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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SL22-M3/52T	0.1464	RFQ	3562	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SL22	ショットキー		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns		20 v		440 mV @ 2 a		400 µA @ 20 V	-55°C〜125°C	2a	-
NS8AT-E3/45	0.4259	RFQ	6503	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-2	NS8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		標準回復> 500ns		50 v		1.1 V @ 8 a		10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	8a	-
TZX4V7A-TR	0.2400	RFQ	30	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101 、TZX	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	TZX4V7		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000						1.5 V @ 200 mA		5 µA @ 2 V						4.7 v	100オーム
RS2G-E3/52T	0.4200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	rs2g	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		高速回復= <500ns		400 V		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	20pf @ 4V、1MHz
RGL41A-E3/97	0.1284	RFQ	3516	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	RGL41	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000		高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BZX84C3V6-HE3-18	0.0323	RFQ	3145	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C3V6		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								5 µA @ 1 V						3.6 v	90オーム
DZ23C5V6-G3-08	0.0483	RFQ	5646	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	DZ23-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	DZ23		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000	1ペア共通カソード							100 Na @ 1 V						5.6 v	40オーム
BZG05B43-E3-TR3	-	RFQ	3514	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05B	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	DO-214AC	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	6,000						1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 33 v						43 v	50オーム
VI20100SG-M3/4W	0.5569	RFQ	7046	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	To-262-3 Long Leads	VI20100	ショットキー		TO-262AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000		高速回復= <500ns		100 V		1.07 V @ 20 a		350 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	20a	-
VS-73-5266A	-	RFQ	8486	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	廃止									-				112-VS-73-5266A	廃止		1
BZD27B36P-M3-08	0.4200	RFQ	9295	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27B-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27B36		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000						1.2 V @ 200 mA		1 µA @ 27 V						36 v	40オーム
VS-16CTQ080STRLHM3	0.9832	RFQ	5607	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	16CTQ080	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	80 v	8a	720 mV @ 8 a		550 µA @ 80 V	-55°C〜175°C
VS-MBRB20100CTTRRP	-	RFQ	2661	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました			表面マウント	TO-263-3	MBRB20	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	100 V	10a	800 mV @ 10 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C
SE10PD-M3/85A	0.0899	RFQ	5581	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-220AA	SE10	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		標準回復> 500ns		200 v		1.05 V @ 1 a	780 ns	5 µA @ 200 V	-55°C〜175°C	1a	-
DF06MA-E3/45	0.6100	RFQ	2	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-EDIP （0.300 "、7.62mm）	DF06	標準		DFM	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50						1.1 V @ 1 a		5 µA @ 600 v		1 a		単相	600 V
VS-42CTQ030STRLHM3	1.4649	RFQ	6903	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	42CTQ030	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	800		高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	30 V	20a	480 mV @ 20 a		3 ma @ 30 v	-55°C〜150°C
ZMY51-GS08	0.4200	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZMY51		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500								500 NA @ 38 V						51 v	100オーム
SMAZ5927B-M3/61	0.1073	RFQ	9718	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	SMAZ5927		500 MW	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,800						900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 9.1 v						12 v	6.5オーム
BZX84C4V3-HE3-18	0.0323	RFQ	5005	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX84	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C4V3		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								3 µA @ 1 V						4.3 v	90オーム
VSSAF5L45-M3/6B	0.3011	RFQ	8628	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TMBS®、Slimsma™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-221AC、SMAフラットリード	SAF5L45	ショットキー		DO-221AC（スリムスマ）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	VSSAF5L45M36B	ear99	8541.10.0080	14,000		高速回復= <500ns		45 v		560 mV @ 5 a		650 µA @ 45 V	-40°C〜150°C	3a	740pf @ 4V、1MHz
S2K-E3/52T	0.4000	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	S2K	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	750		標準回復> 500ns		800 V		1.15 V @ 1.5 a	2 µs	1 µA @ 800 V	-55°C〜150°C	1.5a	16pf @ 4V、1MHz
1N4148WSFL-G3-08	-	RFQ	9890	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	SC-76、SOD-323	1N4148	標準		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	18,000		小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		75 v		1.2 V @ 100 MA	4 ns	5 µA @ 75 V	150°C （最大）	150ma	-
seg10fg-m3/i	0.3900	RFQ	10	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-219AB		標準		do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	10,000		標準回復> 500ns		400 V		1.1 V @ 700 Ma	1.2 µs	5 µA @ 400 V	-55°C〜175°C	1a	7.3pf @ 4V、1MHz
G3SBA20L-M3/51	-	RFQ	6359	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G3SBA20	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250						1 V @ 2 a		5 µA @ 200 V		2.3 a		単相	200 v
DZ23C3V3-HE3_A-08	-	RFQ	3701	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-Q101 、DZ23	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3			300 MW	SOT-23-3	ダウンロード				112-DZ23C3V3-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	1	1ペア共通カソード													3.3 v	80オーム
MMSZ5251B-E3-18	0.0360	RFQ	5996	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5251		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								100 Na @ 17 V						22 v	29オーム
MMSZ5227B-E3-08	0.2700	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5227		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000								15 µA @ 1 V						3.6 v	24オーム
gdz4v7b-he3-18	0.0378	RFQ	9404	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、gdz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	gdz4v7		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000								2 µA @ 1 V						4.7 v	100オーム
G5SBA80-M3/51	1.0096	RFQ	4161	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	G5SBA80	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250						1.05 V @ 3 a		5 µA @ 800 V		2.8 a		単相	800 V
GBU8A-M3/51	1.1425	RFQ	5888	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250						1 V @ 8 a		5 µA @ 50 V		3.9 a		単相	50 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²