SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f
WNSC2D201200CWQ WeEn Semiconductors wnsc2d201200cwq 5.7953
RFQ
ECAD 8132 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1740-WNSC2D201200CWQ ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 20a 1.65 V @ 10 a 0 ns 110 µA @ 1200 V 175°C
BYC15-600PQ WeEn Semiconductors byc15-600pq 1.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 byc15 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 3.2 V @ 15 a 18 ns 10 µA @ 600 V 175°C (最大) 15a -
BYV25D-600,118 WeEn Semiconductors BYV25D-600,118 0.9300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 byv25 標準 dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 600 V 1.3 V @ 5 a 60 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 5a -
BYC8B-600,118 WeEn Semiconductors BYC8B-600,118 0.5280
RFQ
ECAD 8125 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 byc8 標準 d2pak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 500 V 2.9 V @ 8 a 52 ns 150 µA @ 600 V 150°C (最大) 8a -
NXPSC08650XQ WeEn Semiconductors NXPSC08650XQ -
RFQ
ECAD 6979 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ 前回購入します 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ nxpsc sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220F ダウンロード 1 (無制限) 934070153127 ear99 8541.10.0080 1,000 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 8 a 0 ns 230 µA @ 650 v 175°C (最大) 8a 260pf @ 1V、1MHz
WNSC2D2012006Q WeEn Semiconductors WNSC2D2012006Q 2.9042
RFQ
ECAD 7419 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220AC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,000 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.65 V @ 20 a 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 20a 950pf @ 1V、1MHz
WNSC5D06650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D06650D6J -
RFQ
ECAD 4757 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 WNSC5 sic (炭化シリコン)ショットキー dpak - 1740-WNSC5D06650D6JTR ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 6 a 0 ns 30 µA @ 650 v -55°C〜175°C 6a 201pf @ 1V、1MHz
BYV34G-600,127 WeEn Semiconductors BYV34G-600,127 2.0100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して To-262-3 Long Leads byv34 標準 i2pak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 600 V 20a 1.48 V @ 20 a 60 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大)
BYT79-600,127 WeEn Semiconductors BYT79-600,127 1.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 BYT79 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 1.38 V @ 15 a 60 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 15a -
NXPSC12650B6J WeEn Semiconductors NXPSC12650B6J 3.6300
RFQ
ECAD 7568 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) 前回購入します 表面マウント TO-263-3 nxpsc sic (炭化シリコン)ショットキー d2pak ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 800 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 12 a 0 ns 80 µA @ 650 v 175°C (最大) 12a 380pf @ 1V、1MHz
WNS30H100CQ WeEn Semiconductors WNS30H100CQ 1.0800
RFQ
ECAD 12 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 WNS30 ショットキー TO-220E ダウンロード ROHS準拠 適用できない 934072050127 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 15a 710 mv @ 15 a 50 µA @ 100 V 150°C (最大)
WB100FC120ALZ WeEn Semiconductors WB100FC120ALZ 2.5754
RFQ
ECAD 3492 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 死ぬ WB100 標準 ウェーハ - ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 1200 v 3.3 V @ 100 a 90 ns 250 µA @ 1200 V 175°C 100a -
WB60FV60ALZ WeEn Semiconductors WB60FV60ALZ 1.1948
RFQ
ECAD 7510 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 死ぬ WB60 標準 ウェーハ ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 60 a 55 ns 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C 60a -
BYV10ED-600PJ WeEn Semiconductors byv10ed-600pj 0.8500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 byv10 標準 dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 10 a 50 ns 10 µA @ 600 V 175°C (最大) 10a -
BYV30X-600PQ WeEn Semiconductors byv30x-600pq 0.9405
RFQ
ECAD 5264 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ byv30 標準 TO-220FP ダウンロード 1 (無制限) 934071197127 ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 600 V 1.55 V @ 30 a 75 ns 10 µA @ 600 V 175°C (最大) 30a -
MUR440J WeEn Semiconductors mur440j 0.1249
RFQ
ECAD 5660 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント do-214ab 、mc MUR440 標準 SMC ダウンロード ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 400 V 1.25 V @ 4 a 75 ns 10 µA @ 400 V 175°C 4a -
WNSC2D101200D6J WeEn Semiconductors WNSC2D101200D6J 1.3300
RFQ
ECAD 8173 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 表面マウント to-252-3 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー dpak ダウンロード ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.6 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 10a 481pf @ 1V、1MHz
BYV32E-100,127 WeEn Semiconductors BYV32E-100,127 0.5610
RFQ
ECAD 6344 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 byv32 標準 TO-220AB ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 20a 1.15 V @ 20 a 25 ns 30 µA @ 100 V 150°C (最大)
BYC8D-600,127 WeEn Semiconductors BYC8D-600,127 0.9400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 byc8 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 2.9 V @ 8 a 20 ns 40 µA @ 600 V 150°C (最大) 8a -
WNSC5D206506Q WeEn Semiconductors WNSC5D206506Q -
RFQ
ECAD 6400 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC5 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220AC - 1740-WNSC5D206506Q ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 20 a 0 ns 100 µA @ 650 V -55°C〜175°C 20a 640pf @ 1V、1MHz
WNSC2D1012006Q WeEn Semiconductors WNSC2D1012006Q 1.4521
RFQ
ECAD 4911 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220AC ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,000 回復時間なし> 500ma 1200 v 1.6 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 10a 481pf @ 1V、1MHz
BYV32EX-300PQ WeEn Semiconductors BYV32EX-300PQ 1.1200
RFQ
ECAD 35 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ byv32 標準 TO-220F ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 300 V 10a 1.25 V @ 10 a 35 ns 20 µA @ 300 V 175°C (最大)
WNSC2D08650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650DJ 2.1900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 2,500 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 8 a 0 ns 40 µA @ 650 v 175°C 8a 260pf @ 1V、1MHz
WNSC5D046506Q WeEn Semiconductors WNSC5D046506Q -
RFQ
ECAD 8122 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC5 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220AC - 1740-WNSC5D046506Q ear99 8541.10.0080 1 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 4 a 0 ns 20 µA @ 650 v -55°C〜175°C 4a 138pf @ 1V、1MHz
NXPSC10650Q WeEn Semiconductors NXPSC10650Q 5.5700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ sicで中止されました 穴を通して TO-220-2 nxpsc sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220AC ダウンロード 適用できない ear99 8541.10.0080 1,000 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 10 a 0 ns 250 µA @ 650 V 175°C (最大) 10a 300pf @ 1V、1MHz
NXPS20S100C,127 WeEn Semiconductors NXPS20S100C、127 -
RFQ
ECAD 5555 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ sicで中止されました 穴を通して TO-220-3 NXPS20 ショットキー TO-220AB - ROHS準拠 1 (無制限) 934067127127 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 10a 580 mV @ 3 a 3 µA @ 100 V 175°C (最大)
WNSC6D01650MBJ WeEn Semiconductors WNSC6D01650MBJ 1.6700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB WNSC6 sic (炭化シリコン)ショットキー SMB ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 回復時間なし> 500ma 650 V 1.4 V @ 1 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C 1a 130pf @ 1V、1MHz
BYC58X-600,127 WeEn Semiconductors byc58x-600,127 0.8415
RFQ
ECAD 3581 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ byc58 標準 TO-220FP ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 600 V 3.2 V @ 8 a 12.5 ns 150 µA @ 600 V 150°C (最大) 8a -
BYV29X-600PQ WeEn Semiconductors byv29x-600pq 0.7700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ byv29 標準 TO-220FP ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 934072014127 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 1.3 V @ 8 a 75 ns 10 µA @ 600 V 175°C (最大) 9a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫