RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ダイオード（29505）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
GSIB2560NL-01M3/p	-	RFQ	8795	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip gsib-5s	GSIB2560	標準		GSIB-5S	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1			1 V @ 12.5 a		10 µA @ 600 V		3.5 a		単相	600 V
SMZJ3801BHE3_A/H	0.1597	RFQ	5448	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-214AA、SMB	SMZJ3801		1.5 w	do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	750					5 µA @ 25.1 v						33 v	33オーム
BZM55C5V1-TR	0.2800	RFQ	8645	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55C5V1		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 1 V						5.1 v	550オーム
RMPG06G-E3/73	0.4300	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	カットテープ（CT）	アクティブ			穴を通して	mpg06 、軸	RMPG06	標準		MPG06	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	400 V	1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1a	6.6pf @ 4V、1MHz
G2SB60L-5752E3/45	-	RFQ	4669	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、GBL	G2SB60	標準		GBL	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1			1 V @ 750 MA		5 µA @ 600 v		1.5 a		単相	600 V
BZX884B5V6L-G3-08	0.3200	RFQ	15	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX884L	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	150°C （TJ）	表面マウント	0402 （1006メトリック）			300 MW	DFN1006-2A	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000			900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 2 V						5.6 v	40オーム
BZM55C20-TR	0.2800	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	AEC-Q101、BZM55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	2-SMD 、リードなし	BZM55C20		500 MW	マイクロメル	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 15 V						20 v	220オーム
VS-20L15TS-M3	1.6700	RFQ	6	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	アクティブ			表面マウント	TO-263-3	20L15	ショットキー		TO-263AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	15 V	410 mv @ 19 a		10 ma @ 15 v	-55°C〜125°C	20a	2000pf @ 5V、1MHz
MMBZ5239B-G3-08	-	RFQ	4407	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5239		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	15,000					3 µA @ 7 V						9.1 v	10オーム
SB2M-M3/5BT	0.1160	RFQ	7744	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AA、SMB	SB2	標準		do-214aa	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,200	標準回復> 500ns	1000 V	1.15 V @ 2 a	2 µs	1 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	2a	16pf @ 4V、1MHz
TZMC24-M-08	0.0324	RFQ	8317	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TZMC24		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500			1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 18 V						24 v	80オーム
VS-2KBB20R	1.7500	RFQ	408	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	4-sip 、2kbb	2KBB20	標準		2kbb	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	500			1.1 V @ 1.9 a		10 µA @ 200 v		1.9 a		単相	200 v
BZT03C24-TR	0.6400	RFQ	22	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZT03	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5.83％	175°C （TJ）	穴を通して	SOD-57 、軸	BZT03C24		1.3 w	SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,000			1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 18 V						24 v	15オーム
MMBZ4696-HE3-18	-	RFQ	5819	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ4696		350 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					1 µA @ 6.9 v						9.1 v
1N4744A-TAP	0.3600	RFQ	61	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	カットテープ（CT）	アクティブ	±5％	175°C （TJ）	穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4744		1.3 w	do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	5,000			1.2 V @ 200 mA		5 µA @ 11.4 v						15 V	14オーム
PTV12B-E3/85A	-	RFQ	2683	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±6％	-55°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	PTV12		600 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 200 mA		10 µA @ 9 V						12.8 v	8オーム
TLZ5V1C-GS08	0.2500	RFQ	8	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	TLZ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	TLZ5V1		500 MW	SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500			1.5 V @ 200 mA		2 µA @ 2 V						5.1 v	20オーム
RGP10AHE3/73	-	RFQ	9351	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆ボックス（ TB）	廃止			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	RGP10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns	50 v	1.3 V @ 1 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
ns8athe3_a/p	-	RFQ	2496	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	チューブ	廃止			穴を通して	TO-220-2	NS8	標準		TO-220AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	標準回復> 500ns	50 v	1.1 V @ 8 a		10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	8a	55pf @ 4V、1MHz
MMBZ5264C-HE3-18	-	RFQ	5393	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	MMBZ5264		225 MW	SOT-23-3	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					100 Na @ 46 v						60 V	170オーム
BZX384B3V6-G3-18	0.0445	RFQ	7608	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX384-G	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-76、SOD-323	BZX384B3V6		200 MW	SOD-323	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000					5 µA @ 1 V						3.6 v	90オーム
MMSZ4686-HE3_A-18	-	RFQ	4983	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SOD-123			500 MW	SOD-123	ダウンロード				112-MMSZ4686-HE3_A-18TR	ear99	8541.10.0050	1			900 mV @ 10 Ma		5 µA @ 2 V						3.9 v
BZX55B22-TR	0.2200	RFQ	29	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、 aec-q101、bzx55	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	BZX55B22		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 200 mA		100 Na @ 16 V						22 v	55オーム
BZW03C68-TAP	-	RFQ	1929年年	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZW03	テープ＆ボックス（ TB）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	SOD-64 、軸	BZW03		1.85 w	SOD-64	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	12,500			1.2 V @ 1 a		2 µA @ 51 v						68 v	45オーム
SF4005-TAP	0.3267	RFQ	7675	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	SOD-57 、軸	SF4005	雪崩		SOD-57	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	25,000	高速回復= <500ns	600 V	1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µA @ 600 v	-55°C〜175°C	1a	-
BZX584C9V1-HG3-08	0.3300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	自動車、AEC-Q101、BZX584C	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	150°C （TJ）	表面マウント	SC-79、SOD-523	BZX584C		200 MW	SOD-523	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	8,000					500 NA @ 5 V						9.1 v	6オーム
ZMM5223B-13	-	RFQ	7145	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AA	ZMM52		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0050	10,000			1.5 V @ 200 mA		75 µA @ 1 V						2.7 v	30オーム
1N4936-E3/54	0.3400	RFQ	3484	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	1N4936	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	5,500	高速回復= <500ns	400 V	1.2 V @ 1 a	200 ns	5 µA @ 400 V	-50°C〜150°C	1a	12pf @ 4V、1MHz
MMSZ5226B-HE3-08	0.2800	RFQ	257	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	前回購入します	±5％	-55°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	MMSZ5226		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					25 µA @ 1 V						3.3 v	28オーム
SMPZ3927B-E3/84A	-	RFQ	4289	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	ESMP®	テープ＆リール（ tr）	廃止	±5％	-65°C〜150°C	表面マウント	DO-220AA	SMPZ39		500 MW	DO-220AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000			1.5 V @ 200 mA		500 NA @ 9.1 v						12 v	6.5オーム

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（29505）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²