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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
BZG04-9V1-M3-08	0.5400	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-9V1		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 9.1 v						11 v
MMBZ5243B-HE3-18	-	RFQ	8095	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5243		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								500 NA @ 9.9 v						13 v	13オーム
VS-8TQ060-M3	1.1700	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	8TQ060	ショットキー		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50		高速回復= <500ns		60 V		880 mV @ 16 a		550 µA @ 60 V	-55°C〜175°C	8a	500pf @ 5V、1MHz
Z4KE140AHE3/73	-	RFQ	3660	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	Z4KE140		1.5 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1 V @ 500 MA		500 NA @ 106.4 v						140 v	900オーム
V12P6HM3_a/h	0.9300	RFQ	7003	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	V12p6	ショットキー		TO-277A	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500		高速回復= <500ns		60 V		610 mv @ 12 a		2.9 MA @ 60 V	-40°C〜150°C	12a	-
MMBZ5239B-G3-08	-	RFQ	4407	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5239		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								3 µA @ 7 V						9.1 v	10オーム
1N4744A-TAP	0.3600	RFQ	61	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4744		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000						1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 11.4 v						15 V	14オーム
BZG05C5V6-M3-18	0.3900	RFQ	5439	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±7.14％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C5V6		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 2 V						5.6 v	7オーム
MMBZ5264C-HE3-18	-	RFQ	5393	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5264		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 46 v						60 V	170オーム
BZX884B5V6L-G3-08	0.3200	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX884L	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	0402 （1006メトリック）			300 MW	DFN1006-2A	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 2 V						5.6 v	40オーム
GDZ2V7B-HE3-08	0.0378	RFQ	7634	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、gdz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±4％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ2V7		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 µA @ 1 V						2.7 v	110オーム
AZ23C5V1-E3-08	0.3100	RFQ	17	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C5V1		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000	1ペア共通アノード							100 Na @ 800 mV						5.1 v	60オーム
SF4005-TAP	0.3267	RFQ	7675	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	SF4005	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000		高速回復= <500ns		600 V		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	1a	-
ns8athe3_a/p	-	RFQ	2496	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	NS8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
BZX55B22-TR	0.2200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B22		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 16 V						22 v	55オーム
VBT3080C-M3/4W	0.9167	RFQ	7399	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	VBT3080	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	15a	820 mv @ 15 a		700 µA @ 80 V	-55°C〜150°C
BZX584C9V1-HG3-08	0.3300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX584C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000								500 NA @ 5 V						9.1 v	6オーム
BZG04-130-M3-08	0.5400	RFQ	5	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG04-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG04-130		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500						1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 130 v						160 v
VX80M45PW-M3/p	2.1115	RFQ	8928	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-247-3		ショットキー		TO-247AD	ダウンロード			影響を受けていない	112-VX80M45PW-M3/p	ear99	8541.10.0080	25		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	45 v	40a	610 mv @ 40 a		550 µA @ 45 V	-40°C〜175°C
MMBZ5250B-HE3-08	-	RFQ	7032	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5250		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000								100 Na @ 15 V						20 v	25オーム
ZMM5223B-13	-	RFQ	7145	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	ZMM52		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V						2.7 v	30オーム
SMZJ3790AHE3/5B	-	RFQ	1017	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±10％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ37		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,200								10 µA @ 8.4 v						11 v	6オーム
SB2M-M3/5BT	0.1160	RFQ	7744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SB2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200		標準回復> 500ns		1000 V		1.15 V @ 2 a	2 µs	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	2a	16pf @ 4V、1MHz
BZT52B39-E3-08	0.3100	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B39		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								100 Na @ 29 v						39 v	50オーム
V7NM153HM3/h	0.6400	RFQ	2706	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	Automotive 、AEC-Q101、TMBS®	バルク	アクティブ			表面マウント、濡れ可能な側面	2-vdfn	V7NM153	ショットキー		DFN3820A	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	112-V7NM153HM3/h			1		高速回復= <500ns		150 v		980 mV @ 7 a		70 µA @ 150 V	-40°C〜175°C	2a	390pf @ 4V、1MHz
MMBZ4696-HE3-18	-	RFQ	5819	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4696		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 6.9 v						9.1 v
BZX384B3V6-G3-18	0.0445	RFQ	7608	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B3V6		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 1 V						3.6 v	90オーム
BZW03C68-TAP	-	RFQ	1929年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500						1.2 V @ 1 a		2 µA @ 51 v						68 v	45オーム
AZ23C2V7-HE3-18	0.0436	RFQ	9677	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、AZ23	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	AZ23C2V7		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000	1ペア共通アノード													2.7 v	83オーム
VS-2KBB20R	1.7500	RFQ	408	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip 、2kbb	2KBB20	標準		2kbb	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500						1.1 V @ 1.9 a		10 µA @ 200 v		1.9 a		単相	200 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²