SIC
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ダイオード（ 390）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース（ VR ）（最大） 現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり） 電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if 逆回復時間（ trr） 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正（ io） 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース（最大）
NXPSC06650Q WeEn Semiconductors NXPSC06650Q -
RFQ
 ECAD 8998 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ 前回購入します 穴を通して TO-220-2 nxpsc sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220AC ダウンロード 適用できない ear99 8541.10.0080 1,000 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 6 a 0 ns 200 µA @ 650 V 175°C （最大） 6a 190pf @ 1V、1MHz
NXPSC08650Q WeEn Semiconductors NXPSC08650Q -
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ 前回購入します 穴を通して TO-220-2 nxpsc sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220AC ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1,000 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 8 a 0 ns 230 µA @ 650 v 175°C （最大） 8a 260pf @ 1V、1MHz
WNSC5D08650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D08650T6J -
RFQ
 ECAD 2007年 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 4-VSFN露出パッド WNSC5 sic （炭化シリコン）ショットキー 5-dfn （8x8） - 1740-WNSC5D08650T6JTR ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 v -55°C〜175°C 8a 267pf @ 1V、1MHz
WNSC2D0212006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0212006Q -
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220AC - 1740-WNSC2D0212006Q ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.6 V @ 2 a 0 ns 10 µA @ 1200 v -55°C〜175°C 2a 95pf @ 1V、1MHz
WNSC5D04650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D04650X6Q -
RFQ
 ECAD 5301 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC5 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220AC - 1740-WNSC5D04650X6Q ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 4 a 0 ns 20 µA @ 650 v -55°C〜175°C 4a 138pf @ 1V、1MHz
WNSC5D10650W6Q WeEn Semiconductors WNSC5D10650W6Q -
RFQ
 ECAD 4282 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-2 WNSC5 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-2 - 1740-WNSC5D10650W6Q ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 v -55°C〜175°C 10a 323pf @ 1V、1MHz
WNSC04650LJ WeEn Semiconductors WNSC04650LJ -
RFQ
 ECAD 6166 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） 前回購入します 表面マウント 4-VSFN露出パッド WNSC0 sic （炭化シリコン）ショットキー 5-dfn （8x8） - ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 4 a 0 ns 25 µA @ 650 v 175°C 4a 141pf @ 1V、1MHz
WNSC2D201200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D201200CW6Q 4.1890
RFQ
 ECAD 5335 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 WNSC2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ear99 8541.10.0080 600 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 20a 1.65 V @ 10 a 0 ns 110 µA @ 1200 V 175°C
WBST080SCM120CGALW WeEn Semiconductors WBST080SCM120CGALW 11.6617
RFQ
 ECAD 9134 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ WBST080 - 1
BYV60W-600PSQ WeEn Semiconductors BYV60W-600PSQ 2.0689
RFQ
 ECAD 1643 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-247-2 byv60 標準 TO-247-2 ダウンロード ear99 8541.10.0080 600 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 60 a 55 ns 10 µA @ 600 V 175°C 60a -
WNSC2D301200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D301200CW6Q 5.6835
RFQ
 ECAD 3501 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-247-3 WNSC2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ear99 8541.10.0080 600 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 30a 1.7 V @ 15 a 0 ns 150 µA @ 1200 V 175°C
BYC30Y-600PQ WeEn Semiconductors byc30y-600pq 0.9132
RFQ
 ECAD 1903 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 byc30 標準 IITO-220-2L ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 600 V 2.75 V @ 30 a 35 ns 10 µA @ 600 V 175°C 30a -
WB45SD160ALZ WeEn Semiconductors WB45SD160ALZ 0.8063
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 死ぬ WB45 標準 ウェーハ - ear99 8541.10.0080 1 標準回復> 500ns 1600 v 1.4 V @ 45 a 50 µA @ 1600 v 150°C 45a -
WNC3060D45160WQ WeEn Semiconductors WNC3060D45160WQ 2.2193
RFQ
 ECAD 4904 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ WNC3060 - 600
WNB2560MQ WeEn Semiconductors WNB2560MQ 1.6165
RFQ
 ECAD 1893 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して 4-sip、gbj WNB2560 標準 GBJS ダウンロード ear99 8541.10.0080 600 920 mv @ 12.5 a 10 µA @ 600 V 25 a 単相 600 V
BYV72EW-200,127 WeEn Semiconductors byv72ew-200,127 1.9400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 byv72 標準 TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 15a 1.2 V @ 30 a 28 ns 100 µA @ 200 V 150°C （最大）
BYT79X-600,127 WeEn Semiconductors BYT79X-600,127 1.4600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ BYT79 標準 TO-220FP ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 1.38 V @ 15 a 60 ns 50 µA @ 600 V 150°C （最大） 15a -
NXPSC06650XQ WeEn Semiconductors NXPSC06650XQ -
RFQ
 ECAD 7121 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ 前回購入します 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ nxpsc sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220F ダウンロード 1 （無制限） 934070152127 ear99 8541.10.0080 1,000 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 6 a 0 ns 200 µA @ 650 V 175°C （最大） 6a 190pf @ 1V、1MHz
BYC60W-600PQ WeEn Semiconductors byc60w-600pq 3.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-2 byc60 標準 TO-247-2 ダウンロード ROHS準拠 適用できない 934069532127 ear99 8541.10.0080 30 高速回復= <500ns 600 V 2.6 V @ 60 a 50 ns 10 µA @ 600 V 175°C （最大） 60a -
NXPSC04650B6J WeEn Semiconductors NXPSC04650B6J 2.7400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） 前回購入します 表面マウント TO-263-3 nxpsc sic （炭化シリコン）ショットキー d2pak ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 800 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 4 a 0 ns 170 µA @ 650 v 175°C （最大） 4a 130pf @ 1V、1MHz
BYC5D-500,127 WeEn Semiconductors BYC5D-500,127 0.3960
RFQ
 ECAD 5339 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 byc5 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 500 V 2 V @ 5 a 16 ns 40 µA @ 500 V 150°C （最大） 5a -
WNS40H100CBJ WeEn Semiconductors WNS40H100CBJ 1.6100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-263-3 WNS40 ショットキー d2pak ダウンロード ROHS準拠 適用できない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 20a 710 mv @ 20 a 50 µA @ 100 V 150°C （最大）
BYQ28ED-200PLJ WeEn Semiconductors byq28ed-200plj 0.2640
RFQ
 ECAD 2745 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント to-252-3 byq28 標準 dpak ダウンロード 1 （無制限） 934072019118 ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 10a 1.1 V @ 10 a 25 ns 10 µA @ 200 v 150°C （最大）
WNSC6D16650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC6D16650CW6Q 4.5600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 WNSC6 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 650 V 1.45 V @ 16 a 0 ns 80 µA @ 650 v 175°C 16a 780pf @ 1V、1MHz
NXPSC08650DJ WeEn Semiconductors NXPSC08650DJ -
RFQ
 ECAD 6977 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） 前回購入します 表面マウント to-252-3 nxpsc sic （炭化シリコン）ショットキー dpak ダウンロード 1 （無制限） 934070008118 ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 8 a 0 ns 230 µA @ 650 v 175°C （最大） 8a 260pf @ 1V、1MHz
MURS160BJ WeEn Semiconductors murs160bj 0.4300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB murs1 標準 SMB ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 600 V 1.25 V @ 1 a 75 ns 5 µA @ 600 v 175°C （最大） 1a -
WNS40H100C,127 WeEn Semiconductors WNS40H100C、127 0.4247
RFQ
 ECAD 3137 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-3 WNS40 ショットキー TO-220E ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 20a 710 mv @ 20 a 50 µA @ 100 V 150°C
WNSC2D0512006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0512006Q 0.8343
RFQ
 ECAD 8420 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-220AC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,000 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.6 V @ 5 a 0 ns 25 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 5a 260pf @ 1V、1MHz
WNSC201200CWQ WeEn Semiconductors WNSC201200CWQ 9.8340
RFQ
 ECAD 9464 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ 前回購入します 穴を通して TO-247-3 WNSC2 sic （炭化シリコン）ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.6 V @ 10 a 0 ns 110 µA @ 1200 V 175°C （最大） 20a 510pf @ 1V、1MHz
BYV30W-600PT2Q WeEn Semiconductors byv30w-600pt2q 1.0905
RFQ
 ECAD 7638 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-247-2 byv30 標準 TO-247-2 ダウンロード ear99 8541.10.0080 600 高速回復= <500ns 600 V 1.55 V @ 30 a 75 ns 10 µA @ 600 V 175°C 30a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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