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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
TZMC30-M-08	0.0324	RFQ	8048	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC30		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.5 V @ 200 mA		100 na @ 22 v						30 V	80オーム
MMBZ5237B-G3-18	-	RFQ	8130	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5237		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 6.5 v						8.2 v	6オーム
VSIB10A20-E3/45	-	RFQ	6453	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip gsib-5s	VSIB10	標準		GSIB-5S	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,200						1 V @ 5 a		10 µA @ 200 v		10 a		単相	200 v
VSSB410S-E3/52T	0.4500	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SB410	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns		100 V		770 mV @ 4 a		250 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	1.9a	230pf @ 4V、1MHz
1N5257B-TR	0.1800	RFQ	26	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5257		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 25 V						33 v	58オーム
BZX84B2V7-HE3_A-18	-	RFQ	2115	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-BZX84B2V7-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1								20 µA @ 1 V						2.7 v	100オーム
RGP10K-M3/73	-	RFQ	3773	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		800 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
RMPG06GHE3/73	-	RFQ	5624	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	mpg06 、軸	RMPG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	6.6pf @ 4V、1MHz
v40pwm63chm3/i	0.6821	RFQ	5595	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3		ショットキー		Slimdpak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-V40PWM63CHM3/ITR	ear99	8541.10.0080	4,500		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	60 V	20a	740 mV @ 20 a		30 µA @ 60 V	-40°C〜175°C
AZ23B3V9-G3-08	0.0594	RFQ	2964	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23B3V9		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード													3.9 v	95オーム
AZ23C4V3-G3-08	0.0483	RFQ	4609	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C4V3		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード													4.3 v	95オーム
TLZ27C-GS18	0.0335	RFQ	2864	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ27		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		40 Na @ 24.3 v						27 v	45オーム
MBR1550CTHE3/45	-	RFQ	8352	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	MBR15	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	50 v	7.5a	750 mV @ 7.5 a		1 MA @ 50 V	-65°C〜175°C
Z47-BO123-HE3-08	-	RFQ	6859	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	*	テープ＆リール（ tr）	廃止					Z47-BO123				-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000
VS-12F100	7.6600	RFQ	1156	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ			シャーシ、スタッドマウント	do-203aa	12F100	標準		do-203aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	100		標準回復> 500ns		1000 V		1.26 V @ 38 a		12 mA @ 1000 v	-65°C〜175°C	12a	-
BZX884B13L-G3-08	0.3200	RFQ	9	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX884L	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	0402 （1006メトリック）			300 MW	DFN1006-2A	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 8 V						13 v	30オーム
AZ23C3V0-G3-08	0.0483	RFQ	6227	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C3V0		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通アノード													3 v	95オーム
BZM55C3V9-TR	0.2800	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55C3V9		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 1 V						3.9 v	600オーム
BZT52C9V1-HE3_A-18	0.0533	RFQ	7736	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			300 MW	SOD-123	ダウンロード				112-BZT52C9V1-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 7 V						9.1 v	10オーム
VS-MBRB1035TRLHM3	0.9365	RFQ	8526	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	MBRB1035	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	112-VS-MBRB1035TRLHM3TR	ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns		35 v		840 mV @ 20 a		100 µA @ 35 V	-55°C〜150°C	10a	600pf @ 5V、1MHz
ES3D-E3/9AT	0.6300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	ES3	標準		do-214ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,500		高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 3 a	30 ns	10 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	3a	45pf @ 4V、1MHz
1N5232B-TAP	0.2300	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5232		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.1 V @ 200 mA		5 µA @ 3 V						5.6 v
SB2H90-E3/73	-	RFQ	7750	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AC 、DO-15、軸	SB2H90	ショットキー		DO-204AC （DO-15）	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	2,000		高速回復= <500ns		90 v		790 mV @ 2 a		10 µA @ 90 V	-55°C〜175°C	2a	-
MBRF10H100CT-E3/45	0.8983	RFQ	3823	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF10	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	5a	760 mV @ 5 a		3.5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
VLZ18C-GS18	-	RFQ	6906	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、vlz	テープ＆リール（ tr）	廃止	-	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	VLZ18		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		40 µA @ 16.5 v						17.88 v	23オーム
vs-6dkh02hm3/h	0.8100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、FREDPT®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	8-powertdfn	6DKH02	標準		フラットパック5x6（デュアル）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns	2独立	200 v	3a	940 mV @ 3 a	25 ns	2 µA @ 200 v	-55°C〜175°C
BZT55C20-GS08	0.2100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzt55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55C20		500 MW	SOD-80 Quadromelf	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 15 V						20 v	55オーム
vs-8ews12strl-m3	2.9200	RFQ	1117	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	to-252-3	8ews12	標準		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000		標準回復> 500ns		1200 v		1.1 V @ 8 a		50 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	8a	-
BZT55A18-GS08	-	RFQ	3060	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±1％	175°C	表面マウント	SOD-80バリアント	BZT55		500 MW	SOD-80 Quadromelf	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 13 V						18 v	50オーム
V20120SGHM3/4W	-	RFQ	6615	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3	V20120	ショットキー		TO-220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		120 v		1.33 V @ 20 a		250 µA @ 120 V	-40°C〜150°C	20a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²