画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYV29B-500,118 | 1.0100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv29 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.25 V @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150°C (最大) | 9a | - | |||||||
![]() | BYV34-500,127 | 1.6700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv34 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 20a | 1.35 V @ 20 a | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150°C (最大) | |||||||
![]() | BYC10B-600,118 | 0.5445 | ![]() | 4641 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byc10 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 10 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||||
![]() | BYR29-800,127 | 0.4785 | ![]() | 4756 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | BYR29 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.5 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 800 V | 150°C (最大) | 8a | - | |||||||
![]() | byv29x-500,127 | 0.4290 | ![]() | 8271 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv29 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.25 V @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150°C (最大) | 9a | - | |||||||
![]() | BYV74W-400,127 | 1.1897 | ![]() | 6692 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byv74 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 400 V | 30a | 1.36 V @ 30 a | 60 ns | 50 µA @ 400 V | 150°C (最大) | |||||||
![]() | BYV32E-200,127 | 1.3500 | ![]() | 17 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 30 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||||
![]() | BYV410-600,127 | 1.6000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv410 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 2.1 V @ 10 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | |||||||
![]() | NXPSC10650B6J | 6.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | NXPSC08650D6J | 4.7400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | NXPLQSC106506Q | 2.1450 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | NXPLQSC | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072074127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.85 V @ 10 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 10a | 250pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | NXPSC04650X6Q | 2.7000 | ![]() | 6191 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072079127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 4a | 130pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | NXPSC106506Q | 6.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072075127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | NXPSC20650W6Q | 8.6300 | ![]() | 707 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072090127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | |||||||
![]() | BYC100W-1200PQ | 4.3904 | ![]() | 2829 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | Eepp™ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc100 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | 適用できない | 934072041127 | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 100 a | 90 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 100a | - | |||||||
![]() | WNSC04650T6J | 1.0313 | ![]() | 1979年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 4a | 141pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC10650T6J | 1.9470 | ![]() | 4172 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 10a | 328pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC2D10650TJ | 2.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 310pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | WNSC12650WQ | 2.5579 | ![]() | 4943 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-WNSC12650WQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C | 12a | 328pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC2D04650XQ | 1.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D04650XQ | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 125pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC10650WQ | 1.8808 | ![]() | 4854 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 1740-WNSC10650WQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 328pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC12650T6J | 3.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.8 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C | 12a | 328pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | WNSC2D101200WQ | 4.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D101200Q | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C | 10a | 490pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | byc75w-600pt2q | 2.8800 | ![]() | 600 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 1740-byc75w-600pt2q | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 75 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 75a | - | |||||||
![]() | byv60w-600pt2q | 2.8700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 1740-byv60w-600pt2q | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 60 a | 79 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 60a | - | |||||||
byv5ed-600pj | 0.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 5a | - | |||||||||
![]() | mur860j | 0.5300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR860 | 標準 | SMC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 8 a | 90 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 8a | - | |||||||
![]() | BYT28-500,127 | 0.5574 | ![]() | 1250 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | BYT28 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 10a | 1.4 V @ 10 a | 60 ns | 10 µA @ 500 V | 150°C (最大) | |||||||
![]() | WDMF75M16T | 25.7984 | ![]() | 2484 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | WDMF75 | 標準 | WMM01 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 1.25 V @ 75 a | 50 µA @ 1600 v | 75 a | 3フェーズ | 1.6 kV | |||||||||
![]() | WNSC5D066506Q | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D066506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 6a | 201pf @ 1V、1MHz |
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