SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 許容範囲 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ スピード ダイオード構成 電圧-DC リバース( VR )(最大) 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) 電圧 -フォワード( vf )( max @ if 逆回復時間( trr) 現在 - @ vr 動作温度 -ジャンクション 現在 -平均修正( io) 容量 @ vr、f 電圧zener インピーダンス(最大)( ZZT)
BZT55B11-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55B11-GS08 0.0433
RFQ
ECAD 1402 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、bzt55 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント BZT55B11 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 mA 100 na @ 7.5 v 11 v 15オーム
MMBZ5238C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5238C-G3-08 -
RFQ
ECAD 7145 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 ±2% -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBZ5238 225 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 6.5 v 8.7 v 8オーム
UGB18ACT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB18ACT-E3/81 -
RFQ
ECAD 6147 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 UGB18 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 1ペア共通カソード 50 v 18a 1.1 V @ 9 a 30 ns 10 µA @ 50 V -65°C〜150°C
VS-VS30EDR16L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS30EDR16L -
RFQ
ECAD 4425 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 前回購入します VS30 - 112-VS-VS30EDR16L 1
BZG04-36-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-36-M3-18 0.1980
RFQ
ECAD 3674 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZG04-M テープ&リール( tr) アクティブ - 150°C (TJ) 表面マウント DO-214AC、SMA BZG04-36 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 Ma 5 µA @ 36 V 43 v
PLZ20D-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division plz20d-hg3_a/h 0.3600
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101 、PLZ テープ&リール( tr) アクティブ ±2.5% 150°C 表面マウント DO-219AC plz20 500 MW do-219ac(microsmf) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 4,500 900 mV @ 10 Ma 200 Na @ 15 V 20 v 28オーム
VIT1080S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VIT1080S-M3/4W 0.5273
RFQ
ECAD 5446 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ アクティブ 穴を通して To-262-3 Long Leads VIT1080 ショットキー TO-262AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 80 v 810 mv @ 10 a 600 µA @ 80 V -55°C〜150°C 10a -
UHB10FT-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division uhb10ft-e3/8w -
RFQ
ECAD 7360 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-263-3 uhb10 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 800 高速回復= <500ns 300 V 1.2 V @ 10 a 35 ns 5 µA @ 300 V -55°C〜175°C 10a -
BZG05B82-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B82-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 5925 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M テープ&リール( tr) アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント DO-214AC、SMA BZG05B82 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 mA 500 NA @ 62 v 82 v 200オーム
BZT52C10-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C10-HE3-18 0.0378
RFQ
ECAD 7268 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZT52 テープ&リール( tr) 前回購入します ±5% -55°C〜150°C 表面マウント SOD-123 BZT52C10 410 MW SOD-123 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 7.5 v 10 v 5.2オーム
BY229-800-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229-800-E3/45 -
RFQ
ECAD 7545 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 BY229 標準 TO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 800 V 1.85 V @ 20 a 145 ns 10 µA @ 800 V -40°C〜150°C 8a -
TLZ12A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ12A-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 6682 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 TLZ テープ&リール( tr) アクティブ - -65°C〜175°C 表面マウント DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 TLZ12 500 MW SOD-80ミニマルフ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 mA 40 Na @ 10.6 v 12 v 12オーム
VLZ18C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ18C-GS08 -
RFQ
ECAD 8950 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101、vlz テープ&リール( tr) 廃止 - -65°C〜175°C 表面マウント SOD-80バリアント VLZ18 500 MW SOD-80 Quadromelf ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 mA 40 µA @ 16.5 v 17.88 v 23オーム
BA158GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA158GPHE3/73 -
RFQ
ECAD 1529 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&ボックス( TB) 廃止 穴を通して DO-204AL 、DO-41 、軸 BA158 標準 do-204al(do-41) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 600 V 1.3 V @ 1 a 250 ns 5 µA @ 600 v -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V、1MHz
VS-S686D Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S686D -
RFQ
ECAD 5185 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 前回購入します S686D - 112-VS-S686D 1
VS-S1639 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1639 -
RFQ
ECAD 5403 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 前回購入します S1639 - 112-VS-S1639 1
BZG05B9V1-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B9V1-HM3-08 0.2079
RFQ
ECAD 9122 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M テープ&リール( tr) アクティブ ±1.98% 150°C (TJ) 表面マウント DO-214AC、SMA BZG05B9V1 1.25 w do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 mA 1 µA @ 6.8 v 9.1 v 5オーム
V8PAM10SHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pam10shm3/i 0.5000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-221BC ショットキー DO-221BC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 14,000 高速回復= <500ns 100 V 840 mV @ 8 a 180 µA @ 100 V -40°C〜175°C 2.8a 600pf @ 4V、1MHz
SML4755AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sml4755ahe3_a/h 0.5700
RFQ
ECAD 3770 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 150°C 表面マウント DO-214AC、SMA SML4755 1 W do-214ac ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 1,800 5 µA @ 32.7 v 43 v 70オーム
SMZJ3808BHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3808bhm3_b/i 0.1500
RFQ
ECAD 2435 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±5% -55°C〜150°C 表面マウント DO-214AA、SMB SMZJ3808 1.5 w do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 112-SMZJ3808BHM3_B/ITR ear99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 47.1 v 62 v 100オーム
UGF8ATHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ugf8athe3_a/p -
RFQ
ECAD 8544 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 チューブ 廃止 穴を通して TO-220-2 フルパック、分離タブ 標準 ITO-220AC ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 112-ugf8athe3_a/p ear99 8541.10.0080 50 高速回復= <500ns 50 v 1 V @ 8 a 30 ns 10 µA @ 50 V -55°C〜150°C 8a 45pf @ 4V、1MHz
MMSZ5266C-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5266C-HE3_A-08 0.0566
RFQ
ECAD 2798 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ ±2% 150°C (TJ) 表面マウント SOD-123 500 MW SOD-123 ダウンロード 112-MMSZ5266C-HE3_A-08TR ear99 8541.10.0050 15,000 900 mV @ 10 Ma 100 Na @ 52 v 68 v 230オーム
VS-VS19EDR20L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS19EDR20L -
RFQ
ECAD 7501 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - バルク 前回購入します vs19 - 112-VS-VS19EDR20L 1
EGP31A-E3/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division egp31a-e3/c 0.8118
RFQ
ECAD 7599 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 SuperEctifier® テープ&リール( tr) アクティブ 穴を通して do-201ad、軸 egp31 標準 DO-201AD ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,400 高速回復= <500ns 50 v 950 mv @ 3 a 50 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 3a 117pf @ 4V、1MHz
VS-20ETS08STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-20ets08strrpbf -
RFQ
ECAD 7643 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-263-3 20ets08 標準 TO-263AB ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない vs20ets08strrpbf ear99 8541.10.0080 800 標準回復> 500ns 800 V 1.1 V @ 20 a 100 µA @ 800 V -40°C〜150°C 20a -
19TQ015S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 19TQ015S -
RFQ
ECAD 4140 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 - チューブ 廃止 表面マウント TO-263-3 19tq015 ショットキー TO-263AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 1,000 高速回復= <500ns 15 V 360 mV @ 19 a 1.5 mA @ 15 v -55°C〜125°C 19a -
SS2P5-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P5-M3/84A 0.4100
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 ESMP® テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント DO-220AA SS2P5 ショットキー DO-220AA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 3,000 高速回復= <500ns 50 v 700 mV @ 2 a 100 µA @ 50 V -55°C〜150°C 2a 80pf @ 4V、1MHz
BZT03C130-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C130-TR 0.6000
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZT03 テープ&リール( tr) アクティブ ±6.54% 175°C (TJ) 穴を通して SOD-57 、軸 BZT03C130 1.3 w SOD-57 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 5,000 1.2 V @ 500 Ma 1 µA @ 100 V 130 v 300オーム
BZX584C12-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C12-G3-08 0.3000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 BZX584C テープ&リール( tr) アクティブ ±5% 150°C (TJ) 表面マウント SC-79、SOD-523 BZX584C 200 MW SOD-523 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0050 8,000 100 Na @ 8 V 12 v 10オーム
ES2GHE3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES2GHE3/52T -
RFQ
ECAD 2960 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes分割 aec-q101 テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント DO-214AA、SMB ES2 標準 do-214aa ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.10.0080 750 高速回復= <500ns 400 V 1.1 V @ 2 a 50 ns 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 2a 15pf @ 4V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫