SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f
WN3S30H100CQ WeEn Semiconductors WN3S30H100CQ 0.8900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 WN3S30 ショットキー TO-220AB ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 15a 710 mv @ 15 a 50 µA @ 100 V 150°C
WNSC6D01650MBJ WeEn Semiconductors WNSC6D01650MBJ 1.6700
RFQ
ECAD 9 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB WNSC6 sic (炭化シリコン)ショットキー SMB ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 回復時間なし> 500ma 650 V 1.4 V @ 1 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C 1a 130pf @ 1V、1MHz
WN3S10H150CXQ WeEn Semiconductors WN3S10H150CXQ 0.6600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ WN3S10 ショットキー TO-220F ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 5a 1 V @ 5 a 50 µA @ 150 v 150°C
WN3S10H150CQ WeEn Semiconductors WN3S10H150CQ 0.6200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 WN3S10 ショットキー TO-220AB ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 5a 1 V @ 5 a 50 µA @ 150 v 150°C
WND10P08YQ WeEn Semiconductors wnd10p08yq 0.9500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WND10 標準 IITO-220-2 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 標準回復> 500ns 800 V 1.3 V @ 10 a 10 µA @ 800 V 150°C 10a -
WNSC2D03650MBJ WeEn Semiconductors WNSC2D03650MBJ 1.6700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー SMB ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 3,000 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 3 a 0 ns 20 µA @ 650 v 175°C 3a 130pf @ 1V、1MHz
WN3S30H100CXQ WeEn Semiconductors WN3S30H100CXQ 0.9100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ WN3S30 ショットキー TO-220F ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 15a 710 mv @ 15 a 50 µA @ 100 V 150°C
WN3S20H100CXQ WeEn Semiconductors WN3S20H100CXQ 0.7500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ WN3S20 ショットキー TO-220F ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 10a 750 mv @ 10 a 50 µA @ 100 V 150°C
WNSC6D20650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC6D20650CW6Q 5.3200
RFQ
ECAD 465 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 WNSC6 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247-3 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 650 V 20a 1.45 V @ 10 a 0 ns 50 µA @ 650 v 175°C
WN3S20H150CQ WeEn Semiconductors WN3S20H150CQ 0.7500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 WN3S20 ショットキー TO-220AB ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 150 v 10a 1.1 V @ 10 a 50 µA @ 150 v 150°C
WN3S30100CQ WeEn Semiconductors WN3S30100CQ 0.8300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 WN3S301 ショットキー TO-220AB ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 15a 770 mV @ 15 a 50 µA @ 100 V 150°C
WNSC6D16650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D16650B6J 4.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 WNSC6 sic (炭化シリコン)ショットキー d2pak ダウンロード 3 (168 時間) ear99 8541.10.0080 800 回復時間なし> 500ma 650 V 1.45 V @ 16 a 0 ns 80 µA @ 650 v 175°C 16a 780pf @ 1V、1MHz
WN3S20H100CQ WeEn Semiconductors WN3S20H100CQ 0.7000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 WN3S20 ショットキー TO-220AB ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 100 V 10a 750 mv @ 10 a 50 µA @ 100 V 150°C
WNSC6D166506Q WeEn Semiconductors WNSC6D166506Q 4.2600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 WNSC6 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-220AC ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 回復時間なし> 500ma 650 V 1.45 V @ 16 a 0 ns 80 µA @ 650 v 175°C 16a 780pf @ 1V、1MHz
BYC30X-600PSQ WeEn Semiconductors byc30x-600psq 1.4400
RFQ
ECAD 23 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ byc30 標準 TO-220F ダウンロード 1 (無制限) 1740-byc30x-600psq ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 2.75 V @ 30 a 45 ns 10 µA @ 600 V 175°C 30a -
WB60FV60ALZ WeEn Semiconductors WB60FV60ALZ 1.1948
RFQ
ECAD 7510 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 表面マウント 死ぬ WB60 標準 ウェーハ ダウンロード ear99 8541.10.0080 1 高速回復= <500ns 600 V 2 V @ 60 a 55 ns 10 µA @ 600 V -40°C〜175°C 60a -
BYV29FB-600,118 WeEn Semiconductors BYV29FB-600,118 0.4950
RFQ
ECAD 9541 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 byv29 標準 d2pak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 600 V 1.9 V @ 8 a 35 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 9a -
BYV32EX-300PQ WeEn Semiconductors BYV32EX-300PQ 1.1200
RFQ
ECAD 35 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-3 フルパック、分離タブ byv32 標準 TO-220F ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 300 V 10a 1.25 V @ 10 a 35 ns 20 µA @ 300 V 175°C (最大)
BYQ28ED-200,118 WeEn Semiconductors byq28ed-200,118 0.8500
RFQ
ECAD 94 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 byq28 標準 dpak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 2,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 200 v 10a 1.25 V @ 10 a 25 ns 10 µA @ 200 v 150°C (最大)
BYC10-600,127 WeEn Semiconductors BYC10-600,127 1.2300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 byc10 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 500 V 2.9 V @ 10 a 55 ns 200 µA @ 600 V 150°C (最大) 10a -
BYC15X-600,127 WeEn Semiconductors BYC15X-600,127 0.6600
RFQ
ECAD 8527 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ byc15 標準 TO-220FP ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 500 V 2.9 V @ 15 a 55 ns 200 µA @ 600 V 150°C (最大) 15a -
BYT79-600,127 WeEn Semiconductors BYT79-600,127 1.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 BYT79 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 1.38 V @ 15 a 60 ns 50 µA @ 600 V 150°C (最大) 15a -
WNSC2D30650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650WQ 6.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-2 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247-2 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 650 V 1.7 V @ 30 a 0 ns 100 µA @ 650 V 175°C 30a 980pf @ 1V、1MHz
WND35P08XQ WeEn Semiconductors wnd35p08xq 0.5480
RFQ
ECAD 5262 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ WND35 標準 TO-220F ダウンロード ear99 8541.10.0080 1,000 標準回復> 500ns 800 V 1.4 V @ 35 a 50 µA @ 1600 v -40°C〜150°C 35a -
WNSC2D201200CWQ WeEn Semiconductors wnsc2d201200cwq 5.7953
RFQ
ECAD 8132 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 WNSC2 sic (炭化シリコン)ショットキー TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 1740-WNSC2D201200CWQ ear99 8541.10.0080 30 回復時間なし> 500ma 1ペア共通カソード 1200 v 20a 1.65 V @ 10 a 0 ns 110 µA @ 1200 V 175°C
BYT79X-600PQ WeEn Semiconductors BYT79X-600PQ 1.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ BYT79 標準 TO-220FP ダウンロード ROHS準拠 適用できない 934070143127 ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 600 V 1.38 V @ 15 a 60 ns 10 µA @ 600 V 175°C (最大) 15a -
BYC8B-600,118 WeEn Semiconductors BYC8B-600,118 0.5280
RFQ
ECAD 8125 0.00000000 ウィーン半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-263-3 byc8 標準 d2pak ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 500 V 2.9 V @ 8 a 52 ns 150 µA @ 600 V 150°C (最大) 8a -
BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors BYR29X-800PQ 0.3630
RFQ
ECAD 3455 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ BYR29 標準 TO-220FP ダウンロード 1 (無制限) 934069882127 ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 800 V 1.7 V @ 8 a 55 ns 10 µA @ 800 V 175°C (最大) 8a -
BYC8-1200PQ WeEn Semiconductors byc8-1200pq 0.4620
RFQ
ECAD 4368 0.00000000 ウィーン半導体 - バルク アクティブ 穴を通して TO-220-2 byc8 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 934072036127 ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1200 v 3.2 V @ 8 a 55 ns 100 µA @ 1200 V 175°C (最大) 8a -
BYC10X-600,127 WeEn Semiconductors byc10x-600,127 1.2500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 ウィーン半導体 - チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ byc10 標準 TO-220FP ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 500 V 2.9 V @ 10 a 55 ns 200 µA @ 600 V 150°C (最大) 10a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫