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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）	@ @ if、f
BA679-M-18	0.1346	RFQ	1850	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		125°C （TJ）		DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BA679			SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000											-	-	-			-
GSIB1580-E3/45	2.6000	RFQ	510	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB1580	標準		GSIB-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20						950 mV @ 7.5 a		10 µA @ 800 V		15 a		単相	800 V
MMSZ5252C-E3-08	0.3200	RFQ	104	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5252		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 18 V						24 v	33オーム
GPP10A-E3/54	0.0521	RFQ	5077	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	gpp10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	-
MBRB760HE3_B/i	0.6765	RFQ	4033	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB760	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		60 V		750 mV @ 7.5 a		500 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
BZT52B11-G3-18	0.0483	RFQ	3618	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B11		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 8.5 v						11 v	6オーム
TZM5239F-GS08	-	RFQ	8685	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5239		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	2,500						1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 7 V						9.1 v	600オーム
BAT54-02V-HG3-08	0.3800	RFQ	464	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-79、SOD-523	BAT54	ショットキー		SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	8,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		30 V		800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	125°C	200mA	10pf @ 1V、1MHz
SML4753HE3/5A	-	RFQ	2924	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4753		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500								5 µA @ 27.4 v						36 v	50オーム
BZT52B6V8-G3-08	0.0483	RFQ	6010	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B6V8		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 3 V						6.8 v	8オーム
AZ23C6V8-E3-08	0.3100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C6V8		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 3 V						6.8 v	8オーム
MMBZ5225B-E3-08	-	RFQ	1129	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5225		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								50 µA @ 1 V						3 v	30オーム
BZG03C33-HM3-18	0.1898	RFQ	4974	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6.06％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C33		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 24 V						33 v	15オーム
DZ23C15-HE3_A-18	-	RFQ	9223	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-DZ23C15-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード							100 na @ 11 v						15 V	11オーム
gpp15a-e3/73	-	RFQ	5305	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	GPP15	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 1.5 a		5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1.5a	8pf @ 4V、1MHz
BZD27C120P-M3-08	0.1733	RFQ	6016	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C120		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 91 v						120 v	250オーム
AZ23C13-G3-08	0.0483	RFQ	2398	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C13		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 10 V						13 v	25オーム
BZT52C8V2-HE3-08	0.0378	RFQ	5223	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C8V2		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 na @ 6 v						8.2 v	4.5オーム
MMSZ4701-HE3_A-18	0.0533	RFQ	2256	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ4701-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		50 Na @ 10.6 v						14 v
BZX84B62-G3-08	0.0389	RFQ	7415	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B62		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								50 Na @ 43.4 v						62 v	215オーム
BZX85C11-TR	0.3800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C11		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000								500 na @ 7.5 v						11 v	8オーム
BZX84B2V7-HE3-08	0.2600	RFQ	770	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B2V7		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								20 µA @ 1 V						2.7 v	100オーム
vs-g1736ur	-	RFQ	8883	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止									-				112-VS-G1736UR	廃止		1
MB6S-E3/80	0.5000	RFQ	167	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-269AA	MB6	標準		TO-269AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000						1 V @ 400 Ma		5 µA @ 600 v		500 Ma		単相	600 V
VLZ3V3A-GS08	-	RFQ	5871	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz3v3		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 1 V						3.27 v	70オーム
byg20jhe3_a/h	0.5100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg20	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		600 V		1.4 V @ 1.5 a	75 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
Z4KE180-E3/73	-	RFQ	4970	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	Z4KE180		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								500 NA @ 129.6 v						180 v	1300オーム
AZ23B39-G3-18	0.0594	RFQ	4173	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B39		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 29 v						39 v	90オーム
RS3J-M3/57T	0.1881	RFQ	7156	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	RS3J	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 2.5 a	250 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	3a	34pf @ 4V、1MHz
V40100G-E3/45	-	RFQ	7288	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	V40100	ショットキー		TO-220-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	20a	810 mv @ 20 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²