SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f ダイオードタイプ 電圧 -ピークリバース(最大) 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
TZS4679-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4679-GS08 0.3100
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント TZS4679 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 100 MA 5 µA @ 1 V 2 v
SE15FD-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE15FD-M3/h 0.0781
RFQ
ECAD 7739 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-219AB SE15 標準 do-219ab ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 標準回復> 500ns 200 v 1.05 V @ 1.5 a 900 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜175°C 1.5a 10.5pf @ 4V、1MHz
VS-96-1093PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-96-1093PBF -
RFQ
ECAD 9573 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 * チューブ 廃止 - ROHS3準拠 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 50
MMBZ5233B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5233B-HE3-08 -
RFQ
ECAD 2844 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ5233 225 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 3.5 v 6 v 7オーム
BZT52B9V1-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B9V1-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 5537 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZT52-G テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 BZT52B9V1 410 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 100 Na @ 7 V 9.1 v 4.8オーム
BZX384B4V7-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B4V7-G3-08 0.0445
RFQ
ECAD 4403 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX384-G テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 BZX384B4V7 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 2 V 4.7 v 80オーム
BZX384C3V3-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C3V3-E3-18 0.2400
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX384 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 BZX384C3V3 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 V 3.3 v 95オーム
BZX84B5V1-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B5V1-HE3-18 0.2600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZX84 テープ&リール( tr) 前回購入します ±2% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BZX84B5V1 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 2 µA @ 2 V 5.1 v 60オーム
BZG04-10-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-10-HM3-08 0.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、bzg04-m テープ&リール( tr) アクティブ - 150°C (TJ) 表面マウント DO-214AC、SMA BZG04 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 500 Ma 5 µA @ 10 V 12 v
MMSZ5266C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5266C-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 9134 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 MMSZ5266 500 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 100 Na @ 52 v 68 v 230オーム
V40PWM45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40PWM45C-M3/i 1.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 Automotive、AEC-Q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 V40PWM45 ショットキー Slimdpak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 4,500 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 45 v 20a 670 mV @ 20 a 400 µA @ 45 V -40°C〜175°C
BZG03B75TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B75TR -
RFQ
ECAD 9243 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZG03B テープ&リール( tr) 廃止 ±2% 150°C (TJ) 表面マウント DO-214AC、SMA BZG03 1.25 w DO-214AC - ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 56 v 75 v 100オーム
40MT160PA Vishay General Semiconductor - Diodes Division 40mt160pa -
RFQ
ECAD 4235 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 廃止 -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント 7-MTPA 40MT160 標準 7-MTPA ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 10 45 a 3フェーズ 1.6 kV
SML4731-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4731-E3/61 -
RFQ
ECAD 5556 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% 150°C 表面マウント DO-214AC、SMA SML4731 1 W do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,800 10 µA @ 1 V 4.3 v 9オーム
SMZJ3795B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3795B-E3/5B 0.1546
RFQ
ECAD 1210 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMZJ3795 1.5 w do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 13.7 v 18 v 12オーム
BZW03D160-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D160-TAP -
RFQ
ECAD 1545 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZW03 テープ&ボックス( TB) 廃止 ±10% -65°C〜175°C 穴を通して SOD-64 、軸 BZW03 1.85 w SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 a 2 µA @ 120 v 160 v 350オーム
32CTQ030S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 32CTQ030S -
RFQ
ECAD 7146 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 32ctq ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 30 V 15a 490 mV @ 15 a 1.75 mA @ 30 V -55°C〜150°C
8ETU04 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8etu04 -
RFQ
ECAD 9869 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 pt® チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 8etu04 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 400 V 1.3 V @ 8 a 60 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 8a -
TZS4707-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZS4707-GS08 0.0392
RFQ
ECAD 9312 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント TZS4707 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 100 MA 10 Na @ 15.2 v 20 v
BZW03C13-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C13-TAP -
RFQ
ECAD 3125 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZW03 テープ&ボックス( TB) 廃止 ±5% -65°C〜175°C 穴を通して SOD-64 、軸 BZW03 1.85 w SOD-64 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 a 4 µA @ 10 V 13 v 2.5オーム
RGP15JHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP15JHE3/73 -
RFQ
ECAD 5630 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&ボックス( TB) 廃止 穴を通して DO-204AC 、DO-15、軸 RGP15 標準 DO-204AC (DO-15) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 600 V 1.3 V @ 1.5 a 250 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜175°C 1.5a -
SMAZ5940B-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMAZ5940B-E3/61 0.1219
RFQ
ECAD 1162 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -65°C〜150°C 表面マウント DO-214AC、SMA SMAZ5940 500 MW do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,800 1.5 V @ 200 mA 1 µA @ 32.7 v 43 v 53オーム
TZX3V3B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX3V3B-TR 0.2400
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 、TZX テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 穴を通して do-204ah do-35 、軸 TZX3V3 500 MW do-35 (do-204ah) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 5 µA @ 1 V 3.3 v 100オーム
MMBZ4687-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4687-HE3-18 -
RFQ
ECAD 4106 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ4687 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 4 µA @ 2 V 4.3 v
VS-HFA04SD60STRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA04SD60STRHM3 0.9590
RFQ
ECAD 1748 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント to-252-3 HFA04 標準 d-pak(to-252aa) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない VSHFA04SD60STRHM3 ear99 8541.10.0080 2,000 高速回復= <500ns 600 V 1.8 V @ 4 a 42 ns 3 µA @ 600 V -55°C〜150°C 4a -
BZX384B24-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B24-G3-08 0.0445
RFQ
ECAD 6808 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX384-G テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -55°C〜150°C 表面マウント SC-76、SOD-323 BZX384B24 200 MW SOD-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 50 Na @ 16.8 v 24 v 70オーム
BU1008A-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1008A-M3/51 1.2098
RFQ
ECAD 3478 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - トレイ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して 4-sip、bu BU1008 標準 ISOCINK+™BU ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 250 1.1 V @ 5 a 5 µA @ 800 V 10 a 単相 800 V
VS-HFA15TB60STRRP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA15TB60STRRP -
RFQ
ECAD 9015 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 hexfred® テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-263-3 HFA15 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 600 V 1.7 V @ 15 a 60 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 15a -
BZX884B47L-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX884B47L-G3-08 0.3200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX884L テープ&リール( tr) アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント 0402 (1006メトリック) BZX884 300 MW DFN1006-2A ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 Ma 50 Na @ 32.9 v 47 v 170オーム
ZMM5261B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5261B-7 -
RFQ
ECAD 4951 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 ±5% -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AA ZMM52 500 MW ミニメルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 mA 100 Na @ 36 V 47 v 105オーム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫