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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード 現在 -マックス ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT) @ @ if、f
GBU8G-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8G-M3/51 1.1425
RFQ
ECAD 7362 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU8 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 8 a 5 µA @ 400 V 8 a 単相 400 V
VLZ3V3A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ3V3A-GS08 -
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、vlz テープ&リール( tr) 廃止 - -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント Vlz3v3 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 mA 10 µA @ 1 V 3.27 v 70オーム
MMSZ5252B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5252B-HE3_A-08 0.0549
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード 112-MMSZ5252B-HE3_A-08TR ear99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 18 V 24 v 33オーム
GIB1402-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB1402-E3/45 0.6141
RFQ
ECAD 6023 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 GIB1402 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 100 V 975 mV @ 8 a 35 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 8a -
BU1008A5S-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1008A5S-M3/45 -
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、bu-5s BU1008 標準 ISOCINK+™BU-5S ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 1.1 V @ 5 a 5 µA @ 800 V 10 a 単相 800 V
BU1010-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1010-M3/45 1.4823
RFQ
ECAD 1466 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、bu BU1010 標準 ISOCINK+™BU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 5 a 5 µA @ 1000 v 10 a 単相 1 kV
GBU8D-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8D-M3/45 1.2844
RFQ
ECAD 2457 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、gbu GBU8 標準 GBU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 1 V @ 8 a 5 µA @ 200 V 8 a 単相 200 v
BU25065S-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25065S-M3/45 -
RFQ
ECAD 1114 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、bu-5s BU25065 標準 ISOCINK+™BU-5S ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 12.5 a 5 µA @ 600 v 3.5 a 単相 600 V
BA782S-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA782S-E3-18 -
RFQ
ECAD 7233 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 125°C (TJ) SC-76、SOD-323 BA782 SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 100 Ma 1.25pf @ 3V、1MHz ピン -シングル 35V 700mohm @ 3ma、1GHz
SS29HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS29he3_a/i 0.1942
RFQ
ECAD 2755 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AA、SMB SS29 ショットキー do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,200 高速回復= <500ns 90 v 950 mv @ 3 a 30 µA @ 90 V -55°C〜150°C 1.5a -
BA683-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA683-GS18 -
RFQ
ECAD 3474 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 BA683 SOD-80ミニマルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0070 10,000 100 Ma 1.2pf @ 3V 、100MHz ピン -シングル 35V 900mohm @ 10ma 、200mhz
GBLA06-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBLA06-M3/51 0.8176
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、GBL GBLA06 標準 GBL ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 4 a 5 µA @ 600 v 4 a 単相 600 V
VBT3060C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3060C-E3/4W 0.6001
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TMBS® チューブ アクティブ 表面マウント TO-263-3 VBT3060 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 60 V 15a 700 mV @ 15 a 1.2 mA @ 60 v -40°C〜150°C
KBP10M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP10M-M4/51 -
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、kbpm KBP10 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 1000 v 1.5 a 単相 1 kV
3N259-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N259-E4/51 -
RFQ
ECAD 2203 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ 廃止 -55°C〜165°C 穴を通して 4-sip、kbpm 3N259 標準 KBPM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 a 5 µA @ 1000 v 2 a 単相 1 kV
BZX85C11-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C11-TR 0.3800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZX85 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜175°C 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BZX85C11 1.3 w do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 7.5 v 11 v 8オーム
BZT52C8V2-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C8V2-HE3-08 0.0378
RFQ
ECAD 5223 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZT52 テープ&リール( tr) 前回購入します ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 BZT52C8V2 410 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 6 v 8.2 v 4.5オーム
MMSZ4701-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4701-HE3_A-18 0.0533
RFQ
ECAD 2256 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード 112-MMSZ4701-HE3_A-18TR ear99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 10.6 v 14 v
BZX84B62-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B62-G3-08 0.0389
RFQ
ECAD 7415 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX84-G テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84B62 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 50 Na @ 43.4 v 62 v 215オーム
VS-60APH03L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APH03L-N3 2.7600
RFQ
ECAD 498 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® チューブ アクティブ 穴を通して TO-247-3 60aph03 標準 TO-247AD ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 112-VS-60APH03L-N3 ear99 8541.10.0080 25 高速回復= <500ns 300 V 1.45 V @ 60 a 42 ns 10 µA @ 300 V -55°C〜175°C 60a -
UGF8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf8jthe3_a/p -
RFQ
ECAD 8797 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ UGF8 標準 ITO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 600 V 1.75 V @ 8 a 50 ns 30 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
BZG05C51-HE3-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C51-HE3-TR3 -
RFQ
ECAD 1605 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、 AEC-Q101、BZG05C テープ&リール( tr) 廃止 ±5% 150°C 表面マウント DO-214AC、SMA BZG05 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 39 v 51 v 115オーム
PTV6.8B-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV6.8B-M3/85A 0.1721
RFQ
ECAD 9025 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) アクティブ ±6% 150°C 表面マウント DO-220AA PTV6.8 600 MW DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 20 µA @ 3.5 v 7.3 v 6オーム
MMSZ5240B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5240B-G3-18 0.3100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5240 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 3 µA @ 8 V 10 v 17オーム
TZM5261F-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5261F-GS08 -
RFQ
ECAD 9093 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 - 175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 TZM5261 500 MW SOD-80ミニマルフ - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 V @ 200 mA 100 Na @ 36 V 47 v 1000オーム
SMZJ3794BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smzj3794bhe3_a/i 0.1597
RFQ
ECAD 4903 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMZJ3794 1.5 w do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 12.2 v 16 v 10オーム
VS-73-4720 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-73-4720 -
RFQ
ECAD 8608 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 - 112-VS-73-4720 廃止 1
BYS10-45-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division bys10-45-e3/tr 0.4300
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-214AC、SMA bys10 ショットキー do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,800 高速回復= <500ns 45 v 500 mV @ 1 a 500 µA @ 45 V -65°C〜150°C 1.5a -
VS-8ETU12HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8etu12hn3 0.7425
RFQ
ECAD 3656 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® チューブ アクティブ 穴を通して TO-220-2 8etu12 標準 TO-220AC ダウンロード 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1200 v 2.55 V @ 8 a 144 ns 55 µA @ 1200 V -55°C〜175°C 8a -
PTV22B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV22B-M3/84A 0.1223
RFQ
ECAD 9968 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) アクティブ ±6% 150°C 表面マウント DO-220AA PTV22 600 MW DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 V @ 200 mA 10 µA @ 17 V 23.3 v 14オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫