM ear99 8541.10.0080 4,000 高速回復= <500ns 60 V 580 mV @ 700 Ma 100 µA @ 60 V -40°C〜150°C 700MA 38pf @ 10V、1MHz
1SS226,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS226、LF 0.2300
RFQ
 ECAD 5380 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 1SS226 標準 s-mini - ROHS3準拠 1 （無制限） 264-1SS226、LFCT ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペアシリーズ接続 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
1SS424(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 1SS424 0.2200
RFQ
 ECAD 62 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-79、SOD-523 1SS424 ショットキー ESC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 8,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 20 v 500 mV @ 200 mA 50 µA @ 20 V 125°C （最大） 200mA 20pf @ 0V、1MHz
CRG04(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRG04 -
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 表面マウント SOD-123F CRG04 標準 s-flat（1.6x3.5） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 600 V 1.1 V @ 1 a 10 µA @ 600 V -40°C〜150°C 1a -
CLH05(TE16R,Q) Toshiba Semiconductor and Storage clh05 -
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 表面マウント l-flat™ CLH05 標準 l-flat™（4x5.5） ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 200 v 980 mV @ 5 a 35 ns 10 µA @ 200 v -40°C〜150°C 5a -
1SS301SU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301SU 、LF -
RFQ
 ECAD 1998年年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 1SS301 標準 SC-70 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 1ペア共通カソード 80 v 100mA 1.2 V @ 100 MA 4 ns 500 NA @ 80 V 125°C （最大）
HN2S02JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage hn2s02je（TE85L 0.4800
RFQ
 ECAD 3286 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-553 HN2S02 ショットキー ESV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 4,000 小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度 2独立 40 v 100mA 600 mV @ 100 Ma 5 µA @ 40 V 125°C （最大）
CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S30 、H3F 0.3100
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-76、SOD-323 CUS05S30 ショットキー USC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0070 3,000 高速回復= <500ns 30 V 340 mV @ 100 Ma 150 µA @ 10 V 125°C （最大） 500mA 55pf @ 0V、1MHz
TRS12V65H,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TRS12V65H 、LQ 3.2800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド sic （炭化シリコン）ショットキー 4-dfn-ep（8x8） - ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.35 V @ 12 a 0 ns 120 µA @ 650 v 175°C 12a 778pf @ 1V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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