画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | byv10d-600pj | 0.2136 | ![]() | 4015 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byv10 | 標準 | dpak | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 10 a | 100 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 10a | - | |||||||
![]() | WNSC6D16650B6J | 4.3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | d2pak | ダウンロード | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.45 V @ 16 a | 0 ns | 80 µA @ 650 v | 175°C | 16a | 780pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | byv10mx-600pq | 0.5900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byv10 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | 1740-byv10mx-600pq | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2 V @ 10 a | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C | 10a | - | |||||
![]() | NXPLQSC30650WQ | - | ![]() | 3342 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | NXPLQSC | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 934070882127 | ear99 | 8541.10.0080 | 240 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.95 V @ 15 a | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175°C (最大) | 30a | 300pf @ 1V、1MHz | |||||
![]() | WND08P16DJ | 0.8800 | ![]() | 26 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | WND08 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.25 V @ 8 a | 50 µA @ 1600 v | 150°C | 8a | - | ||||||
![]() | WNSC5D12650T6J | - | ![]() | 4059 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | 1740-WNSC5D12650T6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 12 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 12a | 420pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | BYR29X-800PQ | 0.3630 | ![]() | 3455 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | BYR29 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | 1 (無制限) | 934069882127 | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.7 V @ 8 a | 55 ns | 10 µA @ 800 V | 175°C (最大) | 8a | - | |||||
![]() | BYV29-400,127 | 0.9000 | ![]() | 787 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | BYV29-400 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 8 a | 60 ns | 50 µA @ 400 V | 150°C (最大) | 9a | - | |||||
![]() | byc20dx-600pq | 1.7400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc20 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.9 V @ 20 a | 20 ns | 10 µA @ 600 V | 175°C (最大) | 20a | - | |||||
![]() | WNS40100CQ | 1.2000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WNS40 | ショットキー | TO-220E | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 20a | 780 mV @ 20 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||
![]() | wnd35p08xq | 0.5480 | ![]() | 5262 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | WND35 | 標準 | TO-220F | ダウンロード | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.4 V @ 35 a | 50 µA @ 1600 v | -40°C〜150°C | 35a | - | ||||||||
![]() | WNS20S100CBJ | 0.7400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNS20 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 950 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||
![]() | BYV415W-600PQ | 1.4871 | ![]() | 9779 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | byv415 | 標準 | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 600 V | 15a | 2.1 V @ 15 a | 45 ns | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | |||||
![]() | byc20x-600,127 | 1.9100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | byc20 | 標準 | TO-220FP | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 20 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 20a | - | |||||
![]() | BYV29FB-600,118 | 0.4950 | ![]() | 9541 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | byv29 | 標準 | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.9 V @ 8 a | 35 ns | 50 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 9a | - | |||||
![]() | BYC10-600,127 | 1.2300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | byc10 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 500 V | 2.9 V @ 10 a | 55 ns | 200 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||
![]() | NXPSC20650W-AQ | 6.1465 | ![]() | 9940 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 60 µA @ 650 v | 175°C (最大) | |||||
![]() | WN3S10H150CQ | 0.6200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S10 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 5a | 1 V @ 5 a | 50 µA @ 150 v | 150°C | |||||||
WN3S20H100CXQ | 0.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 フルパック、分離タブ | WN3S20 | ショットキー | TO-220F | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 750 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | ||||||||
![]() | WNS20H100CBJ | 0.8500 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | WNS20 | ショットキー | d2pak | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 750 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | ||||||
![]() | WNSC5D10650T6J | - | ![]() | 7976 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC5 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | - | 1740-WNSC5D10650T6JTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 10a | 323pf @ 1V、1MHz | ||||||
![]() | WN3S20H100CQ | 0.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WN3S20 | ショットキー | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 750 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C | |||||||
![]() | WNSC16650CWQ | 3.3290 | ![]() | 7958 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC1 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 1740-WNSC16650CWQ | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 16a | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | ||||
![]() | WNSC2D401200CW6Q | 6.9000 | ![]() | 9359 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 1200 v | 40a | 1.8 V @ 20 a | 0 ns | 200 µA @ 2000 v | 175°C | ||||||
![]() | nur460p/l06u | - | ![]() | 1821年年 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | do-201ad、軸 | nur460 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | - | 4a | - | |||||
WNSC6D20650CW6Q | 5.3200 | ![]() | 465 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | WNSC6 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1ペア共通カソード | 650 V | 20a | 1.45 V @ 10 a | 0 ns | 50 µA @ 650 v | 175°C | |||||||
NXPSC04650Q | - | ![]() | 1767 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | 前回購入します | 穴を通して | TO-220-2 | nxpsc | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 v | 175°C (最大) | 4a | 130pf @ 1V、1MHz | |||||||
![]() | WNS20H100CQ | 0.8100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | WNS20 | ショットキー | TO-220E | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 934072010127 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 10a | 750 mv @ 10 a | 50 µA @ 100 V | 150°C (最大) | |||||
![]() | WNSC2D04650TJ | 1.5000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 4-VSFN露出パッド | WNSC2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | 5-dfn (8x8) | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.7 V @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 v | 175°C | 4a | 125pf @ 1V、1MHz | |||||
byq28ed-200,118 | 0.8500 | ![]() | 94 | 0.00000000 | ウィーン半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | byq28 | 標準 | dpak | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 10a | 1.25 V @ 10 a | 25 ns | 10 µA @ 200 v | 150°C (最大) |
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