画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYT28-500,127 | 0.5574 | ![]() | 1250 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | BYT28 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 10a | 1.4 V @ 10 a | 60 ns | 10 µA @ 500 V | 150°C (最大) | |||||||
![]() | WDMF75M16T | 25.7984 | ![]() | 2484 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | WDMF75 | 標準 | WMM01 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 8 | 1.25 V @ 75 a | 50 µA @ 1600 v | 75 a | 3フェーズ | 1.6 kV | |||||||||
![]() | WNSC5D066506Q | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D066506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 6a | 201pf @ 1V、1MHz | ||||||||
WNSC6D08650Q | 1.5900 | ![]() | 3905 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D08650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 8 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 8a | 402pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC2D20650CWQ | 5.1300 | ![]() | 480 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D20650CWQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | |||||||
![]() | byq60w-600pt2q | 2.8400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byq60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-byq60w-600pt2q | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 60a | - | ||||||
![]() | WNSC2D06650Q | 1.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D06650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 198pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | WN3S40H100CQ | 1.0500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S40 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 710 mv @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||||
WN3S40H100CXQ | 1.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S40 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 710 mv @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||
![]() | WN3S40100CQ | 0.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S40 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 780 mV @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||||
WN3S30100CXQ | 0.8700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S301 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 770 mV @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||
WN3S20H150CXQ | 0.7900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S20 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 1.1 V @ 10 a | 50 µA @ 150 v | 150°C | ||||||||||
![]() | WNSC5D06650T6J | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | 1740-WNSC5D06650T6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 6a | 201pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC5D08650X6Q | - | ![]() | 4656 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D08650X6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | 267pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC5D06650X6Q | - | ![]() | 8729 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D06650X6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 6a | 201pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC5D30650CW6Q | - | ![]() | 9895 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | - | 1740-WNSC5D30650CW6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 30a | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | ||||||||
![]() | WNSC5D20650CW6Q | - | ![]() | 1487 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | - | 1740-WNSC5D20650CW6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 20 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | ||||||||
![]() | WNSC5D10650X6Q | - | ![]() | 1726 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D10650X6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC5D10650B6J | - | ![]() | 5688 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D10650B6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC5D086506Q | - | ![]() | 4911 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D086506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | 267pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC208006Q | - | ![]() | 5632 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 800 V | 1.7 V @ 20 a | 0 ns | 450 µA @ 800 V | 175°C | 20a | 655pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | WNSC5D04650D6J | - | ![]() | 6469 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D04650D6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 138pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WND35P08Q | 0.5644 | ![]() | 1911年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WND35 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.4 V @ 35 a | 50 µA @ 600 V | -40°C〜150°C | 35a | - | ||||||||||
![]() | WB35SD160ALZ | 0.6908 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WB35 | 標準 | ウェーハ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.2 V @ 35 a | 50 µA @ 1600 v | 150°C | 35a | - | ||||||||||
![]() | WBSF30FC120ALV | 1.2113 | ![]() | 1167 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WBSF30 | 標準 | ウェーハ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.5 V @ 30 a | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 30a | - | |||||||||
![]() | BYV410-600PQ | 0.4219 | ![]() | 9831 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv410 | 標準 | TO-220E | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | |||||||||
![]() | BYC60W-1200PQ | 3.3854 | ![]() | 3177 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 60 a | 96 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 60a | - | |||||||||
![]() | WNSC2D301200W6Q | 5.3483 | ![]() | 9168 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 30 a | 0 ns | 150 µA @ 1.2 kV | -55°C〜175°C | 30a | 1407pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | WNSC2D401200W6Q | 7.1044 | ![]() | 5248 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 40 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 40a | 2068pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | WNSC2D021200D6J | 0.3699 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 2 a | 0 ns | 10 µA @ 1200 v | 175°C | 2a | 95pf @ 1V、1MHz |
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