画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S1D-M3/5AT | 0.0508 | ![]() | 6258 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | S1D | 標準 | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 標準回復> 500ns | 200 v | 1.1 V @ 1 a | 1.8 µs | 1 µA @ 200 v | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-42CTQ030STRRHM3 | 1.4653 | ![]() | 7709 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 42CTQ030 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 30 V | 20a | 480 mV @ 20 a | 3 ma @ 30 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | BZD27C27P-M3-18 | 0.1650 | ![]() | 7550 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C27 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 50,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 20 V | 27 v | 15オーム | ||||||||||||||
![]() | BZT52B13-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 1943年年 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT52-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B13 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 10 V | 13 v | 9オーム | |||||||||||||||
![]() | bym11-50he3/96 | - | ![]() | 1457 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | bym11 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | bym11-50he3_a/h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | BZX384C3V3-HE3-08 | 0.2600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384C3V3 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 1 V | 3.3 v | 95オーム | |||||||||||||||
AZ23C20-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 8586 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23C20 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 15 V | 20 v | 50オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-12FL60S05 | 5.3962 | ![]() | 7407 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | アクティブ | シャーシ、スタッドマウント | do-203aa | 12fl60 | 標準 | do-203aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.4 V @ 12 a | 500 ns | 50 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 12a | - | ||||||||||||
![]() | TZM5233B-GS08 | 0.2300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZM5233 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 3.5 v | 6 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | GBU8M-M3/45 | 2.2100 | ![]() | 4411 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | 4-sip、gbu | GBU8 | 標準 | GBU | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1 V @ 8 a | 5 µA @ 1000 v | 8 a | 単相 | 1 kV | ||||||||||||||
![]() | TZX18B-TR | 0.2100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZX | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | TZX18 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 13 V | 18 v | 55オーム | ||||||||||||||
![]() | gdz4v7b-e3-18 | 0.0360 | ![]() | 5327 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | GDZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | gdz4v7 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 100オーム | |||||||||||||||
![]() | BZT03C100-TAP | 0.2640 | ![]() | 8596 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT03 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±6% | 175°C (TJ) | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BZT03C100 | 1.3 w | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 75 V | 100 V | 200オーム | ||||||||||||||
![]() | BZD27C130P-M3-08 | 0.1733 | ![]() | 3055 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27C130 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 100 V | 130 v | 300オーム | ||||||||||||||
MMBZ5257C-HE3-08 | - | ![]() | 1786 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5257 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 58オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZG05B5V1-M3-08 | 0.1980 | ![]() | 3581 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.96% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B5V1 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 1.5 v | 5.1 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | SML4738AHE3/5A | - | ![]() | 7546 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4738 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 10 µA @ 6 V | 8.2 v | 4.5オーム | |||||||||||||||
![]() | V12P10HE3/87A | - | ![]() | 3932 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | V12P10 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 100 V | 700 mV @ 12 a | 250 µA @ 100 V | -40°C〜150°C | 12a | - | |||||||||||||
![]() | au2pdhm3/87a | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | au2 | 雪崩 | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.9 V @ 2 a | 75 ns | 10 µA @ 200 v | -55°C〜175°C | 1.6a | 42pf @ 4V、1MHz | ||||||||||||
![]() | VS-30CTQ045SPBF | - | ![]() | 5072 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 30CTQ045 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 45 v | 15a | 620 mv @ 15 a | 2 MA @ 45 v | -55°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | BAT82S-TAP | 0.0429 | ![]() | 1610 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BAT82 | ショットキー | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 50,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 50 v | 1 V @ 15 mA | 200 Na @ 50 V | 125°C (最大) | 30ma | 1.6pf @ 1V、1MHz | |||||||||||||
![]() | BZT52C4V7-HE3-08 | 0.2800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C4V7 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 4.7 v | 70オーム | ||||||||||||||||
AZ23B27-HE3-18 | 0.0534 | ![]() | 5012 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | AZ23B27 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1ペア共通アノード | 100 Na @ 20 V | 27 v | 80オーム | |||||||||||||||
![]() | ZM4758A-GS08 | 0.3900 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | ZM4758 | 1 W | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 5 µA @ 42.6 v | 56 v | 110オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-91MT160KPBF | 96.3207 | ![]() | 1321 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | mt-kモジュール | 91MT160 | 標準 | mt-k | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VS91MT160KPBF | ear99 | 8541.10.0080 | 15 | 90 a | 3フェーズ | 1.6 kV | |||||||||||||||
![]() | BZX55F2V4-TR | - | ![]() | 5652 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±1% | 175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 50 µA @ 1 V | 2.4 v | 85オーム | ||||||||||||||
![]() | SS10P4-E3/87A | - | ![]() | 2381 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-277、3-POWERDFN | SS10P4 | ショットキー | TO-277A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 6,500 | 高速回復= <500ns | 40 v | 560 mV @ 10 a | 800 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 10a | - | |||||||||||||
![]() | VS-16CTQ060HN3 | 1.1491 | ![]() | 9933 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | TO-220-3 | 16CTQ060 | ショットキー | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 8a | 720 mV @ 8 a | 550 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | |||||||||||||
![]() | TZMC8V2-GS08 | 0.2300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMC8v2 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 6.2 v | 8.2 v | 7オーム | ||||||||||||||
![]() | V40pw60c-m3/i | 1.4900 | ![]() | 228 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | to-252-3 | V40pw60 | ショットキー | Slimdpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 60 V | 20a | 680 mV @ 20 a | 2.4 mA @ 60 v | -40°C〜150°C |
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