画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MMSZ5250C-HE3_A-18 | 0.0566 | ![]() | 2165 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5250C-HE3_A-18TR | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 15 V | 20 v | 25オーム | |||||||||||||||||
![]() | vs-30cth02pbf | - | ![]() | 6367 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | pt® | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-220-3 | 30cth02 | 標準 | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 200 v | 15a | 1.05 V @ 15 a | 35 ns | 10 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | ||||||||||||
![]() | MMSZ5258B-E3-08 | 0.2700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5258 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70オーム | |||||||||||||||
![]() | UGB15HT-E3/45 | - | ![]() | 7505 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UGB15 | 標準 | TO-263AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 500 V | 1.75 V @ 15 a | 50 ns | 30 µA @ 500 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||
![]() | BZD27C10P-E3-08 | 0.5300 | ![]() | 620 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27C | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 7 µA @ 7.5 v | 10 v | 4オーム | ||||||||||||||
![]() | BZG05C18-HE3-TR | - | ![]() | 6483 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 AEC-Q101、BZG05C | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 13 V | 18 v | 20オーム | ||||||||||||||
![]() | murs120he3_a/i | 0.1815 | ![]() | 7764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AA、SMB | MURS120 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,200 | 高速回復= <500ns | 200 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA @ 200 v | -65°C〜175°C | 2a | - | ||||||||||||
![]() | BZD27C75P-M-18 | - | ![]() | 1089 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C75 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 56 v | 75 v | 100オーム | ||||||||||||||
![]() | 403CMQ080 | - | ![]() | 6830 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 廃止 | シャーシマウント | TO-244AB | 403cmq | ショットキー | TO-244AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | *403CMQ080 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 80 v | 200a | 830 mv @ 200 a | 6 MA @ 80 V | -55°C〜175°C | ||||||||||||
BZX84B4V3-HE3-08 | 0.0331 | ![]() | 2208 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX84 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B4V3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 90オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZD27B22P-HE3-18 | 0.1238 | ![]() | 9859 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzd27b | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27B22 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 16 V | 22 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | nsf8jthe3_b/p | - | ![]() | 9385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | NSF8 | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 標準回復> 500ns | 600 V | 1.1 V @ 8 a | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 8a | 55pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
BZX84B30-G3-08 | 0.2900 | ![]() | 4639 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B30 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 50 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | 1N4150W-E3-08 | 0.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOD-123 | 1N4150 | 標準 | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | 150°C (最大) | 200mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | ||||||||||||
![]() | ZMM5223B-7 | - | ![]() | 5578 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | ZMM52 | 500 MW | ミニメルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | 2KBP01M-E4/72 | - | ![]() | 7998 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | 箱 | 廃止 | -55°C〜165°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | 2kbp01 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1.1 V @ 3.14 a | 5 µA @ 100 V | 2 a | 単相 | 100 V | ||||||||||||||
![]() | V30D100CHM3/i | 0.8087 | ![]() | 1510 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | V30D100 | ショットキー | TO-263AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-V30D100CHM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 820 mv @ 10 a | 500 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||
![]() | SML4754HE3/61 | - | ![]() | 6139 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4754 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-18TQ045STRLHM3 | 1.3679 | ![]() | 6651 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 18tq045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-VS-18TQ045STRLHM3TR | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 45 v | 600 mV @ 18 a | 2.5 MA @ 45 v | -55°C〜175°C | 18a | 1400pf @ 5V、1MHz | ||||||||||||
![]() | EGP30G-E3/73 | - | ![]() | 3213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-201AA | EGP30 | 標準 | GP20 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.25 V @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 3a | - | ||||||||||||
![]() | VS-40CTQ150STRLPBF | - | ![]() | 4940 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 40CTQ150 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 20a | 1.16 V @ 40 a | 50 µA @ 150 v | 175°C (最大) | |||||||||||||
![]() | KBP04M-E4/51 | - | ![]() | 4193 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、kbpm | KBP04 | 標準 | KBPM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 1 V @ 1 a | 5 µA @ 400 V | 1.5 a | 単相 | 400 V | ||||||||||||||
![]() | TZM5231B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | - | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5231 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | |||||||||||||||
![]() | SBLB1040-E3/45 | - | ![]() | 6452 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | SBLB1040 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 40 v | 600 mV @ 10 a | 1 MA @ 40 V | -40°C〜125°C | 10a | - | |||||||||||||
AZ23B33-HE3_A-08 | - | ![]() | 4392 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-AZ23B33-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 50 Na @ 23.1 v | 33 v | 80オーム | ||||||||||||||||||
![]() | uh6pjhm3_a/i | - | ![]() | 6109 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | uh6 | 標準 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 3 V @ 6 a | 25 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜175°C | 6a | 30pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | PTV10B-E3/84A | - | ![]() | 7231 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6% | 150°C | 表面マウント | DO-220AA | PTV10 | 600 MW | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 7 V | 10.6 v | 6オーム | ||||||||||||||
DZ23C39-E3-08 | 0.0415 | ![]() | 5090 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | DZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DZ23 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通カソード | 100 Na @ 29 v | 39 v | 90オーム | |||||||||||||||
![]() | RS1A-M3/5AT | 0.0682 | ![]() | 9212 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | RS1A | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-70HFR40M | 17.0803 | ![]() | 4572 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 70HFR40 | 標準、逆極性 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS70HFR40M | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 標準回復> 500ns | 400 V | 1.35 V @ 220 a | -65°C〜180°C | 70a | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫