RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-60CTQ035-N3	-	RFQ	7120	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	60CTQ035	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS60CTQ035N3	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	35 v	30a	560 mV @ 30 a		2 MA @ 35 v	-65°C〜150°C
BZW03C180-TR	-	RFQ	3914	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.2 V @ 1 a		2 µA @ 130 v						180 v	210オーム
MMSZ5267C-G3-18	0.0483	RFQ	5891	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5267		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 56 v						75 v	270オーム
VS-80-7600	-	RFQ	7189	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-7600				-				112-VS-80-7600			1
TZM5264C-GS18	-	RFQ	4112	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5264		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 46 v						60 V	170オーム
MMBZ5267C-E3-18	-	RFQ	2627	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5267		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 56 v						75 v	270オーム
BZX384B3V0-G3-18	0.0445	RFQ	6348	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B3V0		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								10 µA @ 1 V						3 v	95オーム
BZX584C24-G3-08	0.3000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX584C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000								50 Na @ 16.8 v						24 v	25オーム
TZM5258F-GS18	-	RFQ	3627	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZM5258		500 MW	SOD-80ミニマルフ	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 27 V						36 v	700オーム
MMSZ5236B-G3-18	0.0409	RFQ	6658	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5236		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 6 V						7.5 v	6オーム
AZ23C15-HE3_A-08	-	RFQ	7549	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-AZ23C15-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通アノード							50 Na @ 10.5 v						15 V	30オーム
BZX84C4V7-E3-08	0.2300	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C4V7		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								3 µA @ 2 V						4.7 v	80オーム
BY252GP-E3/54	-	RFQ	8454	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	by252	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 3 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V、1MHz
SMBZ5924B-E3/52	0.2617	RFQ	5031	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5924		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750						1.5 V @ 200 mA		25 µA @ 7 V						9.1 v	4オーム
VS-80-7650	-	RFQ	6404	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-7650				-				112-VS-80-7650			1
RGL41B-E3/97	0.1284	RFQ	7916	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	RGL41	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		100 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
ZMM5245B-7	-	RFQ	5362	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	ZMM52		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		100 na @ 11 v						15 V	16オーム
VT2045CHM3/4W	-	RFQ	3395	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	VT2045	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VT2045CHM34W	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	10a	580 mV @ 10 a		2 MA @ 45 v	-40°C〜150°C
SMBZ5937B-E3/52	0.1676	RFQ	2068	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMBZ5937		3 W	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 25.1 v						33 v	33オーム
BZX55B8V2-TR	0.2200	RFQ	88	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B8V2		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 6.2 v						8.2 v	7オーム
VS-20CTQ150SHM3	1.2000	RFQ	9849	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20CTQ150	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	10a	880 mV @ 10 a		25 µA @ 150 v	-55°C〜175°C
BZX584C2V7-G3-08	0.3000	RFQ	576	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX584C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000								20 µA @ 1 V						2.7 v	75オーム
BAV200-GS08	0.0281	RFQ	9744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-80バリアント	bav200	標準		SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	12,500		高速回復= <500ns		50 v		1 V @ 100 MA	50 ns	100 Na @ 50 V	150°C （最大）	250ma	1.5pf @ 0V、1MHz
TZX8V2C-TR	0.2300	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX8V2		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		1 µA @ 6.2 v						8.2 v	20オーム
KBP005M-E4/45	-	RFQ	4721	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbpm	KBP005	標準		KBPM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	30						1 V @ 1 a		5 µA @ 50 V		1.5 a		単相	50 v
TLZ18B-GS18	0.0335	RFQ	7692	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ18		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		40 na @ 16 v						18 v	23オーム
VS-8CWH02FNTRL-M3	0.4576	RFQ	2454	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	8CWH02	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS8CWH02FNTRLM3	ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	4a	950 mV @ 4 a	27 ns	4 µA @ 200 v	-65°C〜175°C
AZ23B15-HE3-08	0.0534	RFQ	1103	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B15		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード							100 na @ 11 v						15 V	30オーム
v2pm15hm3/h	0.3800	RFQ	17	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	MicroSMP	V2PM15	ショットキー		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500		高速回復= <500ns		150 v				50 µA @ 150 v	-40°C〜175°C	2a	100pf @ 4V、1MHz
VF20202C-M3/4W	1.0704	RFQ	7513	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	VF20202	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	900 mV @ 10 a		150 µA @ 200 V	-40°C〜175°C

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²