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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-MT180BD16CCB	-	RFQ	8016	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ					VS-MT180				-	ROHS3準拠			112-VS-MT180BD16CCB			1
V15K100CHM3/h	0.4628	RFQ	3726	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn		ショットキー		フラットパック（5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-V15K100CHM3/HTR	ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	4.2a	690 mV @ 7.5 a		500 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
smzj3788bhe3_a/h。	-	RFQ	8341	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3788		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750								50 µA @ 7 V				9.1 v	4オーム
gdz4v7b-e3-08	0.0360	RFQ	2172	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	gdz4v7		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								2 µA @ 1 V				4.7 v	100オーム
VS-E5PW6006LHN3	4.5800	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、FREDPT®GEN5	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2		標準		TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-E5PW6006LHN3	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		600 V		2.6 V @ 60 a	42 ns	25 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	60a	-
ES2BHE3_A/i	0.5300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	ES2B	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		高速回復= <500ns		100 V		900 mV @ 2 a	20 ns	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	2a	18pf @ 4V、1MHz
BZD27B180P-HE3-18	0.1238	RFQ	6766	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzd27b	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B180		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	50,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 130 v				180 v	400オーム
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V15PM6HM3/i	0.3944	RFQ	4232	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V15pm6	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		60 V		640 mV @ 15 a		1.2 mA @ 60 v	-40°C〜175°C	15a	2300pf @ 4V、1MHz
VX30170CHM3/p	1.5675	RFQ	3662	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3		ショットキー		TO-220AB	ダウンロード			影響を受けていない	112-VX30170CHM3/p	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	170 v	15a	840 mV @ 15 a		100 µA @ 170 v	-40°C〜175°C
VS-C5TH3012-M3	2.4600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	C5th3012	標準		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-C5TH3012-M3	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		1200 v		2.5 V @ 15 a	95 ns	50 µA @ 1200 V	-55°C〜175°C
EGF1AHE3/5CA	-	RFQ	7618	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	DO-214BA	EGF1	標準		do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	-
FEP30bp-e3/45	1.6062	RFQ	1603	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	to-3p-3、SC-65-3	FEP30	標準		to-247ad（to-3p）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	15a	950 mV @ 15 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C
RGL41M/1	-	RFQ	7205	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	RGL41	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,000		高速回復= <500ns		1000 V		1.3 V @ 1 a	500 ns	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
TZM5221C-GS18	-	RFQ	4405	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5221		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V				2.4 v	30オーム
FCSP05H40TR	-	RFQ	3067	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	Flipky™	FCSP05	ショットキー		Flipky™	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns		40 v		520 mV @ 500 Ma		10 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	500mA	-
UG1A-E3/73	-	RFQ	2477	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UG1	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		50 v		950 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1a	-
TZX10D-TR	0.2300	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX10		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 7.5 v				10 v	25オーム
ES3DHE3/9AT	-	RFQ	6721	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
V15pm153-m3/h	0.7300	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN		ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		150 v		880 mV @ 15 Ma		150 µA @ 150 V	-40°C〜175°C	3.8a	885pf @ 4V、1MHz
SS10P3-M3/86A	0.8500	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS10p3	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		30 V		560 mV @ 10 a		800 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	10a	-
BZG05B43-HM3-08	0.2079	RFQ	1388	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZG05B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05B43		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 33 v				43 v	50オーム
AZ23C4V3-HE3_A-08	-	RFQ	5335	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C4V3-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							3 µA @ 1 V				4.3 v	90オーム
MMBZ5261B-G3-18	-	RFQ	6807	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5261		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 36 V				47 v	105オーム
SS3H9-E3/57T	0.6400	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SS3H9	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	850		高速回復= <500ns		90 v		800 mV @ 3 a		20 µA @ 90 V	-65°C〜175°C	3a	-
fepb16fthe3_a/p	1.1715	RFQ	7686	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	FEPB16	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	300 V	8a	1.3 V @ 8 a	50 ns	10 µA @ 300 V	-55°C〜150°C
VS-43CTQ100HN3	1.6833	RFQ	7378	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	43CTQ100	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	20a	810 mv @ 20 a		1 MA @ 100 V	-55°C〜175°C
MMSZ5228B-HE3_A-08	-	RFQ	6380	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5228B-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1						900 mV @ 10 Ma		10 µA @ 1 V				3.9 v	23オーム
15ETX06FP	-	RFQ	8279	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2フルパック	15ETX06	標準		TO-220ACフルパック	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		600 V		3.2 V @ 15 a	32 ns	50 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
VS-88-7317	-	RFQ	4489	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					88-7317				-				112-VS-88-7317			1

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²