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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
GDZ30B-G3-18	0.0445	RFQ	8678	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ30		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 23 V						30 V	200オーム
VSIB6A80-E3/45	-	RFQ	7163	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	vsib6a	標準		GSIB-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200					1 V @ 3 a		10 µA @ 800 V		2.8 a		単相	800 V
GSIB6A40N-M3/45	-	RFQ	8946	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB6	標準		GSIB-5S	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200					1 V @ 3 a		10 µA @ 400 V		15 a		単相	400 V
VS-305UR160	-	RFQ	3739	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	305ur160	標準、逆極性		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS305UR160	ear99	8541.10.0080	12	標準回復> 500ns		1600 v		1.46 V @ 942 a			-40°C〜180°C	330A	-
vs-40cpq060hn3	2.5162	RFQ	1011	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3		ショットキー		TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-VS-40CPQ060HN3	ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	40a	680 mV @ 40 a		1.7 MA @ 60 V	-55°C〜150°C
GP02-20HE3/54	-	RFQ	4336	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP02	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	5,500	標準回復> 500ns		2000 v		3 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 2000 v	-65°C〜175°C	250ma	-
MPG06D-E3/53	0.1487	RFQ	5520	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	mpg06 、軸	MPG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 1 a	600 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
BAS16WS-HE3-18	0.2300	RFQ	6804	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	BAS16	標準		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns		75 v		1.25 V @ 150 MA	6 ns	1 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	250ma	2PF @ 0V、1MHz
TLZ47-GS08	0.0335	RFQ	6953	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ47		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500					1.5 V @ 200 mA		40 Na @ 41.8 v						47 v	90オーム
VS-16CTQ100STRRPBF	-	RFQ	6397	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	16CTQ100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	8a	720 mV @ 8 a		550 µA @ 100 V	-55°C〜175°C
GBPC1204/1	-	RFQ	3294	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-	QC端子	4 平方、GBPC	GBPC1204	標準		GBPC	-	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けた		ear99	8541.10.0080	100					1.1 V @ 6 a		5 µA @ 400 V		12 a		単相	400 V
gpp60g-e3/73	-	RFQ	9834	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	P600 、軸	gpp60	標準		P600	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	300	標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 6 a	5.5 µs	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	6a	-
vs-8ews16strlpbf	-	RFQ	1362	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	8ews16	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS8EWS16STRLPBF	ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1600 v		1.1 V @ 8 a		50 µA @ 1600 v	-40°C〜150°C	8a	-
MBR30H50CTHE3/45	-	RFQ	2709	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR30	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	15a	680 mV @ 15 a		60 µA @ 50 V	-65°C〜175°C
3N257-M4/51	-	RFQ	6373	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	3N257	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600					1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 600 v		2 a		単相	600 V
UF4002-M3/73	-	RFQ	8400	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UF4002	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		100 V		1 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	17pf @ 4V、1MHz
VLZ10-GS08	-	RFQ	2406	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ10		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.5 V @ 200 mA								10 v	8オーム
SMZJ3807bhm3_a/h	-	RFQ	4587	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3807		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750							5 µA @ 42.6 v						56 v	86オーム
GBU8B-E3/45	2.0600	RFQ	120	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20					1 V @ 8 a		5 µA @ 100 V		3.9 a		単相	100 V
AR1FGHM3/i	0.0980	RFQ	8042	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB		雪崩		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-AR1FGHM3/ITR	ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		400 V		1.25 V @ 1 a	140 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	12.6pf @ 4V、1MHz
UGF8HT-E3/45	-	RFQ	4754	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	バルク	廃止			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ		標準		ITO-220AC	ダウンロード			影響を受けていない	112-ugf8ht-e3/45	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		500 V		1.75 V @ 8 a	50 ns	30 µA @ 500 V	-55°C〜150°C	8a	-
BZX55C24-TAP	0.2300	RFQ	41	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55C24		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 18 V						24 v	80オーム
US1B-E3/61T	0.4300	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	US1b	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		100 V		1 V @ 1 a	50 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
RS2B-E3/52T	0.4200	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	RS2B	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750	高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz
GP10J-E3/73	-	RFQ	5936	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VX60202PW-M3/p	5.2100	RFQ	429	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3		ショットキー		TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VX60202PW-M3/p	ear99	8541.10.0080	25	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	30a	840 mV @ 30 a		200 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
BYVB32-150-E3/81	1.0050	RFQ	4982	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	byvb32	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	18a	1.15 V @ 20 a	25 ns	10 µA @ 150 v	-65°C〜150°C
VS-E5TX3006S2LHM3	2.7300	RFQ	800	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®G5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		600 V		2.1 V @ 30 a	41 ns	20 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	30a	-
V10DM150CHM3/i	1.1500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	V10DM150	ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	5a	1.15 V @ 5 a		100 µA @ 150 V	-40°C〜175°C
VS-80-7876	-	RFQ	7453	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-7876				-				112-VS-80-7876			1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²