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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-MBRB1035TRLHM3	0.9365	RFQ	8526	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB1035	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-MBRB1035TRLHM3TR	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		35 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 35 V	-55°C〜150°C	10a	600pf @ 5V、1MHz
PTV27B-E3/84A	-	RFQ	7406	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±7％	150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV27		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 21 V				28.9 v	16オーム
MMSZ5254B-HE3_A-18	0.0549	RFQ	9634	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5254B-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 21 V				27 v	41オーム
BZT52C20-HE3_A-08	0.0533	RFQ	8778	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52C20-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 15 V				20 v	50オーム
BZX884B13L-G3-08	0.3200	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX884L	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	0402 （1006メトリック）			300 MW	DFN1006-2A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V				13 v	30オーム
AZ23C5V1-E3-18	0.3100	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C5V1		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 800 mV				5.1 v	60オーム
gdz3v9b-he3-18	0.0378	RFQ	6972	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、gdz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	gdz3v9		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 1 V				3.9 v	100オーム
gurb5h60he3/81	-	RFQ	3592	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3	gurb5	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		600 V		1.8 V @ 5 a	30 ns	20 µA @ 600 v	-55°C〜150°C	5a	-
BZX384B10-E3-08	0.2700	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B10		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								200 Na @ 7 V				10 v	20オーム
MMBZ4682-G3-08	-	RFQ	3429	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4682		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								1 µA @ 1 V				2.7 v
SSA24HE3_A/H。	0.4700	RFQ	626	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA	SSA24	ショットキー		do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,800		高速回復= <500ns		40 v		490 mV @ 2 a		200 µA @ 30 V	-65°C〜150°C	2a	-
VS-6TQ035STRL-M3	0.5613	RFQ	9889	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	6tq035	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		35 v		600 mV @ 6 a		800 µA @ 35 V	-55°C〜175°C	6a	400pf @ 5v、1MHz
egl34dhe3_a/h。	-	RFQ	8386	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101 、Superectifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213aa （ガラス）	EGL34	標準		do-213aa	ダウンロード			影響を受けていない	egl34dhe3_b/h。	ear99	8541.10.0070	2,500		高速回復= <500ns		200 v		1.25 V @ 500 Ma	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	500mA	7pf @ 4V、1MHz
VS-HFA120FA60P	-	RFQ	7617	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	hexfred®	トレイ	廃止			シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	HFA120	標準		SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		VSHFA120FA60P	ear99	8541.10.0080	180		高速回復= <500ns	2独立	600 V	75a	1.7 V @ 60 a	98 ns	20 µA @ 600 v	-55°C〜150°C
VFT4060C-E3/4W	1.2067	RFQ	5160	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	VFT4060	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	20a	620 mv @ 20 a		6 MA @ 60 V	-40°C〜150°C
VS-20CTQ150-1-011P	-	RFQ	5012	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	To-262-3 Long Leads	20CTQ150	ショットキー		TO-262-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	vs20ctq1501011p	ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	10a	1 V @ 20 a		25 µA @ 300 V	175°C （最大）
VS-32CTQ030-1PBF	-	RFQ	3037	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	sicで中止されました			穴を通して	To-262-3 Long Leads	32CTQ030	ショットキー		TO-262-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	15a	490 mV @ 15 a		1.75 mA @ 30 V	-55°C〜150°C
1N5406-E3/51	-	RFQ	9385	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	1N5406	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		標準回復> 500ns		600 V		1.2 V @ 3 a		5 µA @ 600 v	-50°C〜150°C	3a	30pf @ 4V、1MHz
SS3P4L-E3/87A	-	RFQ	5773	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	SS3P4	ショットキー		TO-277A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500		高速回復= <500ns		40 v		470 mV @ 3 a		250 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	-
VS-SD1100C12C	73.6800	RFQ	23	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			クランプオン	do-200aa、a-puk	SD1100	標準		b-43 、ホッケー puk	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	12		標準回復> 500ns		1200 v		1.31 V @ 1500 a		35 mA @ 1200 v		1400a	-
rs1pghm3_a/h	0.1002	RFQ	5069	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	rs1p	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	9pf @ 4V、1MHz
MSS1p3Hm3_a/h	0.3900	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	MicroSMP	MSS1p3	ショットキー		microSMP （DO-219AD）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	4,500		高速回復= <500ns		30 V		550 mV @ 1 a		200 µA @ 30 V	-55°C〜150°C	1a	50pf @ 4V、1MHz
U8DT-E3/4W	-	RFQ	1193	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	TO-263-3	U8	標準		TO-263AB	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		200 v		1.02 V @ 8 a	20 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	8a	-
VS-20ETF10STRL-M3	1.5601	RFQ	3334	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20ETF10	標準		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		1000 V		1.31 V @ 20 a	400 ns	100 µA @ 1000 V	-40°C〜150°C	20a	-
BZX384B43-G3-08	0.0445	RFQ	4793	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B43		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								50 Na @ 30.1 v				43 v	150オーム
BY500-400-E3/54	-	RFQ	6804	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			穴を通して	do-201ad、軸	BY500	標準		DO-201AD	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,400		高速回復= <500ns		400 V		1.35 V @ 5 a	200 ns	10 µA @ 400 V	125°C （最大）	5a	28pf @ 4V、1MHz
S1PMHM3/84A	0.3800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	S1P	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1a	6PF @ 4V、1MHz
BZD27C36P-M-18	-	RFQ	6738	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C36		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 27 V				36 v	40オーム
MMBZ5261B-E3-08	-	RFQ	9140	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5261		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 36 V				47 v	105オーム
BZG05B27-HE3-TR3	-	RFQ	9375	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 20 V				27 v	30オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²