画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC2D201200W6Q | 3.2301 | ![]() | 9693 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 200 µA @ 1200 v | 175°C | 20a | 845pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | byc30x-600psq | 1.4400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc30 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-byc30x-600psq | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 45 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | |||||
![]() | NXPSC06650D6J | 3.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 表面マウント | to-252-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 200 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 6a | 190pf @ 1V、1MHz | ||||||
BYV410X-600/L01Q | 0.6979 | ![]() | 9126 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byv410 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 20a | 2.1 V @ 10 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C | ||||||||
![]() | byc8-600p 、127 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 8 a | 18 ns | 20 µA @ 600 v | 175°C (最大) | 8a | - | |||||
![]() | BYT79B-600PJ | 0.4703 | ![]() | 3577 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | BYT79 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934072018118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.38 V @ 15 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 15a | - | |||||
![]() | NXPSC10650XQ | - | ![]() | 9358 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070014127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 10a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | NXPLQSC20650WQ | - | ![]() | 7794 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | NXPLQSC | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070883127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.85 V @ 10 a | 0 ns | 230 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 20a | 250pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WNSC2D16650CWQ | 2.6160 | ![]() | 1862年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D16650CWQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 40 µA @ 650 v | 175°C | |||||
![]() | byc30b-600pj | 0.9900 | ![]() | 5646 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byc30 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070138118 | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 30a | - | |||||
![]() | byv10ex-600pq | 1.0600 | ![]() | 4309 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv10 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 10 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 10a | - | |||||
WN3S10H150CXQ | 0.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S10 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 1 V @ 5 a | 50 µA @ 150 v | 150°C | ||||||||
![]() | WNSC2D06650XQ | 0.9150 | ![]() | 4213 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D06650XQ | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 6 a | 0 ns | 30 µA @ 650 v | 175°C | 6a | 198pf @ 1V、1MHz | ||||
![]() | BYV430W-600PQ | 2.6000 | ![]() | 528 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byv430 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 60a | 2 V @ 30 a | 90 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | |||||
![]() | BYC15X-600,127 | 0.6600 | ![]() | 8527 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc15 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 15 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 15a | - | |||||
![]() | WNSC5D10650D6J | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | dpak | - | 1740-WNSC5D10650D6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | BYV29G-600,127 | 0.4620 | ![]() | 5838 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | byv29 | 標準 | i2pak(to-262) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934063969127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.25 V @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | ||||
![]() | WB30FC120ALZ | 1.2113 | ![]() | 5763 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WB30 | 標準 | ウェーハ | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.5 V @ 30 a | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 30a | - | |||||||
![]() | murs360bj | 0.4600 | ![]() | 44 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | murs3 | 標準 | SMB | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 3 a | 50 ns | 3 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 3a | - | |||||
![]() | BYV32EB-200PQ | - | ![]() | 9807 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | byv32 | 標準 | d2pak | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 20a | 1.15 V @ 20 a | 25 ns | 5 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||||||
![]() | wnb199v5aptsv | 0.9319 | ![]() | 8774 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WNB199 | 標準 | ウェーハ | - | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 60a | - | |||||||
![]() | byv10-600pq | 0.7400 | ![]() | 75 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byv10 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 10 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 10a | - | |||||
![]() | byc8b-600pj | 0.4455 | ![]() | 6695 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byc8 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3.4 V @ 8 a | 18 ns | 20 µA @ 600 v | 175°C (最大) | 8a | - | |||||
![]() | BYC40W-1200PQ | 1.8808 | ![]() | 1282 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byc40 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.3 V @ 40 a | 91 ns | 250 µA @ 1200 V | 175°C | 40a | - | |||||||
![]() | BYV40W-600PQ | 1.4871 | ![]() | 3264 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | byv40 | 標準 | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072032127 | ear99 | 8541.10.0080 | 450 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.6 V @ 40 a | 79 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 40a | - | ||||
![]() | BYV40E-150,115 | 0.2970 | ![]() | 7460 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | byv40 | 標準 | SC-73 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 1.5a | 1 V @ 1.5 a | 25 ns | 10 µA @ 150 v | 150°C (最大) | |||||
![]() | WNSC5D04650T6J | - | ![]() | 6725 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | 1740-WNSC5D04650T6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 138pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | NUR460P/L01U | - | ![]() | 1190 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 934067358112 | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.05 V @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 4a | - | ||||
WNSC2D30650WQ | 6.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 30 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C | 30a | 980pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | WND08P16XQ | 0.3878 | ![]() | 1749 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WND08 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.2 V @ 8 a | 50 µA @ 1600 v | 150°C | 8a | - |
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