画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC2D10650BJ | 2.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 310pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | murs360bj | 0.4600 | ![]() | 44 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | murs3 | 標準 | SMB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 3 a | 50 ns | 3 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 3a | - | |||||
![]() | WNSC2D101200D6J | 1.3300 | ![]() | 8173 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 10a | 481pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | WNSC2D101200W6Q | 1.9150 | ![]() | 6055 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C | 10a | 490pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | BYC40W-1200PQ | 1.8808 | ![]() | 1282 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc40 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 40 a | 91 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 40a | - | |||||||
![]() | WB60FV60ALZ | 1.1948 | ![]() | 7510 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WB60 | 標準 | ウェーハ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 60a | - | |||||||
![]() | WN3S30H100CQ | 0.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S30 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 710 mv @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||
![]() | WNSC5D10650D6J | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D10650D6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | wnd35p08xq | 0.5480 | ![]() | 5262 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WND35 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.4 V @ 35 a | 50 µA @ 1600 v | -40°C〜150°C | 35a | - | ||||||||
WNSC6D20650CW6Q | 5.3200 | ![]() | 465 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.45 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | |||||||
![]() | WND08P16XQ | 0.3878 | ![]() | 1749 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WND08 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.2 V @ 8 a | 50 µA @ 1600 v | 150°C | 8a | - | ||||||
![]() | WNSC2D1012006Q | 1.4521 | ![]() | 4911 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 10a | 481pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | WNSC2D401200CW6Q | 6.9000 | ![]() | 9359 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 40a | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 200 µA @ 2000 v | 175°C | ||||||
![]() | NXPSC066506Q | 3.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072072127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC5D046506Q | - | ![]() | 8122 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D046506Q | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 138pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | mur320j | 0.1183 | ![]() | 7804 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR320 | 標準 | SMC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 875 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | 175°C | 3a | - | |||||||
![]() | WNS20H100CBJ | 0.8500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNS20 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 750 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||
![]() | NUR460P/L01U | - | ![]() | 1190 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934067358112 | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.05 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 4a | - | ||||
![]() | byv32e-200pq | 0.5940 | ![]() | 4153 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069527127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 850 mv @ 8 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | 175°C (最大) | |||||
BYT28X-500Q | 0.3767 | ![]() | 4290 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BYT28 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 10a | 1.4 V @ 5 a | 60 ns | 10 µA @ 500 V | 150°C | ||||||||
![]() | wnsc2d151200wq | 6.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D151200Q | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175°C | 15a | 700pf @ 1V、1MHz | ||||
BYV29FD-600,118 | 0.9000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv29 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | ||||||
![]() | WNSC2D16650CWQ | 2.6160 | ![]() | 1862年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D16650CWQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | |||||
![]() | BYT79B-600PJ | 0.4703 | ![]() | 3577 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | BYT79 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072018118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.38 V @ 15 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 15a | - | |||||
![]() | BYV34G-600,127 | 2.0100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv34 | 標準 | i2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.48 V @ 20 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | BYC10-600,127 | 1.2300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc10 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 10 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||
![]() | NXPSC10650XQ | - | ![]() | 9358 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070014127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | BYT79X-600PQ | 1.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | BYT79 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934070143127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.38 V @ 15 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 15a | - | ||||
![]() | NXPLQSC30650W6Q | 5.6197 | ![]() | 5212 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | NXPLQSC | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072091127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.95 V @ 15 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 30a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | byc15-600pq | 1.2300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc15 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.2 V @ 15 a | 18 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 15a | - |
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