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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
V8P10HE3/87A	-	RFQ	7058	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V8p10	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns		100 V		680 mV @ 8 a		70 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	8a	-
fesf8bthe3_a/p	0.9405	RFQ	2406	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	FESF8	標準		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		100 V		950 mv @ 8 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	8a	-
GDZ15B-G3-08	0.0445	RFQ	5184	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ15		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 na @ 11 v				15 V	42オーム
VT3060C-E3/4W	1.4200	RFQ	7727	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	VT3060	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	15a	570 mV @ 15 a		2 MA @ 45 v	-40°C〜150°C
BZX55C6V2-TR	0.1900	RFQ	133	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55C6V2		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 2 V				6.2 v	10オーム
ZM4754A-GS18	0.1089	RFQ	5748	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZM4754		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ZM4754AGS18	ear99	8541.10.0050	10,000							5 µA @ 29.7 v				39 v	60オーム
BZX384C5V1-G3-18	0.2900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C5V1		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							2 µA @ 2 V				5.1 v	60オーム
BZX85C62-TAP	0.3800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C62		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							500 NA @ 47 v				62 v	125オーム
GP02-20HM3/73	-	RFQ	8534	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP02	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	標準回復> 500ns		2000 v		3 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 2000 v	-65°C〜175°C	250ma	3PF @ 4V、1MHz
VT5202-M3/4W	0.8000	RFQ	3249	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	VT5202	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns		200 v		880 mV @ 5 a		150 µA @ 200 V	-40°C〜175°C	5a	1216pf @ 4V、1MHz
MMBZ5262B-E3-08	-	RFQ	8563	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5262		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							100 Na @ 39 v				51 v	125オーム
MMBZ4692-HE3-18	-	RFQ	6296	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4692		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							10 µA @ 5.1 v				6.8 v
V20200G-E3/4W	0.8273	RFQ	4539	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3	V20200	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	10a	1.7 V @ 10 a		150 µA @ 200 V	-40°C〜150°C
MMBZ4686-G3-08	-	RFQ	4406	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4686		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000							5 µA @ 2 V				3.9 v
AR1FK-M3/h	0.3800	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB		雪崩		do-219ab	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		800 V		1.6 V @ 1 a	120 ns	1 µA @ 800 V	-55°C〜175°C	1a	9.3pf @ 4V、1MHz
GLL4755-E3/97	0.2970	RFQ	3332	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	-65°C〜150°C	表面マウント	do-213ab 、メルフ	GLL4755		1 W	melf do-213ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 32.7 v				43 v	70オーム
SS8P6CHM3/86A	-	RFQ	7770	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS8P6	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	4a	700 mV @ 4 a		50 µA @ 60 V	-55°C〜150°C
BAS19-E3-08	0.2200	RFQ	41	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAS19	標準		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		100 V		1.25 V @ 200 mA	50 ns	100 Na @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	5PF @ 0V、1MHz
GSD2004C-G3-18	0.4400	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	GSD2004	標準		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	240 v	225MA	1 V @ 100 MA	50 ns	100 Na @ 240 v	150°C （最大）
VB20100SG-E3/4W	0.4950	RFQ	8474	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VB20100	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns		100 V		1.07 V @ 20 a		350 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	20a	-
MMBZ4711-HE3-18	-	RFQ	6921	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4711		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							10 Na @ 20.4 v				27 v
1N4944GP-M3/73	-	RFQ	9023	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4944	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
MURS120-M3/5BT	0.1427	RFQ	7066	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	MURS120	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns		200 v		875 mV @ 1 a	35 ns	2 µA @ 200 v	-65°C〜175°C	1a	-
SBLB10L30HE3/81	-	RFQ	3921	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB10L30	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns		30 V		520 mV @ 10 a		1 mA @ 30 v	-65°C〜150°C	10a	-
ESH2PBHE3/84A	-	RFQ	6228	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	ESH2	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		100 V		980 mV @ 2 a	25 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2a	25pf @ 4V、1MHz
VS-HFA04SD60SRHM3	0.9590	RFQ	4969	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	アクティブ			表面マウント	to-252-3	HFA04	標準		TO-252	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSHFA04SD60SRHM3	ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		600 V		1.8 V @ 4 a	42 ns	3 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	4a	-
v3pm10-m3/i	0.1036	RFQ	9507	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	v3pm10	ショットキー		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-V3PM10-M3/ITR	ear99	8541.10.0080	10,000	高速回復= <500ns		100 V		560 mV @ 1.5 a		200 µA @ 100 V	-40°C〜175°C	2.1a	300pf @ 4V、1MHz
SBLB1640CT-E3/81	-	RFQ	4430	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	SBLB1640	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	40 v	8a	550 mv @ 8 a		500 µA @ 40 V	-40°C〜125°C
GP10BE-E3/54	0.1840	RFQ	5881	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	標準回復> 500ns		100 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
VS-70HFL40S02	10.3722	RFQ	2949	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	70HFL40	標準		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100	高速回復= <500ns		400 V		1.85 V @ 219.8 a	200 ns	100 µA @ 400 V	-40°C〜125°C	70a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²