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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
KBU4M-E4/51	3.3700	RFQ	284	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-50°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip 、kbu	KBU4	標準		KBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	KBU4ME451	ear99	8541.10.0080	250					1 V @ 4 a		5 µA @ 1000 v		4 a		単相	1 kV
TZM5246C-GS08	-	RFQ	8610	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5246		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1.1 V @ 200 mA		100 na @ 12 v						16 v	17オーム
TLZ5V1B-GS18	0.2500	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ5V1		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V						5.1 v	20オーム
VB30100SG-M3/4W	0.7775	RFQ	2830	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VB30100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		100 V		1 V @ 30 a		350 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	30a	-
MBR20H100CTGHE3/45	-	RFQ	6493	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR20	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	850 mv @ 10 a		3.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
MMBZ5246C-HE3-18	-	RFQ	3743	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5246		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 na @ 12 v						16 v	17オーム
V20100R-E3/4W	-	RFQ	3635	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	V20100	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	900 mV @ 10 a		150 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
MMSZ5240B-E3-08	0.2700	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5240		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000							3 µA @ 8 V						10 v	17オーム
BZD27B43P-E3-08	0.1155	RFQ	8319	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B43		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000					1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 33 v						43 v	45オーム
VS-MBRD650CTTRR-M3	0.3353	RFQ	4888	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	MBRD650	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSMBRD650CTTRRM3	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	3a	700 mV @ 3 a		100 µA @ 50 V	-40°C〜150°C
bys12-90he3_a/h	0.1359	RFQ	9080	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	bys12	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800	高速回復= <500ns		90 v		750 mv @ 1 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
GLL4742-E3/96	0.3053	RFQ	1160	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4742		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500							5 µA @ 9.1 v						12 v	9オーム
byg23mhm3_a/i	0.1601	RFQ	2901	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	byg23	雪崩		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		1000 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1.5a	-
ss10p5hm3_a/h。	0.9600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS10P5	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		50 v		670 mV @ 7 a		150 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	7a	560pf @ 4V、1MHz
byw178-tap	0.5940	RFQ	3250	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	BYW178	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,500	高速回復= <500ns		800 V		1.9 V @ 3 a	60 ns	1 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	3a	-
muh1pdhm3/89a	-	RFQ	2974	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	MicroSMP	MUH1	標準		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500	高速回復= <500ns		200 v		1.05 V @ 1 a	40 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
VS-150SQ030	-	RFQ	8925	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	do-204ar、軸	150SQ030	標準		do-204ar	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VS150SQ030	ear99	8541.10.0080	300	標準回復> 500ns		30 V		540 mV @ 15 a		1.75 mA @ 30 V	-55°C〜150°C	15a	900pf @ 5V、1MHz
MMBZ5244BB-HE3-18	-	RFQ	1552	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5244		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							100 Na @ 10 V						14 v	15オーム
GP10MHM3/54	-	RFQ	1223	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	7pf @ 4V、1MHz
MMSZ4704-G3-08	0.0409	RFQ	3167	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ4704		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							50 Na @ 12.9 v						17 v
SS2H9-M3/5BT	0.1498	RFQ	4519	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS2H9	ショットキー		do-214aa	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		90 v		790 mV @ 2 a		10 µA @ 90 V	-65°C〜175°C	2a	-
VS-74-7644	-	RFQ	1959年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					74-7644				-				112-VS-74-7644			1
MBRB7H45HE3/81	-	RFQ	5887	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB7	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		45 v		630 mv @ 7.5 a		50 µA @ 45 v	-65°C〜175°C	7.5a	-
ES1PCHM3/84A	0.1673	RFQ	7242	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	ES1	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		150 v		920 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 150 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
BZX84B47-E3-08	0.0324	RFQ	9388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B47		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							50 Na @ 32.9 v						47 v	170オーム
VS-E4TU2006FP-N3	1.0700	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2フルパック	E4TU2006	標準		TO-220-2フルパック	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		600 V		1.63 V @ 20 a	61 ns	15 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	20a	-
VSKY10401406-G4-08	0.4600	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	0502 （1406 メトリック）	VSKY10401406	ショットキー		CLP1406-2L	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000	高速回復= <500ns		40 v		490 mV @ 1 a		100 µA @ 40 V	150°C （最大）	1a	225pf @ 0V、1MHz
byw85-tap	0.5445	RFQ	8050	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-64 、軸	byw85	雪崩		SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12,500	標準回復> 500ns		800 V		1 V @ 3 a	7.5 µs	1 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	3a	60pf @ 4V、1MHz
ZMY68-GS08	0.4200	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZMY68		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500							500 NA @ 51 v						68 v	130オーム
S1MA-E3/5AT	-	RFQ	9473	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AC、SMA	S1M	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	1 µs	3 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	8pf @ 4V、1MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²