画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYC5D-500,127 | 0.3960 | ![]() | 5339 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc5 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2 V @ 5 a | 16 ns | 40 µA @ 500 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||
WNSC6D20650WQ | 6.6800 | ![]() | 529 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D20650WQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C | 20a | 1200pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | byv29g-600pq | 0.3135 | ![]() | 8259 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv29 | 標準 | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072013127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | ||||
WNSC6D10650Q | 3.2800 | ![]() | 945 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D10650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.45 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 500pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC2D201200CW6Q | 4.1890 | ![]() | 5335 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 20a | 1.65 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C | |||||||
![]() | byc30w-600pq | 2.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc30 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 22 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||
![]() | WNSC2D08650TJ | 1.2300 | ![]() | 3930 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | nur460pu | - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934067058112 | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | - | 4a | - | ||||
![]() | NXPSC04650BJ | - | ![]() | 8157 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070002118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 4a | 130pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | BYC5B-600,118 | 0.5610 | ![]() | 4615 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byc5 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||
![]() | BYV430K-300PQ | 1.4276 | ![]() | 7440 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | byv430 | 標準 | to-3p | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069531127 | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 30a | 1.25 V @ 30 a | 55 ns | 10 µA @ 300 V | 175°C (最大) | |||||
![]() | NXPSC10650BJ | - | ![]() | 4322 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070005118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | BYR29X-600,127 | 0.5610 | ![]() | 7922 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | BYR29 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 8a | - | |||||
![]() | byv30b-600pj | 1.2375 | ![]() | 8459 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv30 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070884118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.55 V @ 30 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||
![]() | WNSC101200Q | 5.1150 | ![]() | 2927 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 10a | 510pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | byc5x-600,127 | 0.4950 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc5 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||
![]() | BYV60W-600PQ | 3.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byv60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934069533127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 60a | - | ||||
![]() | WNSC6D16650CW6Q | 4.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.45 V @ 16 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C | 16a | 780pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC2D06650DJ | 1.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 198pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | byc30wt-600pq | 2.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byc30 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068091127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 22 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | ||||
![]() | WNSC08650T6J | 1.7160 | ![]() | 6617 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 267pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | BYV42EB-200,118 | 1.6800 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv42 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 1.2 V @ 30 a | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||
NXPSC06650Q | - | ![]() | 8998 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | nurs360bj | - | ![]() | 2146 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | DO-214AA、SMB | nurs360 | 標準 | SMB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934067461118 | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1 V @ 3 a | 75 ns | 175°C (最大) | 3a | - | |||||
![]() | WNSC2D0512006Q | 0.8343 | ![]() | 8420 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 5 a | 0 ns | 25 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 5a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | BYV32E-150,127 | 1.3100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 30 µA @ 150 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | byc30w-600pt2q | 2.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc30 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072030127 | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 34 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | ||||
![]() | WNS20S100CQ | 0.7200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WNS20 | ショットキー | TO-220E | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934072011127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | WNSC5D10650W6Q | - | ![]() | 4282 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | - | 1740-WNSC5D10650W6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | BYC75W-1200PQ | 6.0000 | ![]() | 888 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc75 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934072042127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 85 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 75a | - |
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