画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYV430W-300PQ | 1.4871 | ![]() | 9908 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byv430 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069529127 | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 30a | 1.25 V @ 30 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | 175°C (最大) | |||||||
![]() | BYV60W-600PSQ | 2.0689 | ![]() | 1643 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byv60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 60a | - | |||||||||
WNSC6D06650Q | 1.2375 | ![]() | 9878 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D06650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 6 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 327pf @ 1V、1MHz | ||||||||
WNSC6D04650Q | 0.9000 | ![]() | 8930 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D04650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 4 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 233pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNB2560MQ | 1.6165 | ![]() | 1893 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | 4-sip、gbj | WNB2560 | 標準 | GBJS | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 920 mv @ 12.5 a | 10 µA @ 600 V | 25 a | 単相 | 600 V | |||||||||||
NXPSC04650DJ | - | ![]() | 2836 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 4a | 130pf @ 1V、1MHz | ||||||||
NXPS20H100CX 、127 | - | ![]() | 6734 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | NXPS20 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 770 mV @ 10 a | 4.5 mA @ 100 V | 175°C (最大) | |||||||||
BYV29D-600PJ | 0.6400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv29 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | ||||||||
![]() | murs160bj | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | murs1 | 標準 | SMB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | 175°C (最大) | 1a | - | |||||||
![]() | byq42e-200q | 0.6270 | ![]() | 1193 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byq42 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069644127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 a | 25 ns | 20 µA @ 200 v | 150°C (最大) | |||||||
![]() | BYQ28E-200,127 | 0.7600 | ![]() | 509 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byq28 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.25 V @ 10 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) | |||||||
![]() | BYV44-500,127 | 1.8400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv44 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 30a | 1.36 V @ 30 a | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150°C (最大) | |||||||
![]() | BYV25FB-600,118 | 0.4620 | ![]() | 8436 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv25 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||
![]() | WNSC2D06650TJ | 1.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 198pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | BYV25FX-600,127 | 0.3465 | ![]() | 1669 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv25 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||||
![]() | byv72ew-200,127 | 1.9400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byv72 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.2 V @ 30 a | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||||
![]() | byc60w-600pq | 3.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934069532127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.6 V @ 60 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 60a | - | ||||||
![]() | NXPSC126506Q | 3.4650 | ![]() | 6107 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 12a | 380pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WNSC2D10650Q | 2.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D10650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 310pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC2D0212006Q | - | ![]() | 5726 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC2D0212006Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 2 a | 0 ns | 10 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 2a | 95pf @ 1V、1MHz | ||||||||
![]() | WND35P12BJ | 1.6000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WND35 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.4 V @ 35 a | 50 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 35a | - | |||||||||
![]() | wnd10p08xq | 0.8900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WND10 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 10 a | 10 µA @ 800 V | 150°C | 10a | - | ||||||||
![]() | byv32eb-300pj | 0.6237 | ![]() | 7112 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv32 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 20a | 1.25 V @ 10 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | 175°C (最大) | |||||||
![]() | BYV29B-600PJ | 0.4125 | ![]() | 8437 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv29 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072015118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | ||||||
WNSC2D401200CWQ | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 40a | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 v | 175°C | |||||||||
byv410x-600pq | 1.3100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byv410 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.75 V @ 16 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | ||||||||
![]() | WNS40H100C、127 | 0.4247 | ![]() | 3137 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WNS40 | ショットキー | TO-220E | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 710 mv @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||||
![]() | WBST080SCM120CGALW | 11.6617 | ![]() | 9134 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | WBST080 | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
BYV410X-600,127 | 1.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byv410 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 10a | 2.1 V @ 10 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | ||||||||
![]() | byv29x-600,127 | 0.9700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv29 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.26 V @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - |
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