画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TS10P06GHD2G | - | ![]() | 7909 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、TS-6p | TS10P06 | 標準 | TS-6P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 V @ 10 a | 10 µA @ 1000 v | 10 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||
![]() | BZX584B11 rkg | - | ![]() | 3346 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584 | 150 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 8 V | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | BZX55C3V0 A0G | - | ![]() | 3330 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 4 µA @ 1 V | 3 v | 85オーム | ||||||||||||||
![]() | 1PGSMC5354 M6G | - | ![]() | 5172 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜175°C | 表面マウント | do-214ab 、mc | 1pgsmc | 5 W | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-1PGSMC5354M6GTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 NA @ 12.9 v | 17 v | 3オーム | ||||||||||||||
![]() | BZT52C5V6 | 0.0412 | ![]() | 8385 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123F | BZT52C | 500 MW | SOD-123F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZT52C5V6TR | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1 V @ 10 mA | 900 NA @ 2 V | 5.6 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | AZ23C9V1 RFG | 0.0786 | ![]() | 9941 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 7 V | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||||
bzd27c9v1p rtg | - | ![]() | 5298 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6.07% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 V @ 200 mA | 10 µA @ 5 V | 9.05 v | 4オーム | |||||||||||||||
BZD17C51Pラグ | - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5.88% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 39 v | 51 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | 2m62z | 0.1565 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | 2M62 | 2 W | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 500 NA @ 47.1 v | 62 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | HER3L05GH | 0.2535 | ![]() | 9080 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-her3l05ghtr | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.32 V @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 54pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | TSSD10L100SW | 0.8453 | ![]() | 2905 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | TSSD10 | ショットキー | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-TSSD10L100SWTR | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 800 mV @ 10 a | 50 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 10a | 540pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | bzt52c3v6k rkg | 0.0474 | ![]() | 2998 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | |||||||||||||||
![]() | 1SMB5946H | 0.1545 | ![]() | 9964 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | 1SMB5946 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 56 v | 75 v | 140オーム | |||||||||||||||
BZD27C27PHRFG | - | ![]() | 9029 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.03% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 1 W | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 v | 15オーム | |||||||||||||||
1SMA5949 R3G | - | ![]() | 4702 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1SMA5949 | 1.5 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 500 NA @ 76 v | 100 V | 250オーム | ||||||||||||||||
RS1MFSH | 0.0603 | ![]() | 8970 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-128 | rs1m | 標準 | SOD-128 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.3 V @ 1 a | 500 ns | 5 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | 7pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | SF31GH | - | ![]() | 3645 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | 標準 | DO-201AD | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-SF31GHTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,250 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZV55C11 L1G | - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 8.2 v | 11 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | SSL34 V7G | - | ![]() | 6832 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | SSL34 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 40 v | 500 µA @ 40 V | -55°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||||||
![]() | S3G R7 | - | ![]() | 1131 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-214ab 、mc | 標準 | do-214ab | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1801-S3GR7TR | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.15 V @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 3a | 60pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | bav19ws-g | 0.0334 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | bav19 | 標準 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-bav19ws-gtr | ear99 | 8541.10.0070 | 9,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 100 V | 1.25 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 Na @ 100 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5PF @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX85C12 R0G | 0.0645 | ![]() | 2393 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 10 mA | 500 NA @ 9.1 v | 12 v | 9オーム | ||||||||||||||
BZD17C27P RVG | 0.2625 | ![]() | 3070 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±7.03% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 v | 15オーム | |||||||||||||||
![]() | BZV55B3V6 | 0.0357 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55B | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55B3V6TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 100 MA | 2 µA @ 1 V | 3.6 v | 85オーム | ||||||||||||||
![]() | BZV55C43 | 0.0333 | ![]() | 8111 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZV55C | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BZV55C43TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 32 v | 43 v | 90オーム | ||||||||||||||
![]() | BAW56 | 0.0342 | ![]() | 5425 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAW56 | 標準 | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-baw56tr | ear99 | 8541.10.0070 | 9,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 70 v | 200mA | 1.25 V @ 150 MA | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | PE2DBH | 0.4200 | ![]() | 1915年年 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | PE2D | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 2 a | 20 ns | 2 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 2a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | MBRAD15150H | 1.0200 | ![]() | 2868 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | MBRAD15150 | ショットキー | Thindpak | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 950 mV @ 15 a | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 15a | 291pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||||||
![]() | BZT55C56 L1G | - | ![]() | 9787 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BZT55 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 10 mA | 100 Na @ 42 v | 56 v | 135オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N5228B | 0.0271 | ![]() | 2788 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 200°C (TJ) | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 1N5228 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-1N5228btr | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23オーム |
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