画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC2D10650DJ | 2.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | 10a | 310pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | NXPSC16650B6J | 4.0425 | ![]() | 8520 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 16 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 16a | 534pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | OF4487J | 0.3300 | ![]() | 9969 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | OF4487 | - | 1 (無制限) | 2,500 | ||||||||||||||||||||
WN3S30H100CXQ | 0.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S30 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 710 mv @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||
WNSC2D301200CWQ | 7.3439 | ![]() | 8131 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 30a | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175°C | |||||||
![]() | WNSC2D03650MBJ | 1.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | SMB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 3 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 3a | 130pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | NUR460P/L02U | - | ![]() | 3178 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934067359112 | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.05 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 4a | - | ||||
![]() | WNSC051200Q | 2.8875 | ![]() | 1127 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC0 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.6 V @ 5 a | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 5a | 250pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | NXPSC046506Q | 2.6700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072071127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 4a | 130pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | BYV34-600,127 | 0.7920 | ![]() | 6863 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv34 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 1.48 V @ 20 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | wnd10p08yq | 0.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WND10 | 標準 | IITO-220-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 10 a | 10 µA @ 800 V | 150°C | 10a | - | |||||||
![]() | mur320j | 0.1183 | ![]() | 7804 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | MUR320 | 標準 | SMC | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 875 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | 175°C | 3a | - | |||||||
![]() | nur460p/l07u | - | ![]() | 2363 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | - | 4a | - | |||||
BYV32G-200,127 | 0.7260 | ![]() | 6441 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv32 | 標準 | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 850 mv @ 8 a | 25 ns | 30 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||||||
![]() | byv29x-600aq | 0.9800 | ![]() | 12 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv29 | TO-220F | - | 1 (無制限) | 934069808127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | ||||||||||||||
BYV25FD-600,118 | 0.8500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv25 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | ||||||
BYT28X-500Q | 0.3767 | ![]() | 4290 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | BYT28 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 500 V | 10a | 1.4 V @ 5 a | 60 ns | 10 µA @ 500 V | 150°C | ||||||||
![]() | NXPSC10650D6J | 6.0000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||||
BYV29FD-600,118 | 0.9000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv29 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | ||||||
![]() | byv32e-200pq | 0.5940 | ![]() | 4153 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | byv32 | 標準 | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069527127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 850 mv @ 8 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | 175°C (最大) | |||||
![]() | wnsc2d151200wq | 6.2000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D151200Q | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.7 V @ 15 a | 0 ns | 150 µA @ 1200 V | 175°C | 15a | 700pf @ 1V、1MHz | ||||
NXPSC10650DJ | - | ![]() | 5878 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070011118 | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | byc15x-600pq | 1.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc15 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.2 V @ 15 a | 18 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 15a | - | |||||
![]() | NXPSC06650X6Q | 3.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072082127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | NXPSC06650B6J | 3.7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | TO-263-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC2D101200W6Q | 1.9150 | ![]() | 6055 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.65 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C | 10a | 490pf @ 1V、1MHz | |||||||
BYV42G-200,127 | 0.7590 | ![]() | 1754 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv42 | 標準 | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 850 mV @ 15 a | 28 ns | 100 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||||||
![]() | byv30jt-600pmq | 0.7721 | ![]() | 9894 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | to-3p-3、SC-65-3 | byv30 | 標準 | to-3pf | - | ear99 | 8541.10.0080 | 480 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.8 V @ 30 a | 65 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | |||||||
![]() | NXPSC066506Q | 3.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072072127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | BYV29F-600,127 | 0.4125 | ![]() | 7894 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byv29 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - |
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