画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZG05C16-HE3-TR | - | ![]() | 2566 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 AEC-Q101、BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 12 V | 16 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | BZT52B7V5-E3-18 | 0.0415 | ![]() | 2992 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B7V5 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 5 V | 7.5 v | 4オーム | |||||||||||||||
![]() | MMSZ5242B-HE3-08 | 0.2900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5242 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µA @ 9.1 v | 12 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | TZMC9V1-GS08 | 0.2300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMC9V1 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.8 v | 9.1 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5262B-HE3_A-08 | 0.0549 | ![]() | 2451 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5262B-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 39 v | 51 v | 125オーム | |||||||||||||||||
![]() | 1N4934GPEHE3/91 | - | ![]() | 5520 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4934 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.2 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | G2SBA60-M3/45 | - | ![]() | 5713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、GBL | G2SBA60 | 標準 | GBL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 1 V @ 750 MA | 5 µA @ 600 v | 1.5 a | 単相 | 600 V | ||||||||||||||
![]() | VS-95PF160 | 11.3300 | ![]() | 2868 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 95pf160 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 1600 v | 1.4 V @ 267 a | -55°C〜180°C | 95a | - | ||||||||||||||
![]() | GBU6KL-6441M3/51 | - | ![]() | 4027 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU6 | 標準 | GBU | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 V @ 6 a | 5 µA @ 800 V | 3.8 a | 単相 | 800 V | |||||||||||||||
![]() | vs-eph3006lhn3 | 2.8100 | ![]() | 197 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | EPH3006 | 標準 | TO-247AD | ダウンロード | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 高速回復= <500ns | 600 V | 2.65 V @ 30 a | 26 ns | 30 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 30a | - | |||||||||||||
![]() | MMSZ5263B-HE3_A-18 | 0.0549 | ![]() | 6065 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5263B-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 43 v | 56 v | 150オーム | |||||||||||||||||
![]() | GP10GEHE3/54 | - | ![]() | 6873 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | GP10 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.1 V @ 1 a | 3 µs | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | TZQ5226B-GS08 | 0.0303 | ![]() | 6404 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | TZQ5226 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28オーム | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5257C-HE3-18 | 0.0454 | ![]() | 8317 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5257 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | |||||||||||||||
![]() | SMZJ3808BHE3_B/i | 0.1500 | ![]() | 3947 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3808 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-SMZJ3808BHE3_B/ITR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | SMZJ3789bhm3/h | - | ![]() | 6288 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ37 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 50 µA @ 7.6 v | 10 v | 5オーム | |||||||||||||||
![]() | BZX384B3V9-G3-08 | 0.0445 | ![]() | 6076 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B3V9 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90オーム | |||||||||||||||
DZ23C20-E3-08 | 0.0415 | ![]() | 9474 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | DZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通カソード | 100 na @ 12 v | 20 v | 40オーム | |||||||||||||||
![]() | BZW03C130-TAP | - | ![]() | 4577 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 100 V | 130 v | 190オーム | ||||||||||||||
![]() | VB60170G-E3/4W | 3.7000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TMBS® | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | VB60170 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 170 v | 30a | 1.02 V @ 30 a | 450 µA @ 170 v | -40°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | TZM5252C-GS08 | - | ![]() | 2752 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5252 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 18 V | 24 v | 33オーム | ||||||||||||||
![]() | 1N4002GPEHE3/73 | - | ![]() | 3445 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4002 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 標準回復> 500ns | 100 V | 1.1 V @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
BZX584C4V3-VG-08 | - | ![]() | 4850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX584C-VG | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | VS-30EPF04-M3 | 3.4444 | ![]() | 3719 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-247-2 | 30EPF04 | 標準 | TO-247AC修正 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS30EPF04M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.41 V @ 30 a | 100 µA @ 400 V | -40°C〜150°C | 30a | - | ||||||||||||
![]() | VS-8CVH02HM3/i | 0.9900 | ![]() | 222 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、FREDPT® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | 8CVH02 | 標準 | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 4a | 1.14 V @ 8 a | 25 ns | 4 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | V20DM153CHM3/i | 0.6015 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | ショットキー | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-V20DM153CHM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 10a | 980 mV @ 10 a | 100 µA @ 150 V | -40°C〜175°C | |||||||||||||
AZ23C47-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 8167 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C47 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 35 V | 47 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | BZW03D150-TAP | - | ![]() | 8245 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±10% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 110 v | 150 v | 330オーム | ||||||||||||||
![]() | SMBZ5932B-E3/52 | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBZ5932 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 15.2 v | 20 v | 14オーム | ||||||||||||||
![]() | TZM5247F-GS18 | - | ![]() | 4220 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5247 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 13 V | 17 v | 600オーム |
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