画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BZT55B11-GS08 | 0.0433 | ![]() | 1402 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、bzt55 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | BZT55B11 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 mA | 100 na @ 7.5 v | 11 v | 15オーム | |||||||||||
MMBZ5238C-G3-08 | - | ![]() | 7145 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBZ5238 | 225 MW | SOT-23-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 3 µA @ 6.5 v | 8.7 v | 8オーム | |||||||||||||
![]() | UGB18ACT-E3/81 | - | ![]() | 6147 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | UGB18 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 1ペア共通カソード | 50 v | 18a | 1.1 V @ 9 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | |||||||||
![]() | VS-VS30EDR16L | - | ![]() | 4425 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | VS30 | - | 112-VS-VS30EDR16L | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG04-36-M3-18 | 0.1980 | ![]() | 3674 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZG04-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG04-36 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 5 µA @ 36 V | 43 v | ||||||||||||
![]() | plz20d-hg3_a/h | 0.3600 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101 、PLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.5% | 150°C | 表面マウント | DO-219AC | plz20 | 500 MW | do-219ac(microsmf) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 4,500 | 900 mV @ 10 Ma | 200 Na @ 15 V | 20 v | 28オーム | |||||||||||
![]() | VIT1080S-M3/4W | 0.5273 | ![]() | 5446 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | To-262-3 Long Leads | VIT1080 | ショットキー | TO-262AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 80 v | 810 mv @ 10 a | 600 µA @ 80 V | -55°C〜150°C | 10a | - | ||||||||||
![]() | uhb10ft-e3/8w | - | ![]() | 7360 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | uhb10 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 高速回復= <500ns | 300 V | 1.2 V @ 10 a | 35 ns | 5 µA @ 300 V | -55°C〜175°C | 10a | - | |||||||||
![]() | BZG05B82-HM3-18 | 0.2079 | ![]() | 5925 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B82 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 500 NA @ 62 v | 82 v | 200オーム | |||||||||||
![]() | BZT52C10-HE3-18 | 0.0378 | ![]() | 7268 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZT52 | テープ&リール( tr) | 前回購入します | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-123 | BZT52C10 | 410 MW | SOD-123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 7.5 v | 10 v | 5.2オーム | ||||||||||||
BY229-800-E3/45 | - | ![]() | 7545 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 | BY229 | 標準 | TO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 800 V | 1.85 V @ 20 a | 145 ns | 10 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 8a | - | ||||||||||
![]() | TLZ12A-GS18 | 0.0335 | ![]() | 6682 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | TLZ | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80 | TLZ12 | 500 MW | SOD-80ミニマルフ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 mA | 40 Na @ 10.6 v | 12 v | 12オーム | |||||||||||
![]() | VLZ18C-GS08 | - | ![]() | 8950 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101、vlz | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | -65°C〜175°C | 表面マウント | SOD-80バリアント | VLZ18 | 500 MW | SOD-80 Quadromelf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 mA | 40 µA @ 16.5 v | 17.88 v | 23オーム | |||||||||||
![]() | BA158GPHE3/73 | - | ![]() | 1529 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | BA158 | 標準 | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 600 V | 1.3 V @ 1 a | 250 ns | 5 µA @ 600 v | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | VS-S686D | - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S686D | - | 112-VS-S686D | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VS-S1639 | - | ![]() | 5403 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | S1639 | - | 112-VS-S1639 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BZG05B9V1-HM3-08 | 0.2079 | ![]() | 9122 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | 自動車、AEC-Q101、BZG05B-M | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1.98% | 150°C (TJ) | 表面マウント | DO-214AC、SMA | BZG05B9V1 | 1.25 w | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 6,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 6.8 v | 9.1 v | 5オーム | |||||||||||
![]() | v8pam10shm3/i | 0.5000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-221BC | ショットキー | DO-221BC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 14,000 | 高速回復= <500ns | 100 V | 840 mV @ 8 a | 180 µA @ 100 V | -40°C〜175°C | 2.8a | 600pf @ 4V、1MHz | |||||||||||
![]() | sml4755ahe3_a/h | 0.5700 | ![]() | 3770 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | SML4755 | 1 W | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | 5 µA @ 32.7 v | 43 v | 70オーム | ||||||||||||
![]() | SMZJ3808bhm3_b/i | 0.1500 | ![]() | 2435 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AA、SMB | SMZJ3808 | 1.5 w | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-SMZJ3808BHM3_B/ITR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,200 | 5 µA @ 47.1 v | 62 v | 100オーム | ||||||||||||
![]() | ugf8athe3_a/p | - | ![]() | 8544 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | チューブ | 廃止 | 穴を通して | TO-220-2 フルパック、分離タブ | 標準 | ITO-220AC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 112-ugf8athe3_a/p | ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 高速回復= <500ns | 50 v | 1 V @ 8 a | 30 ns | 10 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 8a | 45pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | MMSZ5266C-HE3_A-08 | 0.0566 | ![]() | 2798 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | ダウンロード | 112-MMSZ5266C-HE3_A-08TR | ear99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 900 mV @ 10 Ma | 100 Na @ 52 v | 68 v | 230オーム | ||||||||||||||
![]() | VS-VS19EDR20L | - | ![]() | 7501 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | バルク | 前回購入します | vs19 | - | 112-VS-VS19EDR20L | 1 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | egp31a-e3/c | 0.8118 | ![]() | 7599 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | SuperEctifier® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 穴を通して | do-201ad、軸 | egp31 | 標準 | DO-201AD | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,400 | 高速回復= <500ns | 50 v | 950 mv @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 3a | 117pf @ 4V、1MHz | |||||||||
![]() | vs-20ets08strrpbf | - | ![]() | 7643 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-263-3 | 20ets08 | 標準 | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | vs20ets08strrpbf | ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 標準回復> 500ns | 800 V | 1.1 V @ 20 a | 100 µA @ 800 V | -40°C〜150°C | 20a | - | |||||||||
![]() | 19TQ015S | - | ![]() | 4140 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | チューブ | 廃止 | 表面マウント | TO-263-3 | 19tq015 | ショットキー | TO-263AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 高速回復= <500ns | 15 V | 360 mV @ 19 a | 1.5 mA @ 15 v | -55°C〜125°C | 19a | - | ||||||||||
![]() | SS2P5-M3/84A | 0.4100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | ESMP® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-220AA | SS2P5 | ショットキー | DO-220AA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 高速回復= <500ns | 50 v | 700 mV @ 2 a | 100 µA @ 50 V | -55°C〜150°C | 2a | 80pf @ 4V、1MHz | ||||||||||
![]() | BZT03C130-TR | 0.6000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZT03 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.54% | 175°C (TJ) | 穴を通して | SOD-57 、軸 | BZT03C130 | 1.3 w | SOD-57 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 100 V | 130 v | 300オーム | |||||||||||
BZX584C12-G3-08 | 0.3000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX584C | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX584C | 200 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 Na @ 8 V | 12 v | 10オーム | |||||||||||||
![]() | ES2GHE3/52T | - | ![]() | 2960 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | DO-214AA、SMB | ES2 | 標準 | do-214aa | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 750 | 高速回復= <500ns | 400 V | 1.1 V @ 2 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 2a | 15pf @ 4V、1MHz |
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