画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | ダイオードタイプ | 電圧 -ピークリバース(最大) | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMZG3801B-E3/5B | 0.2407 | ![]() | 8517 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-215AA | SMZG3801 | 1.5 w | SMBG (DO-215AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 25.1 v | 33 v | 33オーム | |||||||||||||||
![]() | SML4732-E3/61 | - | ![]() | 9303 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4732 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 8オーム | |||||||||||||||
![]() | UB8CT-E3/8W | - | ![]() | 8761 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UB8 | 標準 | TO-263AB | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 150 v | 1.02 V @ 8 a | 20 ns | 10 µA @ 150 v | -55°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | 1N4743A-TAP | 0.3600 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | カットテープ(CT) | アクティブ | ±5% | 175°C (TJ) | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4743 | 1.3 w | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 9.9 v | 13 v | 10オーム | ||||||||||||||
![]() | BZD27B10P-E3-08 | 0.1155 | ![]() | 3659 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZD27B | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 30,000 | 1.2 V @ 200 mA | 7 µA @ 7.5 v | 10 v | 4オーム | ||||||||||||||
![]() | SMBZ5940B-E3/52 | 0.1676 | ![]() | 8911 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMBZ5940 | 3 W | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 750 | 1.5 V @ 200 mA | 1 µA @ 32.7 v | 43 v | 53オーム | ||||||||||||||
RMPG06JHE3_A/54 | 0.4800 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | Automotive、AEC-Q101 、Superectifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | mpg06 、軸 | RMPG06 | 標準 | MPG06 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,500 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 200 ns | 5 µA @ 600 v | -55°C〜150°C | 1a | 6.6pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | VS-20ets08S-M3 | 2.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 表面マウント | TO-263-3 | 20ets08 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.1 V @ 20 a | 100 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||||||
BAT54A-E3-08 | 0.3200 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | BAT54 | ショットキー | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小さな信号= <200ma(io )、任意の速度 | 1ペア共通アノード | 30 V | 200MA (DC) | 800 mV @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | 125°C (最大) | |||||||||||||
![]() | plz24d-g3/h | 0.3200 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | plz | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±3% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | PLZ24 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 19 v | 24 v | 35オーム | ||||||||||||||
![]() | MMSZ5258C-G3-18 | 0.0483 | ![]() | 3537 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | MMSZ5258 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 27 V | 36 v | 70オーム | |||||||||||||||
![]() | VS-47CTQ020SPBF | - | ![]() | 1147 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 47CTQ020 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 20 v | 20a | 450 mv @ 20 a | 3 ma @ 20 v | -55°C〜150°C | |||||||||||||
![]() | VS-S1405 | - | ![]() | 8869 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S1405 | - | 112-VS-S1405 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZM55B12-TR | 0.3300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | AEC-Q101、BZM55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | 2-SMD 、リードなし | BZM55B12 | 500 MW | マイクロメル | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 9.1 v | 12 v | 90オーム | ||||||||||||||
![]() | TZMB62-GS18 | 0.0411 | ![]() | 6114 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、TZM | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TZMB62 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 47 v | 62 v | 150オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-20MQ060HM3/5AT | 0.0937 | ![]() | 6130 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 20MQ060 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 60 V | 680 mV @ 2 a | 500 µA @ 60 V | -55°C〜150°C | 2a | 31pf @ 10V、1MHz | |||||||||||||
![]() | RGL41DHE3/96 | - | ![]() | 8665 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | do-213ab、メルフ(ガラス) | RGL41 | 標準 | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | rgl41dhe3_a/h | ear99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 高速回復= <500ns | 200 v | 1.3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
AZ23C3V6-HE3_A-08 | - | ![]() | 8401 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、AZ23 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 112-AZ23C3V6-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1ペア共通アノード | 5 µA @ 1 V | 3.6 v | 90オーム | ||||||||||||||||||
![]() | BZT52B33-HE3-18 | 0.0436 | ![]() | 6926 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52B33 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 25 V | 33 v | 80オーム | |||||||||||||||
MMBZ4702-HE3-18 | - | ![]() | 4351 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ4702 | 350 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 11.4 v | 15 V | |||||||||||||||||
![]() | BZW03C200-TAP | - | ![]() | 4109 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZW03 | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | SOD-64 、軸 | BZW03 | 1.85 w | SOD-64 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.2 V @ 1 a | 2 µA @ 150 v | 200 v | 500オーム | ||||||||||||||
![]() | vs-70mt160p-p | 38.1957 | ![]() | 4662 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | 12-MTPモジュール | 70MT160 | 標準 | 12-MTP PressFit | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 105 | 75 a | 3フェーズ | 1.6 kV | ||||||||||||||||
![]() | BZX384B13-G3-18 | 0.0445 | ![]() | 8185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384-G | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B13 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | |||||||||||||||
![]() | bzx55b5v6-tr | 0.2200 | ![]() | 64 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、 aec-q101、bzx55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55B5V6 | 500 MW | do-35 (do-204ah) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 100 Na @ 1 V | 5.6 v | 40オーム | ||||||||||||||
![]() | TLZ9V1A-GS08 | 0.0335 | ![]() | 4463 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ9V1 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 na @ 7.88 v | 9.1 v | 8オーム | ||||||||||||||
![]() | SML4754A-E3/5A | 0.5000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4754 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 5 µA @ 29.7 v | 39 v | 60オーム | |||||||||||||||
![]() | SS1FH6-M3/i | 0.0870 | ![]() | 3544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-219AB | SS1FH6 | ショットキー | do-219ab | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 高速回復= <500ns | 60 V | 700 mV @ 1 a | 3 µA @ 60 V | -55°C〜175°C | 1a | 90pf @ 4V、1MHz | |||||||||||||
![]() | PTV33B-E3/85A | - | ![]() | 6248 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±6% | 150°C | 表面マウント | DO-220AA | PTV33 | 600 MW | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 10 µA @ 25 V | 35 v | 18オーム | ||||||||||||||
BZX584C4V7-VG-08 | - | ![]() | 9953 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX584C-VG | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80オーム | ||||||||||||||||
![]() | BZG05B56-M3-08 | 0.1980 | ![]() | 5886 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B56 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 43 v | 56 v | 120オーム |
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