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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
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MMBZ5237B-G3-18	-	RFQ	8130	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5237		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 6.5 v						8.2 v	6オーム
RGP10K-M3/73	-	RFQ	3773	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		800 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
UH2B-M3/5BT	-	RFQ	6614	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-214AA、SMB	uh2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	7,500		高速回復= <500ns		100 V		1.05 V @ 2 a	35 ns	2 µA @ 100 V	-55°C〜175°C	2a	42pf @ 4V、1MHz
VS-ETX1506S-M3	0.7542	RFQ	9155	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	pt®	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	ETX1506	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSETX1506SM3	ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		600 V		3.4 V @ 15 a	20 ns	36 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	15a	-
BZX84C5V6-HE3-18	0.0313	RFQ	5688	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C5V6		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 2 V						5.6 v	40オーム
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1N4728A-T	-	RFQ	9169	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4728		1.3 w	DO-41	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	5,000						1.2 V @ 200 mA		100 µA @ 1 V						3.3 v	400オーム
BZG05C5V6-E3-TR	-	RFQ	5688	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 2 V						5.6 v	7オーム
AZ23C4V3-G3-08	0.0483	RFQ	4609	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C4V3		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード													4.3 v	95オーム
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VLZ6V8C-GS18	-	RFQ	9244	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	Vlz6v8		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 4 V						6.84 v	8オーム
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1N4752A-T	-	RFQ	2719	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	175°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4752		1.3 w	DO-41	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	5,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 25.1 v						33 v	1000オーム
1N4946GPHE3/73	-	RFQ	2462	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4946	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		600 V		1.3 V @ 1 a	250 ns	1 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
VF10150C-M3/4W	0.5095	RFQ	8323	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	VF10150	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	5a	1.41 V @ 5 a		100 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
BZT52C9V1-HE3_A-18	0.0533	RFQ	7736	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52C9V1-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 7 V						9.1 v	10オーム
ES3D-E3/9AT	0.6300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
BZT52C4V3-HE3-18	0.0378	RFQ	3237	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52C4V3		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000														4.3 v	80オーム
PTV33B-E3/84A	-	RFQ	5942	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV33		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 25 V						35 v	18オーム
EDF1AS-E3/77	1.2300	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C （TJ	表面マウント	4-SMD 、カモメの翼	EDF1	標準		DFS	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500						1.05 V @ 1 a		5 µA @ 50 V		1 a		単相	50 v
MURS360S-M3/52T	0.1280	RFQ	9211	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	MURS360	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns		600 V		1.45 V @ 3 a	75 ns	5 µA @ 600 v	-65°C〜175°C	1.5a	-
BZX84B12-HE3_A-08	0.0498	RFQ	7356	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84B12-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 8 V						12 v	25オーム
BZT55B3V3-GS08	0.0433	RFQ	3222	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55B3V3		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V						3.3 v	90オーム
TZMC30-M-08	0.0324	RFQ	8048	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC30		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 mA		100 na @ 22 v						30 V	80オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²