画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WN3S30H100CQ | 0.8900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S30 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 710 mv @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||
![]() | WNSC6D01650MBJ | 1.6700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | SMB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.4 V @ 1 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 1a | 130pf @ 1V、1MHz | |||||
WN3S10H150CXQ | 0.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S10 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 1 V @ 5 a | 50 µA @ 150 v | 150°C | |||||||
![]() | WN3S10H150CQ | 0.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S10 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 1 V @ 5 a | 50 µA @ 150 v | 150°C | ||||||
![]() | wnd10p08yq | 0.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WND10 | 標準 | IITO-220-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.3 V @ 10 a | 10 µA @ 800 V | 150°C | 10a | - | ||||||
![]() | WNSC2D03650MBJ | 1.6700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | SMB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 3 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 3a | 130pf @ 1V、1MHz | |||||
WN3S30H100CXQ | 0.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S30 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 710 mv @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||
WN3S20H100CXQ | 0.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S20 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 750 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||
WNSC6D20650CW6Q | 5.3200 | ![]() | 465 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.45 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | ||||||
![]() | WN3S20H150CQ | 0.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 1.1 V @ 10 a | 50 µA @ 150 v | 150°C | ||||||
![]() | WN3S30100CQ | 0.8300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S301 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 770 mV @ 15 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||
![]() | WNSC6D16650B6J | 4.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.45 V @ 16 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C | 16a | 780pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WN3S20H100CQ | 0.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 750 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||
![]() | WNSC6D166506Q | 4.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.45 V @ 16 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C | 16a | 780pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | byc30x-600psq | 1.4400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc30 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-byc30x-600psq | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.75 V @ 30 a | 45 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 30a | - | ||||
![]() | WB60FV60ALZ | 1.1948 | ![]() | 7510 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 死ぬ | WB60 | 標準 | ウェーハ | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 60 a | 55 ns | 10 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 60a | - | ||||||
![]() | BYV29FB-600,118 | 0.4950 | ![]() | 9541 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv29 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | ||||
BYV32EX-300PQ | 1.1200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | byv32 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 300 V | 10a | 1.25 V @ 10 a | 35 ns | 20 µA @ 300 V | 175°C (最大) | |||||
byq28ed-200,118 | 0.8500 | ![]() | 94 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byq28 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.25 V @ 10 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) | |||||
![]() | BYC10-600,127 | 1.2300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc10 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 10 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | ||||
![]() | BYC15X-600,127 | 0.6600 | ![]() | 8527 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc15 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 15 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 15a | - | ||||
![]() | BYT79-600,127 | 1.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | BYT79 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.38 V @ 15 a | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 15a | - | ||||
WNSC2D30650WQ | 6.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 30 a | 0 ns | 100 µA @ 650 V | 175°C | 30a | 980pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | wnd35p08xq | 0.5480 | ![]() | 5262 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WND35 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.4 V @ 35 a | 50 µA @ 1600 v | -40°C〜150°C | 35a | - | |||||||
![]() | wnsc2d201200cwq | 5.7953 | ![]() | 8132 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC2D201200CWQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 20a | 1.65 V @ 10 a | 0 ns | 110 µA @ 1200 V | 175°C | |||
![]() | BYT79X-600PQ | 1.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | BYT79 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934070143127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.38 V @ 15 a | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 15a | - | |||
![]() | BYC8B-600,118 | 0.5280 | ![]() | 8125 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byc8 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 8 a | 52 ns | 150 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 8a | - | ||||
![]() | BYR29X-800PQ | 0.3630 | ![]() | 3455 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | BYR29 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069882127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 8 a | 55 ns | 10 µA @ 800 V | 175°C (最大) | 8a | - | ||||
![]() | byc8-1200pq | 0.4620 | ![]() | 4368 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc8 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 934072036127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 3.2 V @ 8 a | 55 ns | 100 µA @ 1200 V | 175°C (最大) | 8a | - | |||
![]() | byc10x-600,127 | 1.2500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc10 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 10 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - |
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