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ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
SD101CWS-HE3-18	0.0570	RFQ	8911	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	SC-76、SOD-323	SD101	ショットキー		SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	10,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	40 v	900 mV @ 15 Ma	1 ns	200 Na @ 30 V	-55°C〜125°C	30ma	2.2pf @ 0V、1MHz
plz6v2a-g3/h	0.2800	RFQ	16	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	plz	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2.61％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-219AC	plz6v2		960 MW	do-219ac（microsmf）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	4,500			900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 3 V						5.94 v	10オーム
MMBZ4692-G3-08	-	RFQ	7328	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4692		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000					10 µA @ 5.1 v						6.8 v
1N4006GPHE3/73	-	RFQ	3994	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4006	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns	800 V	1.1 V @ 1 a	2 µs	5 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	1a	8pf @ 4V、1MHz
MMBZ5248C-HE3-18	-	RFQ	7798	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5248		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					100 Na @ 14 V						18 v	21オーム
BZG05C10-E3-TR	-	RFQ	2234	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZG05C	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	150°C	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000			1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 75 V						10 v	7オーム
GP10GE-161E3/91	-	RFQ	9920	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	バルク	廃止			-	-	GP10			-	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			廃止	0000.00.0000	1	-					-	-	-
BZX84B43-E3-08	0.0324	RFQ	4964	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B43		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000					50 Na @ 30.1 v						43 v	150オーム
BZD27C8V2P-M3-08	0.1650	RFQ	3622	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZD27-M	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-219AB	BZD27C8V2		800 MW	do-219ab	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000			1.2 V @ 200 mA		10 µA @ 3 V						8.2 v	2オーム
TZMC7V5-M-18	0.0324	RFQ	2294	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC7V5		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 5 V						7.5 v	7オーム
BZT52B13-G3-18	0.0483	RFQ	1943年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT52-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	BZT52B13		410 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					100 Na @ 10 V						13 v	9オーム
bym11-50he3/96	-	RFQ	1457	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	bym11	標準		DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	bym11-50he3_a/h	ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns	50 v	1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
GDZ8V2B-E3-08	0.0360	RFQ	5556	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	GDZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ8v2		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000					500 NA @ 5 V						8.2 v	30オーム
ZM4758A-GS08	0.3900	RFQ	11	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	175°C	表面マウント	do-213ab、メルフ（ガラス）	ZM4758		1 W	DO-213AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1,500					5 µA @ 42.6 v						56 v	110オーム
GDZ2V2B-HG3-18	0.0509	RFQ	1032	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、GDZ-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	GDZ2v2		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					120 µA @ 700 mV						2.2 v	100オーム
TLZ16-GS18	0.0335	RFQ	6600	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ16		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 200 mA								16 v	18オーム
SL23-M3/5BT	0.1464	RFQ	8295	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SL23	ショットキー		do-214aa	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	高速回復= <500ns	30 V	500 mV @ 2 a		400 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	2a	-
MBRF760-E3/45	-	RFQ	2098	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2 フルパック、分離タブ	MBRF7	ショットキー		ITO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	60 V	750 mV @ 7.5 a		500 µA @ 60 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
SBLF1030HE3/45	-	RFQ	4308	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	SBLF1030	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	50	高速回復= <500ns	30 V	600 mV @ 10 a		1 mA @ 30 v	-40°C〜125°C	10a	-
RS1PDHE3/84A	-	RFQ	1887	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	DO-220AA	RS1	標準		DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	200 v	1.3 V @ 1 a	150 ns	1 µA @ 200 v	-55°C〜150°C	1a	9pf @ 4V、1MHz
MMSZ5259B-HE3_A-08	0.0549	RFQ	1814年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ5259B-HE3_A-08TR	ear99	8541.10.0050	15,000			900 mV @ 10 Ma		100 Na @ 30 V						39 v	80オーム
ZMM5264B-13	-	RFQ	9324	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	ZMM52		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）		ZMM5264B-13GI	ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 46 v						60 V	170オーム
BZX84C9V1-E3-08	0.2300	RFQ	4623	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84C9V1		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					500 NA @ 6 V						9.1 v	15オーム
SMPZ3924B-E3/84A	-	RFQ	6641	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	SMPZ39		500 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 7 V						9.1 v	4オーム
vs-stps1045bpbf	-	RFQ	8837	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止			表面マウント	to-252-3	STPS1045	ショットキー		d-pak（to-252aa）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	75	高速回復= <500ns	45 v	570 mV @ 10 a		200 µA @ 45 V	-40°C〜175°C	10a	-
KBU6D-E4/51	2.0400	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-50°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip 、kbu	KBU6	標準		KBU	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	250			1 V @ 6 a		5 µA @ 200 V		6 a		単相	200 v
1N5241C-TAP	0.0288	RFQ	5545	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	±2％	175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N5241		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	30,000			1.1 V @ 200 mA		2 µA @ 8.4 v						11 v	22オーム
SMZG3788B-E3/52	0.2511	RFQ	5192	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-215AA	SMZG3788		1.5 w	SMBG （DO-215AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750					50 µA @ 7 V						9.1 v	4オーム
BZG05C27-HM3-18	0.1172	RFQ	6433	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101、bzg05c-m	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±7.04％	150°C （TJ）	表面マウント	DO-214AC、SMA	BZG05C27		1.25 w	do-214ac	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	6,000			1.2 V @ 200 mA		500 NA @ 20 V						27 v	30オーム
BZX384C12-HE3-08	0.2600	RFQ	40	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX384	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384C12		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					100 Na @ 8 V						12 v	25オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²