画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | murs160j | 0.4000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | スマエ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | 175°C | 1a | - | ||||||
![]() | WNSC04650LJ | - | ![]() | 6166 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 141pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | NXPSC10650x6Q | 6.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072089127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC2D04650DJ | 1.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 125pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | BYC15-600,127 | 1.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc15 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 15 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 15a | - | |||||
![]() | WNSC5D08650T6J | - | ![]() | 2007年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | 1740-WNSC5D08650T6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 8a | 267pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | WNSC5D04650X6Q | - | ![]() | 5301 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D04650X6Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 138pf @ 1V、1MHz | ||||||
WNSC2D30650CWQ | 6.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 30a | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | |||||||
![]() | byv29-600pq | 0.2970 | ![]() | 3958 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv29 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072012127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | ||||
![]() | WNSC101200WQ | 5.4441 | ![]() | 8880 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 10a | 510pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | NXPSC206506Q | 7.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072076127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 20 a | 0 ns | 500 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 20a | 600pf @ 1V、1MHz | |||||
byc30-1200pq | 1.1550 | ![]() | 3865 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc30 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072004127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 30 a | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 30a | - | ||||||
![]() | byv30w-600pt2q | 1.0905 | ![]() | 7638 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byv30 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.55 V @ 30 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | |||||||
![]() | WNSC2D04650Q | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D04650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 125pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | NXPSC04650B6J | 2.7400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 4a | 130pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | byc30x-600p、127 | 2.7400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc30 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 30 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||
![]() | WNSC2D12650TJ | 3.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C | 12a | 380pf @ 1V、1MHz | ||||||
NXPLQSC10650Q | - | ![]() | 1984年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | NXPLQSC | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.85 V @ 10 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 10a | 250pf @ 1V、1MHz | |||||||
BYV34X-600,127 | 1.6700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byv34 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.36 V @ 10 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | ||||||
nur460/l03,112 | - | ![]() | 9309 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.28 V @ 4 a | 65 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 4a | - | ||||||
![]() | byc8x-600,127 | 1.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc8 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.9 V @ 8 a | 52 ns | 150 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 8a | - | |||||
![]() | WNSC201200CWQ | 9.8340 | ![]() | 9464 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 20a | 510pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNC3060D45160WQ | 2.2193 | ![]() | 4904 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | WNC3060 | - | 600 | |||||||||||||||||||||
![]() | byc5dx-500,127 | 0.4125 | ![]() | 1052 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc5 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2 V @ 5 a | 16 ns | 40 µA @ 500 V | 150°C (最大) | 5a | - | |||||
![]() | BYQ30E-200,127 | 1.0200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byq30 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 16a | 1.25 V @ 16 a | 25 ns | 30 µA @ 200 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | byq28e-200/h、127 | 0.7600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byq28 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.25 V @ 10 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) | |||||
![]() | byc5x-600pq | 1.1200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc5 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.3 V @ 5 a | 25 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 5a | - | |||||
![]() | WNSC2D301200CW6Q | 5.6835 | ![]() | 3501 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 30a | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175°C | |||||||
NXPSC08650Q | - | ![]() | 9977 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | WNSC101200CWQ | 6.4099 | ![]() | 1793 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 5 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 10a | 250pf @ 1V、1MHz |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫