画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W02G/1 | - | ![]() | 9559 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4 円、 wog | 標準 | wog | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 200 V | 1.5 a | 単相 | 200 v | |||||||||||||||
![]() | sl43he3_b/h。 | 0.4125 | ![]() | 8702 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | SL43 | ショットキー | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 850 | 高速回復= <500ns | 30 V | 470 mV @ 8 a | 500 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 8a | - | |||||||||||||
![]() | VS-4CSH01-M3/86A | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | 4CSH01 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 2a | 950 mv @ 2 a | 16 ns | 2 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | gpp20g-e3/73 | - | ![]() | 5063 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | gpp20 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 2 a | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | - | |||||||||||||
![]() | sml4762ahe3_a/i | 0.2063 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4762 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 62.2 v | 82 v | 200オーム | |||||||||||||||
![]() | SE100PWTGHM3/i | 1.0100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 標準 | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.14 V @ 10 a | 2.6 µs | 20 µA @ 400 v | -55°C〜175°C | 2.7a | 78pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZG03C51TR3 | - | ![]() | 7972 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG03C | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG03 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 39 v | 51 v | 60オーム | ||||||||||||||
![]() | BZG04-16-M3-08 | 0.5400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG04-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG04 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 16 V | 20 v | |||||||||||||||
MMBZ5252B-HE3-18 | - | ![]() | 7720 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5252 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | ||||||||||||||||
![]() | US1M-M3/5AT | 0.4100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | US1m | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 1000 V | 1.7 V @ 1 a | 10 µA @ 1000 v | -55°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||
![]() | BZX84B47L-HG3-08 | 0.3600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | BZX884 | 300 MW | DFN1006-2A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 32.9 v | 47 v | 170オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-VSKD250-16PBF | 174.6900 | ![]() | 5775 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | 3-MAGN-A-PAK™ | VSKD250 | 標準 | Magn-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKD25016PBF | ear99 | 8541.10.0080 | 2 | 標準回復> 500ns | 1ペア共通カソード | 1600 v | 125a | 50 mA @ 1600 v | -40°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | GP15M-E3/54 | 0.6300 | ![]() | 6114 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | DO-204AC 、DO-15、軸 | GP15 | 標準 | DO-204AC (DO-15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.1 V @ 1.5 a | 3.5 µs | 5 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1.5a | - | ||||||||||||
![]() | byw55-tr | 0.6400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | SOD-57 、軸 | byw55 | 雪崩 | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1 V @ 1 a | 4 µs | 1 µA @ 800 V | -55°C〜175°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | MMSZ5232B-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 2297 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5232 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11オーム | |||||||||||||||
![]() | TZM5243F-GS18 | - | ![]() | 8318 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5243 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 500 NA @ 9.9 v | 13 v | 600オーム | |||||||||||||||
![]() | PTV6.8B-E3/84A | - | ![]() | 4350 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6% | 150°C | 表面マウント | DO-220AA | PTV6.8 | 600 MW | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 20 µA @ 3.5 v | 7.3 v | 6オーム | ||||||||||||||
![]() | GP02-35HM3/54 | - | ![]() | 5326 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP02 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 3500 v | 3 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 3500 V | -65°C〜175°C | 250ma | 3PF @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | v3pl45hm3/i | 0.1089 | ![]() | 8178 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | V3PL45 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-V3PL45HM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 45 v | 540 mV @ 3 a | 450 µA @ 45 V | -40°C〜150°C | 3a | 550pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
BAS70-06-E3-08 | 0.4000 | ![]() | 647 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAS70 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 70 v | 200MA (DC) | 410 mv @ 1 Ma | 5 ns | 100 Na @ 50 V | 125°C (最大) | |||||||||||||
![]() | ZMM5262B-7 | - | ![]() | 1382 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 39 v | 51 v | 125オーム | |||||||||||||||
![]() | 3N247-E4/45 | - | ![]() | 3910 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 3N247 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 100 V | 1.5 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||||
AZ23C11-E3-08 | 0.0415 | ![]() | 4786 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C11 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 8.5 v | 11 v | 20オーム | |||||||||||||||
![]() | s5ahe3_a/i | 0.1980 | ![]() | 7926 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | S5a | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 標準回復> 500ns | 50 v | 1.15 V @ 5 a | 2.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 5a | 40pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | bzx55b5v1-tap | 0.2200 | ![]() | 71 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | カットテープ(CT) | アクティブ | - | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55B5V1 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 5.1 v | 60オーム | ||||||||||||||
![]() | 241NQ035 | - | ![]() | 1439 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | D-67ハーフパック | 241NQ035 | ショットキー | D-67ハーフパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *241NQ035 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 35 v | 690 mV @ 240 a | 20 mA @ 35 v | 240a | 10300pf @ 5V、1MHz | |||||||||||||
![]() | MMSZ5234B-HE3_A-08 | 0.0549 | ![]() | 4303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5234B-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7オーム | |||||||||||||||||
![]() | s1jhm3_a/h。 | 0.0825 | ![]() | 9469 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-S1JHM3_A/HTR | ear99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | MMSZ5240C-E3-08 | 0.3200 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5240 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17オーム | |||||||||||||||
![]() | V8PL63-M3/i | 0.6500 | ![]() | 9918 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | カットテープ(CT) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V8PL63 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 6,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 580 mV @ 8 a | 180 µA @ 60 V | -40°C〜150°C | 8a | 1400pf @ 4V、1MHz |
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