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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
V12PM45-M3/i	0.3267	RFQ	9121	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®、TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V12pm45	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		45 v		600 mV @ 12 a		500 µA @ 45 V	-40°C〜175°C	12a	2350pf @ 4V、1MHz
RGP20J-E3/73	-	RFQ	4266	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-201AA	RGP20	標準		GP20	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 2 a	250 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	2a	-
MBRF10H45HE3/45	-	RFQ	8530	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF10	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		45 v		630 mv @ 10 a		100 µA @ 45 V	-65°C〜175°C	10a	-
DZ23C22-E3-18	0.0415	RFQ	4367	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通カソード							100 Na @ 17 V						22 v	55オーム
BZT52B2V7-G3-08	0.3800	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B2V7		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000														2.7 v	75オーム
UG1B-E3/73	-	RFQ	2335	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	UG1	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		100 V		950 mv @ 1 a	25 ns	5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1a	-
VS-6CWH02FNTRHM3	0.9943	RFQ	7422	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	6CWH02	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS6CWH02FNTRHM3	ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	200 v	3a	1.2 V @ 6 a	19 ns	5 µA @ 200 V	175°C （最大）
plz7v5c-g3/h	0.2800	RFQ	8765	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.54％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-219AC	plz7v5		960 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500						900 mV @ 10 Ma		500 NA @ 4 V						7.48 v	8オーム
BZT52B16-HE3-18	0.0436	RFQ	7200	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B16		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 na @ 12 v						16 v	13オーム
SSA34-M3/61T	0.1125	RFQ	4787	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SSA34	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		40 v		490 mV @ 3 a		200 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	3a	-
MMBZ5260B-HE3-18	-	RFQ	5142	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5260		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 33 V						43 v	93オーム
BZX384B4V7-E3-18	0.2700	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B4V7		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 2 V						4.7 v	80オーム
SB260S-E3/73	0.4700	RFQ	35	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	SB260	ショットキー		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		60 V		680 mV @ 2 a		500 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	2a	-
3N250-M4/51	-	RFQ	9581	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、kbpm	3N250	標準		KBPM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	600						1 V @ 1 a		5 µA @ 600 v		1.5 a		単相	600 V
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1N5244C-TAP	0.0288	RFQ	3800	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5244		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 10 V						14 v	15オーム
SD101AW-G3-18	0.0577	RFQ	5050	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SOD-123	SD101	ショットキー		SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		60 V		1 V @ 15 mA	1 ns	200 Na @ 50 V	-55°C〜125°C	30ma	2PF @ 0V、1MHz
VS-20CTH03-N3P	-	RFQ	5528	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	20cth03	標準		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	300 V	10a	1.25 V @ 10 a	35 ns	20 µA @ 300 V	-65°C〜175°C
1N4007GPE-E3/54	0.4100	RFQ	20	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4007	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500		標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 1000 v	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
BZG04-51-HM3-18	0.2079	RFQ	7441	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg04-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-51		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 51 v						62 v
vs-e5ph3006lhn3	3.1700	RFQ	993	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-2	vs-e5	標準		TO-247AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-E5PH3006LHN3	ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns		600 V		1.6 V @ 30 a	46 ns	20 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	30a	-
AZ23C5V6-G3-18	0.0483	RFQ	1098	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C5V6		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 1 V						5.6 v	40オーム
MMBZ4618-HE3-18	-	RFQ	9732	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4618		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 1 V						2.7 v	1500オーム
au3pd-m3/87a	0.4455	RFQ	8406	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	au3	雪崩		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		200 v		1.9 V @ 3 a	75 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1.7a	72pf @ 4V、1MHz
GP10-4005EHM3/73	-	RFQ	1280	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	GP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		500 V		1.1 V @ 1 a	3 µs	5 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
ESH1D-M3/61T	0.1650	RFQ	6085	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	ESH1	標準		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 1 a	25 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜175°C	1a	25pf @ 4V、1MHz
MMSZ5255B-HE3_A-18	0.0549	RFQ	6835	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5255B-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 21 V						28 v	44オーム
MMBZ4619-G3-18	-	RFQ	4001	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4619		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								800 Na @ 1 V						3 v	1600オーム
SMZJ3795B-M3/52	0.1304	RFQ	2712	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3795		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750								5 µA @ 13.7 v						18 v	12オーム
RGP30GL-5001E3/72	-	RFQ	3682	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	テープ＆ボックス（ TB）	廃止					RGP30				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²