画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TZM5246B-GS18 | 0.0303 | ![]() | 5606 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5246 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 mA | 100 na @ 12 v | 16 v | 17オーム | ||||||||||||
![]() | MP805-E3/54 | - | ![]() | 1826年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | MP805 | 標準 | do-204al(do-41) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 標準回復> 500ns | 400 V | - | 1a | - | |||||||||||||
![]() | BYM10-1000-E3/97 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym10 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 標準回復> 500ns | 1000 V | 1.2 V @ 1 a | 10 µA @ 1000 v | -65°C〜175°C | 1a | 8pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
MMBZ4618-E3-08 | - | ![]() | 5354 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4618 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1 µA @ 1 V | 2.7 v | 1500オーム | ||||||||||||||
![]() | LL4150GS08 | 0.2000 | ![]() | 53 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | LL4150 | 標準 | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 200 mA | 4 ns | 100 Na @ 50 V | -55°C〜175°C | 300mA | 2.5pf @ 0V、1MHz | ||||||||||
![]() | VS-MBRB735TRLPBF | - | ![]() | 6401 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | MBRB7 | ショットキー | TO-263AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 35 v | 840 mV @ 15 a | 100 µA @ 35 V | -65°C〜150°C | 7.5a | 400pf @ 5v、1MHz | |||||||||||
![]() | V40M120C-M3/4W | 1.2106 | ![]() | 5524 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive 、AEC-Q101、TMBS® | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | V40M120 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 120 v | 20a | 890 mV @ 20 a | 500 µA @ 120 V | -40°C〜175°C | |||||||||||
![]() | SML4732-E3/61 | - | ![]() | 9303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4732 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | UB8CT-E3/8W | - | ![]() | 8761 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UB8 | 標準 | TO-263AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.02 V @ 8 a | 20 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | MMSZ5237B-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 5432 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5237 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 3 µA @ 6.5 v | 8.2 v | 8オーム | |||||||||||||
MMBZ5257B-HE3-08 | - | ![]() | 1159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5257 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | ||||||||||||||
![]() | egl34ahe3_a/h | - | ![]() | 3706 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | EGL34 | 標準 | do-213aa | ダウンロード | 影響を受けていない | egl34ahe3_b/h | ear99 | 8541.10.0070 | 2,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.25 V @ 500 Ma | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 500mA | 7pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | VS-VSKCS440/030 | 52.4760 | ![]() | 8330 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシマウント | add-a-pak | VSKCS440 | ショットキー | Add-A-Pak® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSVSKCS440030 | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 高速回復= <500ns | 1ペアシリーズ接続 | 30 V | 220A | 680 mV @ 220 a | 20 mA @ 30 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | fesb8bthe3_a/i | 0.8085 | ![]() | 6742 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | FESB8 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 100 V | 950 mv @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | SML4749HE3/5A | - | ![]() | 9929 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±10% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4749 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 25オーム | |||||||||||||
![]() | BZX85B4V3-TR | 0.0561 | ![]() | 6520 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX85 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BZX85B4V3 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 25,000 | 3 µA @ 1 V | 4.3 v | 13オーム | |||||||||||||
![]() | MB30H100CTHE3_B/i | 1.2985 | ![]() | 2884 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | MB30H100 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 100 V | 15a | 820 mv @ 15 a | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | |||||||||||
![]() | SS5P10HM3_A/H。 | 0.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS5P10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 880 mV @ 5 a | 15 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 130pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZG05B7V5-M3-08 | 0.1980 | ![]() | 8132 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B7V5 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 4.5 v | 7.5 v | 3オーム | ||||||||||||
![]() | BZX884B30L-HG3-08 | 0.3600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | 0402 (1006メトリック) | BZX884 | 300 MW | DFN1006-2A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 900 mV @ 10 Ma | 50 Na @ 21 V | 30 V | 80オーム | ||||||||||||
![]() | TZX3V9B-TAP | 0.0290 | ![]() | 1982年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX3V9 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.5 V @ 200 mA | 5 µA @ 1 V | 3.9 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | ES3DHM3_a/i | 0.2673 | ![]() | 1654 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-214ab 、mc | ES3D | 標準 | do-214ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 112-ES3DHM3_A/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 900 mV @ 3 a | 30 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 3a | 45pf @ 4V、1MHz | |||||||||
AZ23B30-E3-08 | 0.0509 | ![]() | 3713 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B30 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 22.5 v | 30 V | 80オーム | |||||||||||||
![]() | MMSZ5245B-HE3-18 | 0.2900 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5245 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 11 v | 15 V | 16オーム | |||||||||||||
BZX84B51-E3-18 | 0.0324 | ![]() | 3463 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B51 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 35.7 v | 51 v | 180オーム | ||||||||||||||
![]() | FEPB6CT-E3/81 | - | ![]() | 1895年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | FEPB6 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 150 v | 6a | 975 mV @ 3 a | 35 ns | 5 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | ||||||||||
![]() | VS-3C04ET07T-M3 | 2.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 112-VS-3C04ET07T-M3 | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 回復時間なし> 500ma | 650 V | 1.5 V @ 4 a | 0 ns | 25 µA @ 650 v | -55°C〜175°C | 4a | 175pf @ 1V、1MHz | |||||||||||
![]() | BYM12-200HE3/97 | - | ![]() | 4764 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym12 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 20pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | V8P15-M3/h | 0.5800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP®、TMBS® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V8P15 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.08 V @ 8 a | 150 µA @ 150 V | -40°C〜150°C | 8a | - | |||||||||||
![]() | v10pw60chm3/i | 0.4072 | ![]() | 7820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | ショットキー | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-V10PW60CHM3/ITR | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 5a | 610 mv @ 5 a | 600 µA @ 60 V | -40°C〜150°C |
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