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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-51MT80KPBF	105.5500	RFQ	1591	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	51MT80	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS51MT80KPBF	ear99	8541.10.0080	15										55 a		3フェーズ	800 V
SB3H90-E3/73	0.5200	RFQ	874	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	do-201ad、軸	SB3H90	ショットキー		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		90 v		800 mV @ 3 a		20 µA @ 90 V	175°C （最大）	3a	-
BZM55B56-TR3	0.0433	RFQ	9146	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55B56		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 µA @ 43 V						56 v	1000オーム
VS-52MT80KPBF	105.4033	RFQ	7349	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	52MT80	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS52MT80KPBF	ear99	8541.10.0080	15										55 a		3フェーズ	800 V
VS-80-7032	-	RFQ	2960	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-7032				-				112-VS-80-7032			1
B250C1000G-E4/51	0.6100	RFQ	5880	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜125°C	穴を通して	4 円、 wog	B250	標準		wog	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000						1 V @ 1 a		10 µA @ 400 V		1 a		単相	400 V
FGP50D-E3/73	-	RFQ	2972	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-201AA	FGP50	標準		GP20	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		200 v		950 mv @ 5 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	5a	100pf @ 4V、1MHz
2kbp10m/51	-	RFQ	2813	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp10	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS非準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600						1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 1000 v		2 a		単相	1 kV
3KBP06M-E4/45	-	RFQ	7615	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbpm	3kbp06	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30						1.05 V @ 3 a		5 µA @ 600 v		3 a		単相	600 V
SMAZ5931B-M3/5A	0.1063	RFQ	7242	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAZ5931		500 MW	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 13.7 v						18 v	12オーム
BZX384B22-G3-08	0.0445	RFQ	7638	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B22		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								50 Na @ 15.4 v						22 v	55オーム
TLZ4V7C-GS18	0.0335	RFQ	6309	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ4v7		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 1 V						4.7 v	25オーム
VS-VS19BFR12LFK	-	RFQ	8857	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					vs19				-				112-VS-VS19BFR12LFK			1
SE80PWTGHM3/i	0.9600	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3		標準		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500		標準回復> 500ns		400 V		1.12 V @ 8 a	2.4 µs	15 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	2.6a	58pf @ 4V、1MHz
VS-104MT120KPBF	106.1427	RFQ	9408	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜125°C	シャーシマウント	mt-kモジュール	104MT120	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS104MT120KPBF	ear99	8541.10.0080	15										100 a		3フェーズ	1.2 kv
BZT03C16-TR	0.7200	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.63％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C16		1.3 w	SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000						1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 12 V						16 v	15オーム
se20nj-m3/i	0.5300	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn		標準		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000		標準回復> 500ns		600 V		1.1 V @ 2 a	1.2 µs	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	2a	12pf @ 4V、1MHz
MMBZ5257B-E3-18	-	RFQ	3598	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5257		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 25 V						33 v	58オーム
SML4753AHE3/5A	-	RFQ	8060	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4753		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500								5 µA @ 27.4 v						36 v	50オーム
52MT140kb	-	RFQ	6545	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止		-40°C〜125°C	シャーシマウント	MTK	52MT140	標準		MTK	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3										55 a		3フェーズ	1.4 kV
vs-130mt100kpbf	92.5073	RFQ	5886	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	130MT100	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs130mt100kpbf	ear99	8541.10.0080	15										130 a		3フェーズ	1 kV
VS-80-7912	-	RFQ	9750	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-7912				-				112-VS-80-7912			1
VS-11MT80KPBF	99.4453	RFQ	7546	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	mt-kモジュール	111MT80	標準		mt-k	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs111mt80kpbf	ear99	8541.10.0080	15										110 a		3フェーズ	800 V
VLZ24C-GS08	-	RFQ	4415	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ24		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 22 v						23.72 v	35オーム
DZ23C36-HE3_A-08	-	RFQ	6424	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-DZ23C36-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード							100 Na @ 27 V						36 v	40オーム
2KBP005M-E4/45	-	RFQ	9713	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜165°C	穴を通して	4-sip、kbpm	2kbp005	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30						1.1 V @ 3.14 a		5 µA @ 50 V		2 a		単相	50 v
SMZJ3808BHE3_A/i	-	RFQ	6276	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3808		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200								5 µA @ 47.1 v						62 v	100オーム
GBLA02-M3/51	-	RFQ	9724	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	GBLA02	標準		GBL	ダウンロード		1 （無制限）		112-GBLA02-M3/51	ear99	8541.10.0080	400						1 V @ 4 a		5 µA @ 200 V		4 a		単相	200 v
SMBZ5934B-E3/52	0.1676	RFQ	7341	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5934		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 18.2 v						24 v	19オーム
MBRF3045CT-E3/45	-	RFQ	6353	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	MBRF3045	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	600 mV @ 20 a		1 MA @ 45 v	-65°C〜150°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²