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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SMZJ3808bhm3_a/h	-	RFQ	5321	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3808		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750						5 µA @ 47.1 v				62 v	100オーム
MMBZ4690-E3-08	-	RFQ	2978	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4690		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						10 µA @ 4 V				5.6 v
MPG06MHE3_A/53	0.1487	RFQ	2795	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	mpg06 、軸	MPG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns	1000 V	1.1 V @ 1 a	600 ns	5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	10pf @ 4V、1MHz
BZX84B27-HE3_A-18	0.0498	RFQ	8383	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84B27-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000						50 Na @ 18.9 v				27 v	80オーム
PTV5.6B-E3/85A	-	RFQ	3201	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV5.6		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000				1.5 V @ 200 mA		20 µA @ 1.5 v				6 v	8オーム
BZG05C24-HM3-08	0.4200	RFQ	682	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg05c-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.83％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C24		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500				1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 18 V				24 v	25オーム
SS36HM3_a/i	0.2515	RFQ	2564	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SS36	ショットキー		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-SS36HM3_A/ITR	ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns	60 V	750 mV @ 3 a		500 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	-
BZD27C100P-E3-08	0.4400	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C100		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 75 V				100 V	200オーム
SML4755-E3/5A	0.1733	RFQ	8903	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±10％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SML4755		1 W	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	7,500						5 µA @ 32.7 v				43 v	70オーム
BZX384C22-HE3-08	0.0341	RFQ	2329	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C22		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000						50 Na @ 15.4 v				22 v	55オーム
BZT55B5V6-GS18	0.0433	RFQ	9215	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55B5V6		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000				1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V				5.6 v	40オーム
ZMM5239B-13	-	RFQ	4977	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	do-213aa （ガラス）	ZMM52		500 MW	do-213aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ZMM5239B-13GI	ear99	8541.10.0050	10,000				1.5 V @ 200 mA		3 µA @ 7 V				9.1 v	10オーム
SS29HE3/52T	-	RFQ	2389	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	SS29	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns	90 v	750 mv @ 1 a		30 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	1.5a	-
GP15GHE3/73	-	RFQ	8130	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	GP15	標準		DO-204AC （DO-15）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		標準回復> 500ns	400 V	1.1 V @ 1.5 a	3.5 µs	5 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1.5a	-
MMBZ4683-G3-18	-	RFQ	2161	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4683		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						800 Na @ 1 V				3 v
DZ23C51-G3-08	0.0483	RFQ	5662	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通カソード					100 Na @ 38 V				51 v	100オーム
gdz9v1b-hg3-08	0.0509	RFQ	1144	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ9V1		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000						500 NA @ 6 V				9.1 v	30オーム
BZX85C3V0-TR	0.3800	RFQ	18	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX85	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	BZX85C3V0		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000						100 µA @ 1 V				3 v	20オーム
BZX84C7V5-HE3-18	0.0323	RFQ	8795	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C7V5		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1 µA @ 5 V				7.5 v	15オーム
VS-88HFR40	9.0122	RFQ	7067	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド	88HFR40	標準、逆極性		do-203ab（do-5）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VS88HFR40	ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns	400 V	1.2 V @ 267 a			-65°C〜180°C	85a	-
se30nj-m3/i	0.4900	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn		標準		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	14,000		標準回復> 500ns	600 V	1.1 V @ 3 a	1.5 µs	10 µA @ 600 V	-55°C〜175°C	3a	19pf @ 4V、1MHz
AZ23B12-E3-08	0.0509	RFQ	2277	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B12		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード					100 na @ 9 v				12 v	20オーム
VS-88-7316	-	RFQ	9431	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					88-7316				-				112-VS-88-7316			1
GDZ11B-HG3-08	0.0523	RFQ	9084	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ11		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000						100 Na @ 8 V				11 v	30オーム
MMSZ5261B-HE3_A-08	0.0549	RFQ	1868年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5261B-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000				900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 36 V				47 v	105オーム
RGP02-15E-M3/73	-	RFQ	5729	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP02	標準		do-204al（do-41）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	3,000		高速回復= <500ns	1500 v	1.8 V @ 100 MA	300 ns	5 µA @ 1500 V	-65°C〜175°C	500mA	-
UG8BT-E3/45	-	RFQ	4864	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	UG8B	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	100 V	1 V @ 8 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	8a	-
1N5236B-TR	0.1900	RFQ	37	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5236		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000				1.1 V @ 200 mA		3 µA @ 6 V				7.5 v	6オーム
egl34che3_a/h	-	RFQ	8592	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213aa （ガラス）	EGL34	標準		do-213aa	ダウンロード			影響を受けていない	egl34che3_b/h	ear99	8541.10.0070	2,500		高速回復= <500ns	150 v	1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	500mA	7pf @ 4V、1MHz
BZT55B11-GS08	0.0433	RFQ	1402	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55B11		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500				1.5 V @ 200 mA		100 na @ 7.5 v				11 v	15オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²