画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Bzy55b3v6 | 0.0413 | ![]() | 1828年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-Bzy55b3v6tr | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.6 v | 85オーム | |||||||||||||||
![]() | KBP102G C2 | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbp | 標準 | KBP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 1 V @ 1 a | 10 µA @ 100 V | 1 a | 単相 | 100 V | |||||||||||||||
![]() | MTZJ24SC R0G | 0.0305 | ![]() | 7251 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ24 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 19 v | 23.72 v | 35オーム | |||||||||||||||
![]() | MTZJ33SD R0G | 0.0305 | ![]() | 6316 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ33 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 25 V | 32.3 v | 65オーム | |||||||||||||||
![]() | MTZJ24SB | 0.0305 | ![]() | 3861 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ag | MTZJ24 | 500 MW | DO-34 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MTZJ24SBTR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 200 Na @ 19 v | 23.19 v | 35オーム | |||||||||||||||
![]() | TS10P06GHD2G | - | ![]() | 7909 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS10P06 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 10 a | 10 µA @ 1000 v | 10 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | BZX584B11 rkg | - | ![]() | 3346 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | BZS55B22 RXG | - | ![]() | 4632 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 1206 (3216 メトリック) | BZS55 | 500 MW | 1206 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 100 Na @ 16 V | 22 v | 55オーム | ||||||||||||||
![]() | AZ23C27 RFG | 0.0786 | ![]() | 8671 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80オーム | ||||||||||||||
![]() | 2M120ZHB0G | - | ![]() | 4584 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | バルク | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M120 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 500 NA @ 91.2 v | 120 v | 325オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX55C3V0 A0G | - | ![]() | 3330 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 4 µA @ 1 V | 3 v | 85オーム | ||||||||||||||
![]() | MBRS1060CT-Y | 0.4428 | ![]() | 8335 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1060 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS1060CT-YTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 10a | 900 mV @ 10 a | 100 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | 6A100GHA0G | - | ![]() | 1458 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | R-6 、軸 | 6A100 | 標準 | R-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 700 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1 V @ 6 a | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 6a | 60pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | SFAF508GHC0G | - | ![]() | 3433 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SFAF508 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 5a | 70pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | SK53C | 0.1897 | ![]() | 2943 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SK53 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 30 V | 550 mv @ 5 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 5a | - | |||||||||||||
esglwhrvg | 0.4300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123W | esglw | 標準 | SOD-123W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 800 Ma | 35 ns | 1 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 800mA | 20pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | RS3G R6G | - | ![]() | 6602 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-RS3GR6GTR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.3 V @ 3 a | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||
![]() | MBRAD1045H | 0.8200 | ![]() | 8955 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRAD1045 | ショットキー | Thindpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 45 v | 750 mv @ 10 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | 10a | 490pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | SRAF1660HC0G | - | ![]() | 3378 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-2フルパック | SRAF1660 | ショットキー | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 16 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 16a | - | |||||||||||||
![]() | SF2001GHC0G | - | ![]() | 9875 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | SF2001 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 975 mV @ 10 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 20a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | 2A03G A0g | - | ![]() | 2911 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2A03 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1 V @ 2 a | 5 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | 1PGSMC5354 M6G | - | ![]() | 5172 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5354M6GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 12.9 v | 17 v | 3オーム | ||||||||||||||
![]() | SFA802GHC0G | - | ![]() | 5808 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | SFA802 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | 100pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | TSF20U100C | 2.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | TSF20 | ショットキー | ITO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 790 mV @ 10 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
Bzy55c3v3 | 0.0350 | ![]() | 4481 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | 0805 (2012 メトリック) | BZY55 | 500 MW | 0805 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZY55C3V3TR | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 10 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.3 v | 85オーム | |||||||||||||||
BZD27C91P RFG | - | ![]() | 6555 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.07% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 68 v | 90.5 v | 200オーム | |||||||||||||||
![]() | BZT52C5V6 | 0.0412 | ![]() | 8385 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C5V6TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 900 NA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | MBRS1545CT-Y | 0.4677 | ![]() | 3254 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MBRS1545 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-MBRS1545CT-YTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 45 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | RS2A | - | ![]() | 7959 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 標準 | do-214aa | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-RS2ATR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 2 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 50pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | AZ23C9V1 RFG | 0.0786 | ![]() | 9941 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 10オーム |
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