画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | 現在 -マックス | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) | @ @ if、f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GBU8G-M3/51 | 1.1425 | ![]() | 7362 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU8 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 400 V | 8 a | 単相 | 400 V | |||||||||||||||
![]() | VLZ3V3A-GS08 | - | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | Vlz3v3 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 1 V | 3.27 v | 70オーム | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5252B-HE3_A-08 | 0.0549 | ![]() | 2626 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5252B-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | ||||||||||||||||||
![]() | GIB1402-E3/45 | 0.6141 | ![]() | 6023 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | GIB1402 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 975 mV @ 8 a | 35 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||
BU1008A5S-M3/45 | - | ![]() | 5477 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、bu-5s | BU1008 | 標準 | ISOCINK+™BU-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.1 V @ 5 a | 5 µA @ 800 V | 10 a | 単相 | 800 V | ||||||||||||||||
BU1010-M3/45 | 1.4823 | ![]() | 1466 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、bu | BU1010 | 標準 | ISOCINK+™BU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 5 a | 5 µA @ 1000 v | 10 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||||
![]() | GBU8D-M3/45 | 1.2844 | ![]() | 2457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU8 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 200 V | 8 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||
BU25065S-M3/45 | - | ![]() | 1114 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、bu-5s | BU25065 | 標準 | ISOCINK+™BU-5S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 12.5 a | 5 µA @ 600 v | 3.5 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||||
![]() | BA782S-E3-18 | - | ![]() | 7233 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 125°C (TJ) | SC-76、SOD-323 | BA782 | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 100 Ma | 1.25pf @ 3V、1MHz | ピン -シングル | 35V | 700mohm @ 3ma、1GHz | |||||||||||||||||
![]() | SS29he3_a/i | 0.1942 | ![]() | 2755 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SS29 | ショットキー | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 90 v | 950 mv @ 3 a | 30 µA @ 90 V | -55°C〜150°C | 1.5a | - | |||||||||||||||
![]() | BA683-GS18 | - | ![]() | 3474 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | BA683 | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 100 Ma | 1.2pf @ 3V 、100MHz | ピン -シングル | 35V | 900mohm @ 10ma 、200mhz | |||||||||||||||||
![]() | GBLA06-M3/51 | 0.8176 | ![]() | 5051 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | GBLA06 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 V @ 4 a | 5 µA @ 600 v | 4 a | 単相 | 600 V | |||||||||||||||
![]() | VBT3060C-E3/4W | 0.6001 | ![]() | 3962 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VBT3060 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 15a | 700 mV @ 15 a | 1.2 mA @ 60 v | -40°C〜150°C | ||||||||||||||
![]() | KBP10M-M4/51 | - | ![]() | 7246 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | KBP10 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 1000 v | 1.5 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||||
![]() | 3N259-E4/51 | - | ![]() | 2203 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 3N259 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 1000 v | 2 a | 単相 | 1 kV | |||||||||||||||
![]() | BZX85C11-TR | 0.3800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85C11 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 7.5 v | 11 v | 8オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZT52C8V2-HE3-08 | 0.0378 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C8V2 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 6 v | 8.2 v | 4.5オーム | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ4701-HE3_A-18 | 0.0533 | ![]() | 2256 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ4701-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 10.6 v | 14 v | |||||||||||||||||||
BZX84B62-G3-08 | 0.0389 | ![]() | 7415 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B62 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 Na @ 43.4 v | 62 v | 215オーム | |||||||||||||||||
![]() | VS-60APH03L-N3 | 2.7600 | ![]() | 498 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-3 | 60aph03 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-60APH03L-N3 | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.45 V @ 60 a | 42 ns | 10 µA @ 300 V | -55°C〜175°C | 60a | - | ||||||||||||
![]() | ugf8jthe3_a/p | - | ![]() | 8797 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | UGF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.75 V @ 8 a | 50 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | BZG05C51-HE3-TR3 | - | ![]() | 1605 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 AEC-Q101、BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 39 v | 51 v | 115オーム | |||||||||||||||
![]() | PTV6.8B-M3/85A | 0.1721 | ![]() | 9025 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | 150°C | 表面マウント | DO-220AA | PTV6.8 | 600 MW | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 20 µA @ 3.5 v | 7.3 v | 6オーム | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5240B-G3-18 | 0.3100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5240 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | ||||||||||||||||
![]() | TZM5261F-GS08 | - | ![]() | 9093 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5261 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 36 V | 47 v | 1000オーム | ||||||||||||||||
![]() | smzj3794bhe3_a/i | 0.1597 | ![]() | 4903 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3794 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 12.2 v | 16 v | 10オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-73-4720 | - | ![]() | 8608 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | - | 112-VS-73-4720 | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bys10-45-e3/tr | 0.4300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | bys10 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 高速回復= <500ns | 45 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA @ 45 V | -65°C〜150°C | 1.5a | - | ||||||||||||||
![]() | vs-8etu12hn3 | 0.7425 | ![]() | 3656 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | 8etu12 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1200 v | 2.55 V @ 8 a | 144 ns | 55 µA @ 1200 V | -55°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||||||
![]() | PTV22B-M3/84A | 0.1223 | ![]() | 9968 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6% | 150°C | 表面マウント | DO-220AA | PTV22 | 600 MW | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 17 V | 23.3 v | 14オーム |
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