画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WND35P12BJ | 1.6000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WND35 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 1200 v | 1.4 V @ 35 a | 50 µA @ 1200 V | -40°C〜150°C | 35a | - | ||||||
![]() | WNSC2D08650Q | 2.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D08650Q | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | |||
NXPSC08650DJ | - | ![]() | 6977 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070008118 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | |||||
byc30-1200pq | 1.1550 | ![]() | 3865 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc30 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072004127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 30 a | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||
BYV410X-600,127 | 1.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byv410 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 10a | 2.1 V @ 10 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | byc5x-600,127 | 0.4950 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc5 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | ||||
![]() | BYV29FX-600,127 | 0.9700 | ![]() | 88 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv29 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | ||||
![]() | BYC15-600,127 | 1.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc15 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 15 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 15a | - | ||||
WNSC6D20650WQ | 6.6800 | ![]() | 529 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC6D20650WQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 20 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C | 20a | 1200pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | NXPSC086506Q | 4.8000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072073127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 260pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | WNSC04650LJ | - | ![]() | 6166 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 141pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | byc30wt-600pq | 2.5100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byc30 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934068091127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 22 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||
![]() | byc60w-600pq | 3.3000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc60 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934069532127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.6 V @ 60 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 60a | - | |||
![]() | WNSC08650T6J | 1.7160 | ![]() | 6617 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 8a | 267pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | BYC75W-1200PQ | 6.0000 | ![]() | 888 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc75 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934072042127 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 85 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 75a | - | ||||
![]() | NXPSC06650XQ | - | ![]() | 7121 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070152127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | byv29g-600pq | 0.3135 | ![]() | 8259 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv29 | 標準 | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072013127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 9a | - | |||
![]() | BYV42EB-200,118 | 1.6800 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv42 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 30a | 1.2 V @ 30 a | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||||
NXPS20S100CX 、127 | - | ![]() | 8494 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | NXPS20 | ショットキー | TO-220F | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067128127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 580 mV @ 3 a | 3 µA @ 100 V | 175°C (最大) | |||||
![]() | byv72ew-200,127 | 1.9400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byv72 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.2 V @ 30 a | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | WNSC2D12650TJ | 3.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C | 12a | 380pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNS20S100CQ | 0.7200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WNS20 | ショットキー | TO-220E | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934072011127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | byc20x-600pq | 1.9200 | ![]() | 12 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc20 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934067355127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.5 V @ 20 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 20a | - | |||
![]() | byc8x-600,127 | 1.1200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc8 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.9 V @ 8 a | 52 ns | 150 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 8a | - | ||||
![]() | BYV44-500,127 | 1.8400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv44 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 30a | 1.36 V @ 30 a | 60 ns | 50 µA @ 500 V | 150°C (最大) | ||||
![]() | BYR29X-600,127 | 0.5610 | ![]() | 7922 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | BYR29 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.7 V @ 8 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 8a | - | ||||
![]() | BYT79X-600,127 | 1.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | BYT79 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.38 V @ 15 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 15a | - | ||||
![]() | murs160bj | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | murs1 | 標準 | SMB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA @ 600 v | 175°C (最大) | 1a | - | ||||
![]() | WNS30H100CBJ | 1.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNS30 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 710 mv @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | BYV42E-150,127 | 1.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv42 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 30a | 1.2 V @ 30 a | 28 ns | 100 µA @ 150 V | 150°C (最大) |
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