画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
WNS20S100CXQ | 0.2805 | ![]() | 9647 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WNS20 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||||||
![]() | nur460p/l04u | - | ![]() | 4737 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934067362112 | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.05 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 4a | - | |||||||
![]() | byc30dw-600pq | 1.2888 | ![]() | 7925 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc30 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072031127 | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.3 V @ 30 a | 33 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||||
![]() | WB75FC120ALZ | 1.8128 | ![]() | 6110 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WB75 | 標準 | ウェーハ | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 75 a | 85 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 75a | - | ||||||||||
byv5ed-600pj | 0.4500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 5a | - | ||||||||||
![]() | NXPSC08650B6J | 4.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | NXPLQSC106506Q | 2.1450 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | NXPLQSC | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072074127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.85 V @ 10 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 10a | 250pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC2D04650XQ | 1.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D04650XQ | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 125pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | NXPSC08650BJ | - | ![]() | 1864年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070004118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC5D20650CW6Q | - | ![]() | 1487 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | - | 1740-WNSC5D20650CW6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | |||||||||
![]() | byc10dx-600,127 | 0.9700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc10 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.5 V @ 10 a | 18 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | ||||||||
![]() | NXPS20H110C、127 | - | ![]() | 7764 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | NXPS20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 110 v | 10a | 770 mV @ 10 a | 6 µA @ 110 v | 175°C (最大) | |||||||||
![]() | WNSC2D10650TJ | 2.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 310pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WDMF75M16T | 25.7984 | ![]() | 2484 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | WDMF75 | 標準 | WMM01 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 1.25 V @ 75 a | 50 µA @ 1600 v | 75 a | 3フェーズ | 1.6 kV | ||||||||||
![]() | byq60w-600pt2q | 2.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byq60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-byq60w-600pt2q | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 60a | - | |||||||
![]() | byc75w-600pt2q | 2.8800 | ![]() | 600 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 1740-byc75w-600pt2q | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 75 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 75a | - | ||||||||
![]() | byc8dx-600,127 | 0.9300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc8 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.9 V @ 8 a | 20 ns | 40 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 8a | - | ||||||||
![]() | WNSC5D086506Q | - | ![]() | 4911 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D086506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | 267pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | WNSC5D08650X6Q | - | ![]() | 4656 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D08650X6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | 267pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | byc10x-600,127 | 1.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc10 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 10 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | ||||||||
![]() | BYC20-600,127 | 0.8580 | ![]() | 2011年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc20 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 20 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 20a | - | ||||||||
![]() | WB75FC65ALZ | 1.2113 | ![]() | 2969 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WB75 | 標準 | ウェーハ | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 650 V | 2.75 V @ 75 a | 50 ns | 10 µA @ 650 v | 175°C | 75a | - | ||||||||||
![]() | OB2052V | - | ![]() | 2423 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | * | チューブ | 廃止 | OB2052 | - | 1 (無制限) | 934070134005 | 廃止 | 0000.00.0000 | 63,243 | ||||||||||||||||||||
![]() | NXPSC106506Q | 6.0000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072075127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | BYV29B-500,118 | 1.0100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv29 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.25 V @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150°C (最大) | 9a | - | ||||||||
![]() | nur460p/l05u | - | ![]() | 6942 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 1.5 v | - | 4a | - | ||||||||
![]() | BYC60W-1200PQ | 3.3854 | ![]() | 3177 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 60 a | 96 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 60a | - | ||||||||||
![]() | BYC5-600,127 | 0.8700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc5 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | ||||||||
![]() | NXPSC10650B6J | 6.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | WNSC2D051200D6J | 0.7632 | ![]() | 5175 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 5 a | 0 ns | 25 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 5a | 260pf @ 1V、1MHz |
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