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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZX84B24-HE3-08	0.0341	RFQ	2554	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B24		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								50 Na @ 16.8 v						23.5 v	70オーム
DZ23C7V5-HE3_A-08	-	RFQ	3215	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-DZ23C7V5-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード							100 Na @ 5 V						7.5 v	4オーム
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2W005G-E4/51	0.8200	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4 円、 wog	2W005	標準		wog	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000						1.1 V @ 2 a		5 µA @ 50 V		2 a		単相	50 v
BZT52A15-HE3_A-18	-	RFQ	4924	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ									ダウンロード				112-BZT52A15-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1
BZG05C27-M3-08	0.4000	RFQ	6016	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±7.04％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C27		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 20 V						27 v	30オーム
v8pm10shm3/h	0.5900	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	v8pm10	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		100 V		780 mV @ 8 a		200 µA @ 100 V	-40°C〜175°C	8a	860pf @ 4V、1MHz
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smzj3801bhe3_b/h。	0.1508	RFQ	5877	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	バルク	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3801		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-SMZJ3801BHE3_B/H。	ear99	8541.10.0050	750								5 µA @ 25.1 v						33 v	33オーム
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smzj3793bhe3_a/h。	0.1597	RFQ	6888	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3793		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750								5 µA @ 11.4 v						15 V	9オーム
MMBZ5245B-G3-18	-	RFQ	4742	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5245		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 11 v						15 V	16オーム
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B80C800G-E4/51	0.6100	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	穴を通して	4 円、 wog	B80	標準		wog	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000						1 V @ 900 Ma		10 µA @ 125 v		900 Ma		単相	125 v
BZG05C39TR3	-	RFQ	9609	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 30 V						39 v	1000オーム
MMSZ5249C-HE3-18	0.0454	RFQ	9224	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5249		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 14 V						19 v	23オーム
MBRB10H45-E3/81	-	RFQ	1805	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	MBRB10	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		45 v		630 mv @ 10 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜175°C	10a	-
BZG03C39-HM3-18	0.1898	RFQ	8195	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG03C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.13％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG03C39		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 30 V						39 v	40オーム
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VS-30WQ06FNTRRPBF	-	RFQ	9095	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	to-252-3	30WQ06	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs30wq06fntrrpbf	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		60 V		610 mv @ 3 a		2 ma @ 60 v	-40°C〜150°C	3.5a	145pf @ 5V、1MHz
BZX85C62-TR	0.3800	RFQ	3345	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C62		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	25,000								500 NA @ 47 v						62 v	125オーム
VS-300U20A	50.2400	RFQ	3356	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します			スタッドマウント	do-205ab、do-9 、スタッド	300U20	標準		do-205ab（do-9）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		200 v		1.4 V @ 942 a		40 mA @ 200 v	-65°C〜200°C	300a	-
RS2D-M3/52T	0.1142	RFQ	6742	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	RS2D	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns		200 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz
AR1FK-M3/i	0.0889	RFQ	7824	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB		雪崩		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-AR1FK-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	10,000		高速回復= <500ns		800 V		1.6 V @ 1 a	120 ns	1 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1a	9.3pf @ 4V、1MHz
BYWB29-100-E3/45	0.6674	RFQ	7712	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	bywb29	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 20 a	25 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	8a	-
rs1khe3_a/i	0.1022	RFQ	4438	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	rs1k	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		800 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1a	7pf @ 4V、1MHz
SE60PWDCHM3/i	0.2985	RFQ	1192	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	SE60	標準		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-SE60PWDCHM3/ITR	ear99	8541.10.0080	4,500		標準回復> 500ns		200 v		1.1 V @ 3 a	1.2 µs	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	3a	22PF @ 4V、1MHz
MMSZ5249B-G3-18	0.0409	RFQ	9337	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5249		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 14 V						19 v	23オーム
V30D170CHM3/i	2.4800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3		ショットキー		TO-263AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	170 v	15a	880 mV @ 15 Ma		200 µA @ 170 v	-40°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²